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本發(fā)明公開了一種零中頻全雙工收發(fā)機的數(shù)字自干擾消除方法，該方法主要應(yīng)用于數(shù)字自干擾消除器內(nèi)，根據(jù)接收端采樣后得到的數(shù)字信號，以及發(fā)射端已知的數(shù)字波形，對收發(fā)機信號傳輸鏈路中的自干擾進行估計。該方法可消除理想元器件下發(fā)射機產(chǎn)生的自干擾，由發(fā)射鏈上變頻調(diào)制器和接收鏈下變頻解調(diào)器的IQ不平衡產(chǎn)生的鏡像自干擾，由發(fā)射鏈功放失真產(chǎn)生的非線性自干擾，以及IQ不平衡和功放失真聯(lián)合導(dǎo)致的鏡像非線性自干擾。該方法相比較于傳統(tǒng)的增廣復(fù)數(shù)LMS算法，可以在發(fā)射信號功率較大時仍獲得理想的自干擾消除效果和較快的收斂速度，具有很強的實用性。

本實用新型公開了一種填充高溫相變材料的自熱型重整制氫反應(yīng)器。該自熱型重整制氫反應(yīng)器從上至下依次由上表面設(shè)有甲醇水蒸氣重整反應(yīng)物進口管和甲醇催化燃燒反應(yīng)物進口管的上蓋板、石墨墊片、上蒸發(fā)板、石墨墊片、下蒸發(fā)板、石墨墊片、下表面填充有高溫相變材料的甲醇重整制氫吸熱板、密封板、石墨墊片、下表面填充有高溫相變材料的甲醇催化燃燒板、石墨墊片和下表面設(shè)有燃燒尾氣出口管和燃燒尾氣出口管的下蓋板層疊而成。本實用新型利用高溫相變材料的相變潛熱，有效提高自熱反應(yīng)器的熱穩(wěn)定性，減少反應(yīng)器內(nèi)部的溫度梯度與反應(yīng)器工作時的溫度波動，抑制由反應(yīng)器過熱造成的催化劑活性下降與脫落，提高反應(yīng)器的熱效率與甲醇轉(zhuǎn)換率。

本發(fā)明公開了一種基于分數(shù)階的永磁同步電機速度環(huán)控制參數(shù)的自整定方法，其通過利用分數(shù)階 PI 控制器代替永磁同步電機交流伺服系統(tǒng)中的整數(shù)階 PI 控制器，并自動地整定所述分數(shù)階 PI 控制器的參數(shù)，實現(xiàn)對永磁同步電機交流伺服系統(tǒng)的控制，該方法具體包括：首先采集所述交流伺服系統(tǒng)的電流與速度信號；其次，根據(jù)所述采集信號，辨識永磁同步電機伺服系統(tǒng)速度環(huán)被控對象模型，識別出模型的參數(shù)；最后，對控制參數(shù)進行尋優(yōu)整定，獲得最優(yōu)的控制參數(shù)。本發(fā)明的方法利用分數(shù)階 PI 控制器取代原有的整數(shù)階 PI 控制器，并自動地

本發(fā)明公開了一種通過自底向上填充實現(xiàn)通孔互聯(lián)的方法，包括：（a）在基片的一個表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生長絕緣層、阻擋層和種子層；（c）向種子層表面上涂布光刻膠并填平盲孔，然后執(zhí)行曝光及顯影處理，以使光刻膠僅在盲孔底部的種子層表面上殘留；（d）去除未覆蓋光刻膠的種子層，而盲孔底部的種子層不受影響；（e）去除殘留的光刻膠；（f）向盲孔中填充導(dǎo)電材料完成自底向上的生長；（g）減薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互聯(lián)過程。本發(fā)明還公開了相應(yīng)的通孔互聯(lián)結(jié)構(gòu)產(chǎn)品。通過本發(fā)明

