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本發(fā)明公開了一種高功率大帶寬鍺硅光電探測器。該探測器是 模擬光子通信系統(tǒng)和微波光子系統(tǒng)中的硅基關(guān)鍵集成光電子器件，其 特征在于包括多個并聯(lián)鍺層結(jié)構(gòu)和電感。多個并聯(lián)的鍺層結(jié)構(gòu)的多個 鍺層尺寸是可以不同的，以實(shí)現(xiàn)對寄生電阻的調(diào)控，在提高器件飽和 功率的同時保持了寄生參數(shù)不至顯著增加。同時，通過引入片上和片 外電感，實(shí)現(xiàn)對器件寄生電感的調(diào)控，抬升器件高頻處頻率響應(yīng)，提 升器件工作帶寬。本發(fā)明提出的光電探測器采用集總電極結(jié)構(gòu)

通過研究和有機(jī)介質(zhì)薄膜以及金屬化水平的不斷提高，用金屬化薄膜制造高壓大功率電容器取代電解電容器已成為了可能。薄膜電容器具有高頻特性好、損耗小和溫度特性穩(wěn)定等特點(diǎn)，可以滿足逆變器對電容器性能的要求。

本發(fā)明涉及光伏并網(wǎng)逆變器技術(shù)領(lǐng)域。包括由功率電路組成的功率逆變單元和逆變控制單元兩部分，功率逆變單元主要包括輸入EMI 濾波電路、交錯并聯(lián) Boost 升壓電路、采用混合器件的全橋逆變電路、輸出并網(wǎng)濾波電路，逆變控制單元主要包括電網(wǎng)相位檢測電路、采樣電路、及控制器。本發(fā)明采用雙級結(jié)構(gòu)，前級采用交錯并聯(lián) Boost升壓，減小了電流的波動，降低了輸出電壓紋波；后級逆變單元采用混合功率器件，有效減小了逆變損耗，提高系統(tǒng)效率

目前，國內(nèi)進(jìn)行壓模封裝透鏡成型中的壓模封裝，普遍采用人工進(jìn)行操作。上下料、注膠、透鏡封裝、壓模成型等工序不僅需要可觀的人工成本，而且生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品質(zhì)量難于保障。華南理工大學(xué)胡躍明團(tuán)隊(duì)為改變這一現(xiàn)狀，圍繞國家產(chǎn)業(yè)迫切需求，在廣東省新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)LED重大專項(xiàng)支持下，自主發(fā)明和研制了系列全自動透鏡塑封壓模成型（Molding）機(jī)，填補(bǔ)了國內(nèi)在該高端制造領(lǐng)域的空白，實(shí)現(xiàn)了全自動上下料、全自動高精度注膠、全自動透鏡成型、全自動壓模封裝等功能，單臺機(jī)器單模組可達(dá)到50個人工半自動化工藝產(chǎn)能。

本發(fā)明公開了一種高功率光纖激光器包層光濾除裝置，該裝置 包括一段或多段雙包層光纖，其中此雙包層光纖沿激光輸出方向按剝 除面積由小到大而間隔地對保護(hù)層和外包層進(jìn)行部分剝除，使內(nèi)包層 裸露出來，將濾光材料涂在裸露內(nèi)包層上，并且將上述濾光裝置固定 在散熱金屬材料及水冷板上。本發(fā)明對光纖結(jié)構(gòu)破壞較小，濾光均勻， 避免了非均勻?yàn)V除時，某些濾除點(diǎn)溫度過高的現(xiàn)象，提高了系統(tǒng)的穩(wěn) 定性。

課題組基于NiO生長工藝和異質(zhì)PN的前期研究基礎(chǔ)（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），設(shè)計(jì)了結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)（Junction Termination Extension, JTE），并優(yōu)化退火工藝，成功制備出耐高壓且耐高溫的氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管。

項(xiàng)目簡介車用電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)是新能源汽車、農(nóng)業(yè)大棚作業(yè)車的關(guān)鍵技術(shù)之一。受車輛空間限 制和使用環(huán)境限制，車用電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)比普通電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)要求更高。車用電機(jī)驅(qū)動系 統(tǒng)要求滿足高功率密度(1.2kW/kg)、高效(全速范圍的高效率)、高可靠性(環(huán)境溫度 105 度)的要求。課題組使用母線支撐膜電容、疊層母排和 IGBT 設(shè)計(jì)研發(fā)了電動汽車用高功 率密度集成電機(jī)控制器。 車用高功率密度集成電機(jī)控制器采用全數(shù)字控制，主要由直流母線支撐電容、直流 疊層母排、IGBT、IGBT 驅(qū)動電路和控制電路組

產(chǎn)品詳細(xì)介紹    

清華大學(xué)電子工程系黃翊東教授團(tuán)隊(duì)崔開宇副教授帶領(lǐng)學(xué)生在超光譜成像芯片方面取得重要進(jìn)展，研制出國際首款實(shí)時超光譜成像芯片，相比已有光譜檢測技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從單點(diǎn)光譜儀到超光譜成像芯片的跨越。

由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過了中國電子學(xué)會組織的現(xiàn)場鑒定。 由中國工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來自中國移動、信通院、華為、中興、大唐電信和國內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會對該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場鑒定并給予了高度評價，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來無線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢，但其輸出功率相對較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過長達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問題。