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產(chǎn)品詳細(xì)介紹專為旅游景點(diǎn)，體育文化場(chǎng)所，會(huì)議中心，博覽中心，行李寄存，商場(chǎng)，酒店,法院，監(jiān)獄等重要場(chǎng)所設(shè)計(jì) *嚴(yán)格的內(nèi)部質(zhì)量控制，實(shí)施工程與生產(chǎn)雙檢原則 *整機(jī)部件保障措施 #高性能網(wǎng)絡(luò)功能 *通過國(guó)家公安部檢測(cè) *通過歐盟CE認(rèn)證 *國(guó)際知名公司ISO9001認(rèn)證 *通過ISO14001環(huán)境認(rèn)證 *通過中國(guó)政府的輻射安全認(rèn)證       ☆基本參數(shù)指標(biāo)： 通道尺寸       500（寬）×300（高）mm 傳送帶速度     0.22 m/s 傳送帶額定負(fù)荷 120 kg 單次檢查劑量   < 1.5μGy 分辨力         直徑0.101mm金屬線 穿透力                 34mm鋼板 膠卷安全性     對(duì)ISO1600膠卷安全 泄漏劑量       <0.05μGy/h   ☆X射線發(fā)生器： 射線束方向       底照式 管電流              0.4~ 1.2mA（可調(diào)） 管電壓               100~160 kV（可調(diào)） 射線束發(fā)散角  60° 冷卻／工作周期 密封式油冷／100％   ☆使用環(huán)境： 工作溫度／濕度   0℃～45℃／20%～95% (不冷凝)    儲(chǔ)存溫度／濕度   -20℃～60℃／20%～95% (不冷凝) 工作電壓        220VAC(±10%)  50±3Hz 功率損耗        1.0KW（最大值） 噪聲級(jí)          <65dB

一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發(fā)明專利/實(shí)用新型/：發(fā)明授權(quán) 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產(chǎn)生沉淀物，將獲得的沉淀經(jīng)洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細(xì)氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經(jīng)模壓成型和冷等靜壓強(qiáng)化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐

本發(fā)明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設(shè)備。方法根據(jù)待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀確定成型缸的內(nèi)部 結(jié)構(gòu)，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形 狀對(duì)應(yīng)的區(qū)域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)成型缸，該成型缸的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與待成 形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀相匹配。本發(fā)明通過使用鑲塊以及與金屬構(gòu) 件切片輪廓形狀相適應(yīng)的異形基板，實(shí)現(xiàn)了針對(duì)不同金屬構(gòu)件

本發(fā)明公開了一種梯度溫度場(chǎng)主動(dòng)調(diào)控系統(tǒng)及其控制方法，系 統(tǒng)由溫度場(chǎng)監(jiān)控系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)和控制系統(tǒng)；溫度場(chǎng)監(jiān)控系統(tǒng)用于測(cè) 量成形區(qū)域 XOY 平面及四周的溫度場(chǎng)信息，將獲得的溫度場(chǎng)信息進(jìn)行 量化處理后反饋給控制系統(tǒng)，加熱系統(tǒng)根據(jù)控制系統(tǒng)指令對(duì)成型缸的 底部和四周進(jìn)行溫度場(chǎng)的分區(qū)獨(dú)立實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)在加工過程中整 個(gè)加工區(qū)域的溫度場(chǎng)恒定，保證已加工區(qū)域與未加工區(qū)域處于合理的 溫度梯度，避免熱應(yīng)力導(dǎo)致構(gòu)件翹曲、變形、開裂。本

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái)說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù)(TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí)會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。技術(shù)指標(biāo)如下：溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議

