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光纖激光器具有轉(zhuǎn)換效率高、光束質(zhì)量好、維護(hù)周期長、運(yùn)行費(fèi)用低等優(yōu)點(diǎn)，是激光加工裝備的光源最佳選擇，具有十分廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景，被譽(yù)為“光制造時(shí)代的核心”。由于技術(shù)門檻等原因，目前國內(nèi)市場(chǎng)光纖激光器產(chǎn)品普遍集中在低功率光纖激光器，而從利潤和銷售額來看，光纖激光器最大的市場(chǎng)在千瓦級(jí)以上的應(yīng)用，因此高功率光纖激光器產(chǎn)品極具市場(chǎng)空間和投資價(jià)值。 經(jīng)過近兩年的持續(xù)攻關(guān)，學(xué)校已掌握一系列研制高功率光纖激光器的關(guān)鍵技術(shù)，并自主研制成功連續(xù)光纖激光器，與國內(nèi)同類產(chǎn)品相比，核心技術(shù)指標(biāo)、性能參數(shù)均處于

本發(fā)明屬于無損檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，為一種寬頻大功率電磁激勵(lì)裝置，包括猝發(fā)脈沖發(fā)生電路、模擬開關(guān)、變壓器和至少二個(gè)功率放大單元，各功率放大單元均包括依次的聯(lián)接的信號(hào)放大電路、加法電路、電流緩沖器、場(chǎng)效應(yīng)管電壓跟隨電路和效應(yīng)管電流放大電路，各加法電路均連接有電位器；猝發(fā)脈沖發(fā)生電路與模擬開關(guān)的輸入端相連，模擬開關(guān)的使能端與過功率檢測(cè)電路的輸出端相連，模擬開關(guān)的各輸出端分別與信號(hào)放大電路相連；效應(yīng)管電流放大電路與變壓器的輸入端相連，過功率檢測(cè)電路的輸入端與變壓器的一個(gè)輸出端相連，變壓器的另一個(gè)輸出端用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載

成果簡(jiǎn)介對(duì)于大電流注入下的高功率 LED 而言， 光衰是 LED 普遍存在的問題。 主要原因有載流子在多量子阱（MQW） 上的溢出（overflow）； LED 芯片的晶體內(nèi)部的缺陷導(dǎo)致的非輻射復(fù)合； 在大注入條件下， 載流子分布的不均勻； 以及 LED 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理性等原因； 這些因素在 LED 材料生長過程中（采用 MOCVD 技術(shù)） 就已經(jīng)決定。 而大功率 LED 在實(shí)際應(yīng)用過程中另外一個(gè)瓶頸就是芯片的熱輸運(yùn)處理問題。 在大注入條件下， 過高的 pn 結(jié)結(jié)溫， 導(dǎo)致

本發(fā)明公開了一種低射頻功率檢測(cè)電路，該檢測(cè)電路將射頻輸 入信號(hào)連接至匹配負(fù)載，然后經(jīng)過基于檢波二極管的峰值檢測(cè)電路處 理，峰值檢測(cè)電路的輸出連接至峰值補(bǔ)償電路，使得補(bǔ)償之后的直流 電平與射頻信號(hào)峰值基本一致。補(bǔ)償電路的輸出連接至乘法器的兩個(gè) 輸入端，乘法器的輸出經(jīng)濾波、放大、零位補(bǔ)償之后，在檢測(cè)電路輸 出端得到一個(gè)與待測(cè)信號(hào)功率成正比的直流信號(hào)。該發(fā)明的特點(diǎn)是： 各功能電路相對(duì)獨(dú)立，調(diào)試方便；補(bǔ)償電路可精細(xì)調(diào)節(jié)，在一定頻率 和功率范圍內(nèi)測(cè)量準(zhǔn)確度較高；通過設(shè)定電路參數(shù)，響應(yīng)速度靈活可 調(diào)；能滿足高達(dá)

