网上赌场真人发牌-澳门网上赌场空城

項(xiàng)目屬現(xiàn)代農(nóng)業(yè)技術(shù)領(lǐng)域，圍繞農(nóng)田信息快速感知、穩(wěn)定傳輸和精準(zhǔn)管控三大瓶頸難題，在植物養(yǎng)分/生理/病害信息快速感知，土壤水/鹽/養(yǎng)分特性多維快速測(cè)試，農(nóng)田復(fù)雜環(huán)境下信息無(wú)線穩(wěn)定傳輸，基于作物生長(zhǎng)需求的物聯(lián)網(wǎng)環(huán)境調(diào)控和肥水藥精準(zhǔn)管理等核心技術(shù)取得了重大突破，自主研制了系列產(chǎn)品和系統(tǒng)，總體達(dá)到了國(guó)際同類研究先進(jìn)水平，部分達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平。相關(guān)成果已經(jīng)在全國(guó)20 多個(gè)省市的農(nóng)田、果園與設(shè)施農(nóng)業(yè)等推廣應(yīng)用，取得了重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益，對(duì)推動(dòng)我國(guó)數(shù)字農(nóng)業(yè)和農(nóng)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。

高校科技成果盡在科轉(zhuǎn)云

本發(fā)明涉及一種深度脫除燃煤煙氣硫氧化物的系統(tǒng)及方法，所述系統(tǒng)包括濕法單塔高效脫硫系統(tǒng)、吸收劑噴射系統(tǒng)和濕式靜電煙氣凈化系統(tǒng)，所述濕法單塔高效脫硫系統(tǒng)與吸收劑噴射系統(tǒng)相連通，吸收劑噴射系統(tǒng)與濕式靜電煙氣凈化系統(tǒng)相連通，濕式靜電煙氣凈化系統(tǒng)與煙囪相連通。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)燃煤煙氣中SOx的綜合凈化，實(shí)現(xiàn)SOx超低排放，達(dá)到燃?xì)鈽?biāo)準(zhǔn)并可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)SO2和SO3的深度凈化，實(shí)現(xiàn)SOx排放濃度低于20mg/Nm3。

oneM2M是歐洲電信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)（ETSI）聯(lián)絡(luò)美國(guó)、中國(guó)、日本和韓國(guó)的通信標(biāo)準(zhǔn)化組織，成立國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織，共同開(kāi)展物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)層國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的制定。oneM2M協(xié)議是應(yīng)用層中的上層協(xié)議，以HTTP、CoAP、MQTT等協(xié)議作為通信載體，將自己的語(yǔ)義封裝在HTTP等應(yīng)用層協(xié)議之中。NB-IoT是3GPP針對(duì)低功耗廣覆蓋類業(yè)務(wù)而定義的新一代蜂窩物聯(lián)網(wǎng)接入技術(shù)，主要面向低速率、低時(shí)延、超低成本、低功耗、廣深覆蓋、大連接需求的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)，NB-IoT物聯(lián)網(wǎng)協(xié)議是低層協(xié)議，二者的關(guān)系如圖1所示。 圖1 協(xié)議體系關(guān)系圖 基于多協(xié)議轉(zhuǎn)換的研究以及系統(tǒng)模型方案的設(shè)計(jì)與分析，提出NB-IoT設(shè)備接入oneM2M的系統(tǒng)模型，如圖2所示。NB-IoT設(shè)備：搭載了NB-IoT芯片的一套設(shè)備，包含了數(shù)個(gè)傳感器。運(yùn)營(yíng)商服務(wù)器：負(fù)責(zé)接收NB-IoT設(shè)備數(shù)據(jù)包，并將其存放于平臺(tái)數(shù)據(jù)庫(kù)中。協(xié)議轉(zhuǎn)換節(jié)點(diǎn)：將NB-IoT設(shè)備信息接入oneM2M系統(tǒng)中的核心模塊。oneM2M平臺(tái)：具體保存資源以及對(duì)外展現(xiàn)資源的平臺(tái)。 圖2 NB-IoT設(shè)備接入oneM2M系統(tǒng)模型架構(gòu) 本成果基于NB-IoT和oneM2M標(biāo)準(zhǔn)，研究構(gòu)建的工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)全系統(tǒng)通用技術(shù)，包括基于NB-IoT硬件系統(tǒng)的嵌入式開(kāi)發(fā)及其低功耗的解決方案；NB-IoT終端與運(yùn)營(yíng)商云平臺(tái)系統(tǒng)的協(xié)同通信機(jī)制；運(yùn)營(yíng)商云平臺(tái)系統(tǒng)與oneM2M企業(yè)私有云平臺(tái)的通信機(jī)制；oneM2M工業(yè)企業(yè)的數(shù)據(jù)的統(tǒng)一表示，實(shí)現(xiàn)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)的深度人工智能應(yīng)用。

