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（專利號(hào)：ZL 201410168888.X） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種基于耦合電感的兩相交錯(cuò)并聯(lián)變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域，它包括直流輸入源，兩個(gè)功率開關(guān)管，兩個(gè)帶有兩個(gè)繞組的耦合電感，三個(gè)單向整流二極管，一個(gè)輸出二極管，一個(gè)箝位電容，兩個(gè)中間儲(chǔ)能電容，一個(gè)輸出濾波電容。本發(fā)明具有較高的升壓能力，能夠?qū)崿F(xiàn)更高升壓比的輸出，功率開關(guān)管和二極管的峰值電壓應(yīng)力也有所降低，同時(shí)利用耦合電感的漏感實(shí)現(xiàn)功率開關(guān)管的零電流開通和二極管的關(guān)斷，這樣整個(gè)變換電路的轉(zhuǎn)換效率得到了提高，并采用兩相交錯(cuò)并聯(lián)的控制方式降低輸入電流紋波。

開發(fā)了一款300W的可以與光伏板背板接線盒完全集成的光伏能量?jī)?yōu)化器，達(dá)到的效果：效率98%，可以追蹤光伏最大功率，可以適用于多種負(fù)載（逆變器、孤島負(fù)載、儲(chǔ)能負(fù)載等）。技術(shù)特點(diǎn)及創(chuàng)新點(diǎn)（1）功率密度大，可以和現(xiàn)有光伏電池板完全集成（2）快速追蹤光伏最大功率，無(wú)凈差（3）自動(dòng)判別不同負(fù)載，針對(duì)負(fù)載情況快速切換運(yùn)行狀態(tài)應(yīng)用領(lǐng)域： 新能源   

在這種獨(dú)特的vdW p?g?n結(jié)中，互補(bǔ)帶隙的MoTe2和SnS2、石墨烯夾層、結(jié)內(nèi)形成的垂直內(nèi)置電場(chǎng)的組合為增強(qiáng)的寬帶光吸收、高效的激子分離和載流子轉(zhuǎn)移提供了無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。研究發(fā)現(xiàn)，石墨烯夾層在增強(qiáng)探測(cè)率和拓寬光譜范圍方面起到關(guān)鍵作用(圖2e)。優(yōu)化的器件(包含5?7層石墨烯夾層)在紫外?可見?近紅外光譜中顯示出超過(guò)2600 A/W的光響應(yīng)度(圖2b)、快的光響應(yīng)速度(圖2c)、高達(dá)1013 Jones的比探測(cè)率 (圖2d)。特別是在1550 nm短波紅外激發(fā)下，其比探測(cè)率也高達(dá)1.06×1011 Jones，可媲美商業(yè)的短波紅外探測(cè)器(譬如非??制冷的Ge-on-Si光電探測(cè)器)。 這些研究結(jié)果為寬帶的超高性能光電探測(cè)器提供了切實(shí)可行的思路，且本研究成果在目前寬光譜光電探測(cè)器件方面以及未來(lái)的柔性的光電子與智能傳感器件方面具有極大的應(yīng)用潛力。