開展適應(yīng)于不同圍巖條件的開敞式TBM施工技術(shù)研究，在多項重大工程中成功應(yīng)用。

全三維粒子模擬軟件CHIPIC是國家*63計劃*03主題支持項目“***粒子模擬軟件研發(fā)”的主要研究內(nèi)容，其研究目的是在堅實理論基礎(chǔ)指導(dǎo)下，深入開展強波粒相互作用理論及HPM和HPMM相關(guān)理論研究，建立強流相對論互作用的理論體系，為高功率微波器件理論研究提供一款實用的粒子模擬軟件。 因為粒子模擬軟件在軍事領(lǐng)域有重大應(yīng)用價值，國外的一些先進粒子模擬軟件對我國是禁運的（如美國的MAGIC），從而一些內(nèi)部技術(shù)對我國也是封閉的。本軟件是完全依靠國內(nèi)的自身條件研制完成的，是具有完全知識產(chǎn)權(quán)的軟件。由本軟件運算的準確性（與國外軟件比較驗證）可以證明本成果使用的技術(shù)線路是完全可與國外軟件媲美的。 該項目完成了三維電磁粒子模擬理論與算法、軟件設(shè)計、軟件測試等研究內(nèi)容，突破了高效并行計算、大尺度結(jié)構(gòu)建模、三維PIC/MCC混合算法等關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)計了友好的圖形化輸入界面及多窗口輸出界面，形成了功能完整的CHIPIC3D模擬軟件。并最終應(yīng)用于對高功率微波源、真空電子學(xué)太赫茲源、脈沖功率真空器件等進行三維粒子模擬。 該項目主要技術(shù)指標如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標系下實現(xiàn)了三維FDTD及粒子算法，能對各種對稱、非對稱結(jié)構(gòu)的高功率微波源及太赫茲波源器件進行三維粒子模擬，模擬結(jié)果與實驗吻合。2.采用基于消息交換與共享內(nèi)存相結(jié)合的并行計算方法，使加速比達到30以上;3.采用分段建模并行計算的方法，能對30米以上大尺度精細結(jié)構(gòu)進行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應(yīng)用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質(zhì)表面二次電子倍增、氣體放電及介質(zhì)表面擊穿等復(fù)雜物理問題；5.采取面向?qū)ο蟮姆椒ǎ芴峁┯押玫膱D形化的輸入界面及多窗口輸出界面。 目前該軟件已在中國工程物理研究院流體物理研究所、中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所、北京應(yīng)用物理與計算數(shù)學(xué)研究所、國營第七七二廠、四川大學(xué)電子信息學(xué)院、西南交通大學(xué)等單位應(yīng)用。從軍事應(yīng)用角度來看，該軟件將縮短我國高功率微波源的研究周期，從而加快我國軍隊相關(guān)武器裝備的研究進程；從經(jīng)濟效益角度來看，該軟件避免了大量的重復(fù)加工及重復(fù)試驗，節(jié)約了大量的人力物力，從而為用戶單位帶來巨大的經(jīng)濟效益。

一種具有溫度補償?shù)膶挏囟热停希与妷夯鶞试矗O(shè)有啟動電路、基準核心電路、由溫度檢測電路、溫度邏輯開啟電路和高低溫溫度補償電路構(gòu)成的溫度補償電路。啟動電路向基準核心電路注入電流使其正常工作，基準核心電路基于閾值電壓和熱電壓的一階溫度補償原理，采用ＣＭＯＳ型自偏置電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生電流并經(jīng)過有源負載產(chǎn)生基準電壓ＶＲＥＦ，溫度檢測電路提取ＭＯＳ器件的閾值電壓進行溫度檢測，經(jīng)溫度補償邏輯開啟電路進行邏輯處理后輸出給高低溫溫度補償電路，高低溫溫度補償電路針對對不同的工作溫度范圍進行補償并將補償結(jié)果反饋耦合到基準核心電路輸出的基準電壓中，實現(xiàn)寬溫度工作條件下低溫度系數(shù)和高電源抑制比的全ＭＯＳ電壓基準源。

成果描述：該技術(shù)與磷酸二氫鉀技術(shù)類似，采用濕法稀磷酸為原料，用溶劑萃取磷酸，得到凈化稀磷酸，再用氨中和，經(jīng)過濾、濃縮、結(jié)晶得到全水溶MAP。該技術(shù)的優(yōu)點是P2O5萃取率高，原料酸中80 %的P2O5進入到產(chǎn)品中。自動化程度高、產(chǎn)品質(zhì)量好、可大規(guī)模工業(yè)化，適合大型磷肥企業(yè)，走肥鹽結(jié)合道路。市場前景分析：磷酸二氫銨主要用作肥料和木材、紙張、織物的防火劑、滅火劑、阻燃劑、玻璃材料、磷酸鐵鋰材料和基體改進劑，也用于制藥和反芻動物飼料添加劑。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：產(chǎn)品磷酸二氫銨為白色粒狀晶體。磷酸二氫銨含量在99.0 %以上，相對密度1.803，熔點190 °C，易溶于水，1 %水溶液pH值為4.5。國際先進。

該項目主要技術(shù)指標如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標系下實現(xiàn)了三維FDTD及粒子算法，能對各種對稱、非對稱結(jié)構(gòu)的高功率微波源及太赫茲波源器件進行三維粒子模擬，模擬結(jié)果與實驗吻合。2.采用基于消息交換與共享內(nèi)存相結(jié)合的并行計算方法，使加速比達到30以上;3.采用分段建模并行計算的方法，能對30米以上大尺度精細結(jié)構(gòu)進行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應(yīng)用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質(zhì)表面二次電子倍增、氣體放電及介質(zhì)表面擊穿等復(fù)雜物理問題；5.采取面向?qū)ο蟮姆椒ǎ芴峁┯押玫膱D形化的輸入界面及多窗口輸出界面。