該成果應(yīng)用于多功能高速列車運(yùn)行模擬試驗(yàn)臺(tái)模型車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)（旨在研究列車在雨雪、地震、氣壓增減等復(fù)雜環(huán)境下高速會(huì)車時(shí)的性能），采用了多相直線無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，即模型車電磁彈射技術(shù)，通過該技術(shù)，動(dòng)子推動(dòng)220kg模型車在50米范圍內(nèi)可達(dá)到112m/s（403km/h）,并在9米內(nèi)動(dòng)子制動(dòng)停車，電機(jī)功率達(dá)到28.6MW。整個(gè)電磁彈射系統(tǒng)包括東西兩線，每條線在線路上均包括牽引段、制動(dòng)段，在設(shè)備上包括脈沖發(fā)電機(jī)飛輪儲(chǔ)能系統(tǒng)、多相直線無刷直流電機(jī)定子、動(dòng)子以及安裝定子和模型車運(yùn)動(dòng)軌道的支撐架，另外還包括動(dòng)子回收、動(dòng)子保持機(jī)構(gòu)等，運(yùn)行過程通過過程監(jiān)控系統(tǒng)、視頻監(jiān)控系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控記錄。

太赫茲（THz）科學(xué)技術(shù)既是重大的基礎(chǔ)科學(xué)問題，也是國家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實(shí)現(xiàn)THz波傳輸與控制的相關(guān)器件極為匱乏，大大限制了THz科學(xué)技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用。本項(xiàng)目提出了THz波物質(zhì)探測(cè)、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實(shí)用化THz功能器件。本項(xiàng)目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達(dá)到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統(tǒng)電磁波吸收材料無法有效工作于THz頻段的技術(shù)難題；(2)提出“人工電磁結(jié)構(gòu)”與“電子功能材料”相結(jié)合構(gòu)建可調(diào)諧太赫茲功能器件的思想，研制出開關(guān)速率達(dá)到0.1ms的太赫茲開關(guān)、調(diào)制速率達(dá)到10Mbps的太赫茲波調(diào)制器，帶內(nèi)透射達(dá)到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級(jí)摻雜技術(shù)和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調(diào)制器，開關(guān)速率達(dá)到5MHz，空間調(diào)制面積達(dá)到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎(chǔ)；(4)提出極化約束實(shí)現(xiàn)太赫茲波導(dǎo)低損耗傳輸?shù)男赂拍睢；凇熬酆衔锟招静▽?dǎo)”與“周期性金屬光柵結(jié)構(gòu)”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達(dá)到了實(shí)用化的要求。 這一研究成果既加深了對(duì)THz波譜特性和基本物理現(xiàn)象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識(shí)別和應(yīng)用成像的多個(gè)關(guān)鍵科學(xué)問題。本項(xiàng)目成果的實(shí)施，可望實(shí)現(xiàn)載波300GHz以上高速無線通信，為太赫茲波無線通信、雷達(dá)探測(cè)、醫(yī)療診斷以及以及波譜成像等應(yīng)用系統(tǒng)提供了重要的技術(shù)支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國際主流期刊上發(fā)表SCI 論文66 篇。申請(qǐng)國家發(fā)明專利22 項(xiàng)，已授權(quán)專利7 項(xiàng)，獲得教育部自然科學(xué)一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。跟國內(nèi)外綜合比較，本項(xiàng)目的研究成果總體上處于國際先進(jìn)水平，對(duì)推動(dòng)太赫茲科學(xué)快速進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域具有重要的科學(xué)意義。

本項(xiàng)目提出了THz波物質(zhì)探測(cè)、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實(shí)用化THz功能器件。

隨著集成電路工藝的進(jìn)步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢(shì)下，將可控硅ESD防護(hù)器件的觸發(fā)電壓降低到可觀的電壓值內(nèi)，使用高性能的ESD防護(hù)器件來泄放靜電電荷以保護(hù)柵極氧化層顯得十分重要。本發(fā)明涉及可用于65nm半導(dǎo)體工藝的靜電保護(hù)（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發(fā)的SCR器件。    本發(fā)明提供一種采用新型技術(shù)減小器件的ESD觸發(fā)電壓的PMOS嵌入的低壓觸發(fā)用于ESD保護(hù)的SCR器件。本發(fā)明采用PMOS進(jìn)行觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS的導(dǎo)通電流觸發(fā)SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發(fā)電壓。ESD脈沖信號(hào)施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發(fā)導(dǎo)通，PMOS開通之后，觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS導(dǎo)通后，其導(dǎo)通電流觸發(fā)晶閘管SCR導(dǎo)通。晶閘管電流（SCR current）導(dǎo)通大部分ESD 電流，從而實(shí)驗(yàn)了ESD保護(hù)。