310mm×250mm×280mm，偏振片一對(duì)，不同部位用不同的層數(shù)，顯示不同的彩色。

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介        光纖通信作為一門新興技術(shù)，它具有容量大、中繼距離長(zhǎng)、保密性好、不受電磁干擾和節(jié)省銅材等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái)發(fā)展速度快，已被廣泛應(yīng)用到軍事通信、民用通信等各種領(lǐng)域，是世界新技術(shù)革命的重要標(biāo)志和未來(lái)信息社會(huì)中各種信息的主要傳送工具。在光纖的使用過(guò)程中，光纖線路的耦合對(duì)于其中光功率的傳輸至關(guān)重要。其中存在著兩種主要的系統(tǒng)問(wèn)題：1、如何從多種類型的發(fā)光光源將光功率耦合進(jìn)一根特定的光纖；2、如何將光功率從一個(gè)光纖發(fā)射出來(lái)后經(jīng)過(guò)特定的裝置耦合進(jìn)另外一根光纖。光無(wú)源器件是光纖通信設(shè)備的重要組成部分。它是一種光學(xué)元器件，也是其它光纖應(yīng)用領(lǐng)域不可缺少的元器件。該實(shí)驗(yàn)儀重點(diǎn)介紹了常用的光無(wú)源器件的相關(guān)參數(shù)及測(cè)試方法。為此公司研制出本實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，讓學(xué)生了解和認(rèn)識(shí)光纖耦合的相關(guān)參數(shù)和特性、光無(wú)源器件的相關(guān)參數(shù)及測(cè)試方法等，通過(guò)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的搭建，可以讓學(xué)生更深刻的了解，也能鍛煉學(xué)生校準(zhǔn)光路等方面的動(dòng)手能力，是學(xué)校金工實(shí)習(xí)（工程實(shí)習(xí)）與工程檢測(cè)的不二之選。 二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 650nm激光器與光纖耦合實(shí)驗(yàn) 1550nm光纖激光器與光纖耦合實(shí)驗(yàn) 相同模式光纖之間耦合實(shí)驗(yàn) 不同模式光纖之間耦合實(shí)驗(yàn) 光源與顯微物鏡及準(zhǔn)直器耦合特性對(duì)比實(shí)驗(yàn) 光纖轉(zhuǎn)換器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖變換器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖耦合器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖隔離器特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 波分復(fù)用器和解復(fù)用器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 可調(diào)光纖衰減器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖機(jī)械光開關(guān)特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖偏振控制器特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖偏振分束器（PBS）性能能參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn) 不同種類光纖、光纜及光器件認(rèn)知和操作實(shí)驗(yàn) 熔接機(jī)原理及使用實(shí)訓(xùn)操作實(shí)驗(yàn) 剝纖、清潔、切纖及光纖接續(xù)實(shí)訓(xùn)操作實(shí)驗(yàn) 手動(dòng)模式下，光纖熔接實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn) 自定義模式下，光纖熔接實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn) 光纖端面處理基本操作實(shí)驗(yàn) 光纖耦合技術(shù)基本操作實(shí)驗(yàn) 光纖耦合技術(shù)基本操作實(shí)驗(yàn) 光功率耗損法對(duì)光纖熔接質(zhì)量測(cè)試 三、實(shí)驗(yàn)配置參數(shù) 1、光源：波長(zhǎng)1310±20nm，1550±20nm；輸出功率：1-2.5mw，連續(xù)可調(diào)；輸出端口：FC/PC；穩(wěn)定性＜0.5db（5h）；光源類型：LD光源； 2、光功率計(jì)：波長(zhǎng)范圍800-1700nm；輸入接口：FC 校準(zhǔn)波長(zhǎng)：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入損耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波損耗＞65dB； 4、光纖機(jī)械光開關(guān)：插入損耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波損耗＞50dB ；開關(guān)速度：≦8ms ； 5、高隔離度光纖隔離器：最大插入損耗：0.35dB ；回波損耗：≧50dB ；隔離度：≧30dB ； 6、光纖耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入損耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纖波分復(fù)用器：隔離度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入損耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纖可調(diào)衰減器：0-30db可調(diào)； 9、軟件：配套儀器使用，數(shù)據(jù)采集處理； 10、光纖熔接機(jī)：適用光纖：SM (單模), MM (多模), DS (色散位移)光纖, NZDS (非零色散位移，即G.655光纖)，BIF/UBIF（G.657）； 光纖切割長(zhǎng)度：8-16mm, 被覆光纖直徑250µm，16mm，被覆光纖直徑250µm-1000µm；平均接續(xù)損耗：0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS)；顯示：高性能5.6英寸彩色LCD顯示屏，提供清晰的數(shù)字圖像顯示；電極壽命：2500次；鋰電池容量：典型熔接250次，充電時(shí)間3小時(shí)，可在充電時(shí)使用；電源：交流適配器輸入電壓100-240V  50／60Hz，輸出電壓：DC13.5V /5A，直流輸入電壓11.1v ( 內(nèi)置鋰電池8800mAh )； 四、實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 1、了解光纖連接器及其原理、種類，實(shí)驗(yàn)操作進(jìn)行連接器參數(shù)測(cè)量； 2、掌握光纖頭平端面的處理技術(shù)。 3、掌握光纖之間的耦合、調(diào)試技術(shù)，了解光纖橫向和縱向偏差對(duì)光纖耦合損耗的影響。 4、掌握光纖熔接的基本技術(shù)。 5、熟悉光纖型號(hào)及結(jié)構(gòu)，掌握其裝配方法、使用環(huán)境及保護(hù)措施等；

