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一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法
本發明公開了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup
華中科技大學
2021-04-14
一種多層薄膜微結構自對準制備方法及裝置
本發明公開一種多層薄膜微結構自對準制備方法，通過分隔板 將噴頭內腔體縱向分為至少兩個腔室，在各腔室內注入不相溶的高分 子溶液，并匯聚于噴頭的噴嘴處；施加高壓靜電場，同時驅使接收板 做平面直線運動，在高壓靜電場作用下噴嘴處的溶液變形成泰勒錐， 從泰勒錐尖端拉出射流，射流中的多種高分子材料先后沿著接收板運 動的方向進行靜電紡絲，形成多層薄膜微結構。本發明還公開一種實 現上述方法的裝置，分隔板縱向設于噴嘴內，將噴嘴內腔體分隔為至 少左右兩個腔室；在噴嘴端部設有端部蓋板，端部蓋板與噴嘴端部之 間設有密封片；
華中科技大學
2021-04-14
一種有機-無機復合電致變色薄膜及其制備方法
本發明公開了一種有機-無機復合電致變色薄膜及其制備方法。該薄膜為聚苯胺與三氧化鎢的復合薄膜，其中含有5～80％質量分數的三氧化鎢，薄膜厚度為50～300nm，表面具有納米棒陣列形貌。該制備方法包括：將表面經羥基化處理的ITO玻璃或者ITO/PET基底垂直豎立并固定于反應容器中，將過氧化鎢酸溶液與苯胺溶液的混合溶液倒入其中并攪拌；再加入過硫酸銨溶液，攪拌下進行反應；反應完成后，取出沉積有薄膜的基底并沖洗、干燥而得。本發明制備方法實現了聚苯胺/氧化物在分子層次復合，工藝簡單，成分可方便控制，成本較低，易于實現工業化。制得的薄膜光譜調節范圍大、顏色豐富、響應速度快、循環壽命長，應用范圍廣泛。
浙江大學
2021-04-13
PT100型號薄膜鉑電阻低溫溫度計PI封裝
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-26
PT100型號薄膜鉑電阻低溫溫度計低溫實驗
北京錦正茂科技有限公司
2022-06-13
一種雙波段薄膜光探測器及其制備方法
本發明屬于微納制造與光電子器件領域，并公開了一種雙波段 薄膜光探測器，包括基底薄片、第一電極層、第一 WSe2 層、石墨烯 層、第一 MoS2 層、第二電極層、介質層、第二 WSe2 層、第三電極 層、第二 MoS2 層和第四電極層,第一電極層設置在基底薄片上;第一 WSe2 層鋪設在基底薄片和第一電極層上;石墨烯層設置在第一 WSe2 層上;
華中科技大學
2021-04-14
電沉積低溫燒結制備氧化物薄膜和微疊層技術
本技術可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學催化、超導、光電轉換等。 本技術可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質量優于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過程簡單，重現性好是本技術的優勢。
北京科技大學
2021-04-11
低成本制備高效硅薄膜太陽電池關鍵技術研發
南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持，經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太陽 電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術推向產業化。
南開大學
2021-02-01
低成本制備高效硅薄膜太陽電池關鍵技術研發
南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4 個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持， 經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。 于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其 組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太 陽電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條 年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生 產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術推向產業化。
南開大學
2021-04-11
一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法
本發明闡述了一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法。具體步驟為：先通過DMF、DMSO、環己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加熱方法制備出足量的CsPbBr3單晶并壓成靶材，再采用脈沖激光沉積薄膜制備技術：調整激光能量和基底溫度，通過激光脈沖數控制薄膜厚度，真空沉積制備CsPbBr3薄膜。本發明利用脈沖激光沉積技術制備CsPbBr3薄膜，可實現均勻大面積薄膜的便捷制備，易于有效控制薄膜厚度并且節約材料，有利于該材料在太陽能電池的工業化生產與應用。
東南大學
2021-04-11