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近年來(lái),半導(dǎo)體光源正以新型固體光源的角色逐步進(jìn)入照明領(lǐng)域。由于半導(dǎo)體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)、易維護(hù)等顯著優(yōu)點(diǎn),所以在國(guó)際上被公認(rèn)為最有可能進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價(jià)格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導(dǎo)體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢(shì)所趨。而半導(dǎo)體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡(jiǎn)稱(chēng)LED）被認(rèn)為是最有可能進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學(xué)原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點(diǎn),因此被譽(yù)為21 世紀(jì)新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點(diǎn)，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國(guó)內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進(jìn)口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)。而即便是散熱好，壽命長(zhǎng)，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國(guó)內(nèi)所能達(dá)到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費(fèi)了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國(guó)外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國(guó)內(nèi)水平，所以基本壟斷國(guó)內(nèi)LED的市場(chǎng)，尤其對(duì)于功率型白光LED的壟斷相當(dāng)嚴(yán)重。而這些高亮度半導(dǎo)體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國(guó)Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場(chǎng),其光效需要達(dá)到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時(shí)還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計(jì)制作過(guò)程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時(shí)候，有相當(dāng)一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹(shù)脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過(guò)特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達(dá)到2萬(wàn)小時(shí)以上，而且可以使發(fā)光效率達(dá)到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長(zhǎng)壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個(gè)照明市場(chǎng)，必將產(chǎn)生豐厚的利潤(rùn)，具有非常好的發(fā)展前景。

中心通過(guò)“裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新”，創(chuàng)新發(fā)展了具有自主產(chǎn)權(quán)的大科學(xué)裝置—MOCVD高端裝備，并在硅襯底上生長(zhǎng)第三代半導(dǎo)體InGaN黃光LED材料，取得了歷史性突破，將黃光LED的光效由國(guó)際上報(bào)道的不足10%，提升到了27.9%，結(jié)束了國(guó)際市場(chǎng)上長(zhǎng)期缺乏高光效黃光LED的局面。國(guó)際同行、諾貝爾獎(jiǎng)獲得者中村修二教授高度稱(chēng)贊這項(xiàng)成果：“硅基黃光LED的技術(shù)水平國(guó)際領(lǐng)先，這是屬于中國(guó)人首次發(fā)明的照明技術(shù)，它有非常大的價(jià)值。”陳良惠院士領(lǐng)銜的12位業(yè)內(nèi)專(zhuān)家，對(duì)

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片。該芯片包括面陣電控液晶雙模微透鏡；其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姌O層、電絕緣層、第二電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒐搽姌O層、第二基片和第二增透膜；第一電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的圓孔的一層勻質(zhì)石墨烯膜構(gòu)成，公共電極層和第二電極層分別由一層與第一電極層同質(zhì)的勻質(zhì)石

光梓科技是一家專(zhuān)業(yè)從事高速低功耗模擬光電子集成電路芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。項(xiàng)目?jī)?yōu)勢(shì)：1）高速低功耗模擬IC芯片在光模塊的應(yīng)用中有較大的成長(zhǎng)空間且處于快速發(fā)展的階段。2）公司擁有自己獨(dú)特的多項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)，公司研發(fā)的CMOS全兼容高速低功耗光電子集成電路芯片目前處在全球領(lǐng)先水平，技術(shù)和產(chǎn)品的壁壘都很高。 3）與多個(gè)重量級(jí)客戶(hù)已建立深度溝通與合作機(jī)制，未來(lái)3年光梓科技的業(yè)績(jī)確定性較高，且每年保持高增速是大概率事件。4）國(guó)際化的團(tuán)隊(duì)。創(chuàng)始人史方博士和姜培教授長(zhǎng)期在光電子集成電路領(lǐng)域耕耘多年，分別是成功企業(yè)家和技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的國(guó)際級(jí)專(zhuān)家。點(diǎn)擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺(tái)進(jìn)行溝通對(duì)接！

光伏組件生產(chǎn)仿真實(shí)訓(xùn)讓學(xué)員以車(chē)間技術(shù)人員的身份參與晶硅光伏組件的生產(chǎn)工作。學(xué)員按標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程操作車(chē)間生產(chǎn)設(shè)備、檢測(cè)生產(chǎn)樣品以及了解生產(chǎn)車(chē)間的運(yùn)作與問(wèn)題返工流程。 一.1.1. 場(chǎng)景設(shè)計(jì) 場(chǎng)景由組件生產(chǎn)車(chē)間、材料準(zhǔn)備區(qū)、固化房、分選檢測(cè)區(qū)組成。場(chǎng)景素材從多個(gè)真實(shí)工廠采集而來(lái)，高保真還原車(chē)間設(shè)備與生產(chǎn)流程 場(chǎng)景模型主要包括：流水線傳送帶、全自動(dòng)玻璃吸附機(jī)、EVA自動(dòng)鋪設(shè)機(jī)、串焊機(jī)、排列機(jī)、自動(dòng)緩存機(jī)、EVA/TPT裁剪鋪設(shè)機(jī)、EL檢測(cè)儀、層壓機(jī)、全自動(dòng)修邊機(jī)、翻轉(zhuǎn)檢查機(jī)、全自動(dòng)裝框機(jī)、灌膠機(jī)、全自動(dòng)固化房、絕緣檢測(cè)儀、組件IV分選檢測(cè)儀、電烙鐵。材料模型包括：鋼化玻璃、EVA、TPT、焊帶、156多晶太陽(yáng)電池片、鋁合金邊框、玻璃膠、接線盒、助焊劑、MC4接頭等... 一.1.2. 互動(dòng)設(shè)計(jì) 第一人稱(chēng)視角控制主角場(chǎng)景漫游，學(xué)員可以在三維空間中自由活動(dòng)和觀察場(chǎng)景中的物體。 主角走到生產(chǎn)線相關(guān)崗位內(nèi)，出現(xiàn)信息提示，點(diǎn)擊彈出全息UI，動(dòng)態(tài)圖文與人工智能語(yǔ)音相結(jié)合提示關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn) 與車(chē)間工程師對(duì)話了解生產(chǎn)相關(guān)知識(shí) 學(xué)員可操作車(chē)間里的檢測(cè)設(shè)備，發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并進(jìn)行問(wèn)題組件返工。