本發(fā)明涉及中藥領(lǐng)域一種治療痛經(jīng)的隔藥灸臍中藥組合物。解決了內(nèi)服中藥存在的止痛效果差、治療周期長(zhǎng)、口感差和針刺療法適用不廣泛的問(wèn)題。有效治療婦女痛經(jīng)，減輕婦女痛苦，提高婦女生活質(zhì)量；且用藥都為中藥，無(wú)毒副作用；采用隔藥灸臍的治療方法，具有簡(jiǎn)、便、驗(yàn)、廉、捷的優(yōu)點(diǎn)，集中了穴位、灸法、藥物的多重作用，具有顯效快、療效確切、無(wú)痛苦的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明提供了一種有效、安全且無(wú)痛苦的治療痤瘡的外用中藥組合物及制備方法，直接作用于病變部位，治療痤瘡，具有簡(jiǎn)、便、廉、驗(yàn)、捷的特點(diǎn)，便于臨床推廣應(yīng)用。

本發(fā)明公開(kāi)了一種鹵代有機(jī)固體污染物的處理方法，包括將過(guò)硫酸鹽與鹵代有機(jī)污染物混合后加入到球磨罐中，然后采用直徑不等的多個(gè)磨球在常溫常壓條件下執(zhí)行研磨處理。

聚合物超細(xì)微粉是經(jīng)過(guò)一定工藝過(guò)程制備的具有微米到納米尺寸的聚合物粉體材料，具有獨(dú)特的性能，應(yīng)用廣泛。然而由于聚合物強(qiáng)韌性、低軟化溫度，實(shí)現(xiàn)聚合物的超微細(xì)化難度較高。傳統(tǒng)的機(jī)械粉碎法能耗高，對(duì)強(qiáng)韌性聚合物需深冷粉碎，有時(shí)需引入酸堿介質(zhì)，且達(dá)到的粒度有限。本項(xiàng)目利用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的固相磨盤形力化學(xué)反應(yīng)器獨(dú)特結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的強(qiáng)大擠壓剪切力或在優(yōu)選的助磨劑共同作用下實(shí)現(xiàn)脆性、彈性和強(qiáng)韌性聚合物如PP、PS、PE、PA6、SBS等的有效粉碎，可制備粒度可達(dá)微米級(jí)的單一聚合物超細(xì)微粉、混合聚合物超細(xì)微粉、聚合物共混物超細(xì)微粉以及聚合物/無(wú)機(jī)物復(fù)合超細(xì)微粉。

物科院趙云山教授在低維材料熱電輸運(yùn)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。熱電材料通過(guò)將環(huán)境中廢熱直接轉(zhuǎn)為有效可利用的電能，為當(dāng)前能源危機(jī)提供了一種可持續(xù)、綠色便捷的能源補(bǔ)給途徑，如何提高熱電材料熱電特性成為學(xué)者不斷討論和研究的話題。二維半導(dǎo)體材料作為后硅半導(dǎo)體時(shí)代重要部分，其具有較高載流子遷移率和較大的有效電子質(zhì)量，其在熱電領(lǐng)域中應(yīng)用近年來(lái)也引起了廣泛關(guān)注。在該工作中，研究人員報(bào)道了“能帶工程”可以顯著提高新型二維半導(dǎo)體材料PdSe2的熱電特性，其功率因子可高達(dá)1.5 mWm-1K-2。通過(guò)退火處理可以降低接觸電阻，同時(shí)能夠有效去除雜質(zhì)缺陷和有機(jī)物殘余。研究人員把熱電器件在480K環(huán)境中退火4個(gè)小時(shí)，發(fā)現(xiàn)PdSe2導(dǎo)電性提高了將近10倍，同時(shí)電子載流子遷移率達(dá)到210 cm2V-1S-1，最終熱電因子提高了將近3倍。通過(guò)對(duì)比不同厚度的PdSe2樣品熱電特性，研究人員發(fā)現(xiàn)，越薄的PdSe2呈現(xiàn)出更好的導(dǎo)電和熱電特性。第一性模擬計(jì)算證實(shí)，隨著厚度降低，導(dǎo)帶中有額外的能帶出現(xiàn)，兩個(gè)能級(jí)發(fā)生了簡(jiǎn)并，從而提供更多電子態(tài)密度和創(chuàng)造更多電子通道。考慮PdSe2晶格低對(duì)稱性導(dǎo)致的較低熱導(dǎo)率，研究人員預(yù)測(cè)室溫下其ZT可達(dá)0.1，優(yōu)越于目前報(bào)道的其他二維半導(dǎo)體材料。此研究證實(shí)，熱退火處理和“維度工程”能顯著提高材料的新型二維半導(dǎo)體PdSe2熱電特性，從而為當(dāng)前不斷涌現(xiàn)的二維半導(dǎo)體材料在低維熱電領(lǐng)域提供了新思路。該工作對(duì)于探索低維材料應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)自供電領(lǐng)域具有深遠(yuǎn)意義。

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問(wèn)題越來(lái)越成為制約的瓶頸問(wèn)題。特別是在即將到來(lái)的萬(wàn)物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來(lái)龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來(lái)越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無(wú)法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對(duì)極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級(jí)以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過(guò)超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。