本成果包含如下內(nèi)容：高轉(zhuǎn)換效率的小面積碲化鎘太陽(yáng)電池制造技術(shù)，面積為1200mm×600mm 的碲化鎘太陽(yáng)電池組件規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，年產(chǎn)30-50MW碲化鎘太陽(yáng)電池生產(chǎn)線及關(guān)鍵設(shè)備的設(shè)計(jì)。 主要技術(shù)指標(biāo)： 組件效率超過12%。 應(yīng)用范圍： 用于太陽(yáng)能直接發(fā)電，建立大規(guī)模光伏電站或小型戶用光伏發(fā)電系統(tǒng)。國(guó)家扶持光伏發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太陽(yáng)電池，出口不會(huì)受到限制。 項(xiàng)目目前已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，成果權(quán)屬為我校獨(dú)自擁有。

關(guān)鍵技術(shù)及水平：數(shù)字化輪胎全系列成套裝備涵蓋了從輪胎配料、密煉、壓延、裁斷、成型、硫化至檢測(cè)共7個(gè)工序，產(chǎn)品“軟硬結(jié)合、管控一體”，將信息技術(shù)與輪胎裝備制造相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了全流程工藝控制的計(jì)算機(jī)輔助制造，屬世界首創(chuàng)。 該項(xiàng)成果的研發(fā)綜合利用機(jī)械與自控技術(shù)、振動(dòng)與測(cè)量技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)、光機(jī)電一體化等技術(shù)，研發(fā)裝備與傳統(tǒng)輪胎生產(chǎn)線相比，更加突出智能化和網(wǎng)絡(luò)化，不僅可以有效提高輪胎生產(chǎn)企業(yè)的管理水平、技術(shù)水平、生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，而且可以大量削減能源和原材料的消耗,降低環(huán)境污染。 取得主要成果：主要攻關(guān)突破了高效低溫一次法煉膠技術(shù)、高性能半鋼一次法成型裝備控制技術(shù)、電子輻照預(yù)硫檢測(cè)技術(shù)等一系列關(guān)鍵技術(shù)，申請(qǐng)專利52項(xiàng)，共獲得授權(quán)專利29項(xiàng)。

半夏野生變家種已有近40年歷史，但是由于野生資源減少和人工種植跟不上，每年只能提供4000噸以下半夏原藥材，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于國(guó)內(nèi)和國(guó)際市場(chǎng)7000噸以上的半夏需求。因此，全國(guó)市場(chǎng)近5年半夏原藥材單價(jià)已經(jīng)上漲了50%，市場(chǎng)上半夏魚龍混雜，出現(xiàn)水半夏和天南星替代優(yōu)質(zhì)半夏的局面。拯救半夏產(chǎn)業(yè)刻不容緩，利用現(xiàn)代生物技術(shù)培育原藥材成為行業(yè)所需。 目前半夏產(chǎn)業(yè)存在的主要問題： 1）品質(zhì)不均，不能滿足現(xiàn)代中藥生產(chǎn)對(duì)藥材的品質(zhì)要求；2）自然繁殖率低，不能滿足規(guī)模化生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)種苗需求；3）品質(zhì)衰退，病害嚴(yán)重，半夏栽培風(fēng)險(xiǎn)增加；4）缺少品種和品牌，藥材檔次不高，種植效益和市場(chǎng)無(wú)保障。本項(xiàng)目通過對(duì)半夏脫病毒復(fù)壯、優(yōu)良單株倍性育種，獲得品質(zhì)好，抗性、產(chǎn)量、成活率高的半夏新品種；利用新型植物生物反應(yīng)器進(jìn)行新品種半夏的工廠化擴(kuò)繁，實(shí)現(xiàn)新品種半夏的產(chǎn)業(yè)化。