光伏組件質(zhì)量檢測(cè)仿真實(shí)訓(xùn)讓學(xué)員在虛擬場(chǎng)景中學(xué)習(xí)根據(jù)IEC61215標(biāo)準(zhǔn)使用各種檢測(cè)設(shè)備對(duì)組件進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，從而了解組件的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)以及發(fā)現(xiàn)組件典型缺陷。 一.1.1. 場(chǎng)景設(shè)計(jì) 根據(jù)IEC61215檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)要求設(shè)計(jì)18個(gè)檢測(cè)場(chǎng)景，包括： 1 組件外觀檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室 2 最大功率檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室 3 絕緣檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室 4 溫度系統(tǒng)檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室 5 標(biāo)稱(chēng)工作溫度檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室 6 STC和NOCT下的性能檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室 7 低輻照度下的性能檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室 8 室外曝曬試驗(yàn)場(chǎng) 9 熱斑耐久試驗(yàn)室 10 紫外線試驗(yàn)室 11 熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)室 12 濕凍試驗(yàn)室 13 濕熱試驗(yàn)室 14 牽引力實(shí)驗(yàn)室 15 濕漏電實(shí)驗(yàn)室 16 機(jī)械載荷實(shí)驗(yàn)室 17 冰雹撞擊實(shí)驗(yàn)室 18 旁路二級(jí)管試驗(yàn)室 場(chǎng)景模型主要包括：實(shí)驗(yàn)室建筑場(chǎng)景、外觀檢測(cè)臺(tái)、156多晶光伏組件、組件箱、工作臺(tái)、電腦、組件支架、IV檢測(cè)儀、EL檢測(cè)儀、高低溫濕熱交變?cè)囼?yàn)箱、濕漏電流測(cè)試儀及噴淋試驗(yàn)箱、鹽霧腐蝕儀、紫外老化試驗(yàn)箱、機(jī)械載荷試驗(yàn)機(jī)、旁路二極管熱性能試驗(yàn)儀、落球沖擊測(cè)試裝置、環(huán)境檢測(cè)儀、室外環(huán)境監(jiān)測(cè)儀、直流電源、萬(wàn)用表、光度計(jì)、數(shù)碼相機(jī)等...

本發(fā)明公開(kāi)了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)的收光方法，該收光 測(cè)試方法包括如下步驟:待測(cè)試芯片被移動(dòng)至積分球收光口的上方; 設(shè)置于積分球下方的積分球升降裝置向上運(yùn)動(dòng)，使所積分球的收光口 對(duì)準(zhǔn)所述待測(cè)試的倒裝 LED 芯片的發(fā)光側(cè)，并且使設(shè)置于積分球收光 口處的板片貼緊裝載待測(cè)試倒裝 LED 芯片的盤(pán)片。按照本發(fā)明設(shè)計(jì)的 收光測(cè)試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的 問(wèn)題，具有高的收光精度，尤其與倒裝

本發(fā)明公開(kāi)了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)的收光測(cè)試組件，該 收光測(cè)試組件包括積分球組件和光學(xué)測(cè)試組件，其中積分球組件包括 積分球模塊、積分球夾具、積分球升降裝置;其中積分球模塊包括積 分球、積分球 90°轉(zhuǎn)接頭，積分球的開(kāi)口設(shè)置有石英玻璃，其設(shè)置方 式是采用石英玻璃夾具套設(shè)在積分球的收光口處，其中石英玻璃夾具呈圓筒狀，其內(nèi)側(cè)在略高于收光口的上方設(shè)置有凸臺(tái)，用于放置固定 石英玻璃。按照本發(fā)明設(shè)計(jì)的收光測(cè)試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片測(cè)試探針

本發(fā)明公開(kāi)了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)的收光方法，該收光 測(cè)試方法包括如下步驟：待測(cè)試芯片被移動(dòng)至積分球收光口的上方； 設(shè)置于積分球下方的積分球升降裝置向上運(yùn)動(dòng)，使所積分球的收光口 對(duì)準(zhǔn)所述待測(cè)試的倒裝 LED 芯片的發(fā)光側(cè)，并且使設(shè)置于積分球收光 口處的板片貼緊裝載待測(cè)試倒裝 LED 芯片的盤(pán)片。按照本發(fā)明設(shè)計(jì)的 收光測(cè)試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的 問(wèn)題，具有高的收光精度，尤其與倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置配合使 用，能夠顯著提高性能，實(shí)現(xiàn)倒裝 LED 芯片的

托布帶：克重4600g/㎡，厚度10mm 吸油氈：厚度10~20mm 適用于：人造毛皮行業(yè)，毛紡行業(yè)，燙光機(jī)、燙剪機(jī)以及各類(lèi)進(jìn)口、國(guó)產(chǎn)機(jī)械以上產(chǎn)品規(guī)格根據(jù)客戶(hù)需求均可定制。