項(xiàng)目背景：安全、高效、綠色、智能的自動(dòng)化智能化碼頭都 是國(guó)內(nèi)港口發(fā)展的必然趨勢(shì)。中國(guó)是港口大國(guó)，在“交通強(qiáng)國(guó)” 國(guó)家戰(zhàn)略的統(tǒng)籌下，國(guó)內(nèi)各大港口先后開展了自動(dòng)化智能化碼頭 的新建和改造升級(jí)工作。但國(guó)內(nèi)現(xiàn)有、在建及規(guī)劃中的所有集裝 箱自動(dòng)化碼頭裝卸設(shè)備控制系統(tǒng)、自動(dòng)化單元、自動(dòng)化管控信息 化系統(tǒng)的核心技術(shù)及部件基本依賴進(jìn)口，這些核心技術(shù)及部件被 ABB、SIEMENS 等國(guó)外公司所壟斷，并形成了技術(shù)壁壘。面向國(guó) 內(nèi)集裝箱港口自動(dòng)化智能化的現(xiàn)實(shí)需求，加快“卡脖子”關(guān)鍵核 心技術(shù)的突破和關(guān)鍵零部件國(guó)產(chǎn)化替代勢(shì)在必行，迫在眉睫。 所需技術(shù)需求簡(jiǎn)要描述：1.依據(jù)國(guó)產(chǎn)工業(yè)控制平臺(tái)的技術(shù)特 點(diǎn)和現(xiàn)有港口場(chǎng)景的業(yè)務(wù)需求和任務(wù)流程，搭建基于國(guó)產(chǎn)平臺(tái)的 物理架構(gòu)。對(duì)標(biāo) ABB、西門子等成熟平臺(tái)，主要考核指標(biāo)：每秒 至少處理 500 個(gè)任務(wù)、軟件響應(yīng)時(shí)間為毫秒級(jí)、支持多系統(tǒng)擴(kuò)展； 在國(guó)內(nèi)一流大港的集裝箱碼頭實(shí)現(xiàn)工程應(yīng)用。堆場(chǎng)效率不低于 30 循環(huán)/小時(shí)，人工介入率不高于 5%；與 ABB 或西門子等管控系 統(tǒng)下轄場(chǎng)橋設(shè)備實(shí)現(xiàn)同堆場(chǎng)組網(wǎng)、互聯(lián)互通以及無(wú)縫替代。2. 結(jié)合目標(biāo)工程研制測(cè)試驗(yàn)證平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)單機(jī)控制系統(tǒng)和堆場(chǎng)管控 系統(tǒng)的數(shù)字仿真測(cè)試、半物理仿真試驗(yàn)。為工程應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。 在測(cè)試驗(yàn)證基礎(chǔ)上，完成控制系統(tǒng)和管控系統(tǒng)迭代優(yōu)化，并實(shí)現(xiàn)在智慧港口的生產(chǎn)聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。主要考核指標(biāo)：（1）具備按目標(biāo)港 口實(shí)際實(shí)現(xiàn)三維場(chǎng)景快速搭建能力，具備多接口接受不同的數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)源的能力；（2）具備關(guān)鍵設(shè)備數(shù)據(jù)收集及數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)可視化展 示的能力；（3）軟件系統(tǒng)支持多客戶端計(jì)算機(jī)同時(shí)運(yùn)行（10+）； （4）系統(tǒng)支持第三方三維模型導(dǎo)入；（5）系統(tǒng)模型數(shù)量級(jí)不低 于在場(chǎng)箱 10 萬(wàn)，其他運(yùn)動(dòng)機(jī)械模型 1 萬(wàn)；可實(shí)現(xiàn)在場(chǎng)岸橋≥6 臺(tái)、場(chǎng)橋≥20 臺(tái)、AGV≥20 臺(tái)、集裝箱≥2 萬(wàn) TEU、年吞吐量 200 萬(wàn) TEU 規(guī)模集裝箱碼頭的模擬仿真。  對(duì)技術(shù)提供方的要求:1. 擁有完善的科研管理體系，符合國(guó) 標(biāo)的質(zhì)量管理體、環(huán)境與職業(yè)健康安全體系；2. 擁有與本項(xiàng)目 技術(shù)方向相關(guān)的省部級(jí)工程技術(shù)科研平臺(tái)及測(cè)試中心；3. 承擔(dān) 過本項(xiàng)目相關(guān)領(lǐng)域的國(guó)家級(jí)科研攻關(guān)項(xiàng)目；4. 設(shè)有碩士點(diǎn)、聯(lián) 合博士點(diǎn)和博士后研究工作站。