本發(fā)明涉及提出一種無(wú)機(jī)鈣鈦礦光晶體管結(jié)構(gòu)的紫外探測(cè)器。基底(1)為玻璃基底，在基底(1)上制備CsPbX3薄膜(2)作為有源層，在CsPbX3薄膜(2)表面制備同物質(zhì)的CsPbX3量子點(diǎn)(5)摻雜的PMMA有機(jī)層(4)作為柵絕緣層，以此為紫外光感應(yīng)窗口；薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)分別位于CsPbX3薄膜(2)上的兩邊，F(xiàn)TO柵極(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中間，在薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)和FTO柵極(6)調(diào)制下，獲得光生載流子分離、轉(zhuǎn)換的電信號(hào)讀取、放大的集成功能，以實(shí)現(xiàn)高響應(yīng)度的紫外信號(hào)探測(cè)。光晶體管探測(cè)器可采用如圖1所示的頂柵結(jié)構(gòu)，也可以采用如圖2所示的底柵結(jié)構(gòu)。以上兩種結(jié)構(gòu)可制備在玻璃基板上，也可以制備在柔性基板上形成底柵或頂柵結(jié)構(gòu)的柔性光晶體管紫外探測(cè)器。

通過(guò)分子設(shè)計(jì)在高分子光電探測(cè)器中實(shí)現(xiàn)活性層的垂直相分離控制，有效降低負(fù)偏壓下的暗電流從而提高光探測(cè)器的探測(cè)度。具體上，課題組基于具有優(yōu)異光伏性能的苯并二噻吩（BDT）為主鏈構(gòu)建單元，通過(guò)在側(cè)鏈引入共軛的3,4-乙撐二氧噻吩（EDOT）作為給體單元，與以噻吩并吡咯二酮TPD為受體單元共聚，合成了高分子PBT(EDOT)? 與噻吩側(cè)鏈的高分子PBT（TH）相比，PBT(EDOT)器件負(fù)偏壓下的暗電流密度降低了2個(gè)數(shù)量級(jí)以上，而其光伏性能沒有顯著下降（圖1）。并且，探測(cè)器在±2.0V時(shí)具有非常高的整流比，暗電流的比值達(dá)到106-107，說(shuō)明該探測(cè)器具有非常優(yōu)異的二極管特性。在-0.2 V時(shí)，PBT(EDOT)器件暗電流密度可以達(dá)到1.6 × 10-10 A cm-2。暗電流的降低，使PBT(EDOT)光探測(cè)器在光譜響應(yīng)區(qū)內(nèi)可以獲得1013 Jones以上的探測(cè)度。與之相對(duì)的是，基于PBT(TH)的探測(cè)器，其探測(cè)度始終在1.1 × 1012 Jones以下的水平（圖2a）。此外，由于暗電流的減小，PBT(EDOT)器件對(duì)于弱光的探測(cè)敏感性大大提高，可以探測(cè)到光強(qiáng)在1 pW cm-2以下的弱光（圖2b）。該項(xiàng)工作已申請(qǐng)PCT專利，課題組將進(jìn)一步開發(fā)高分子光探測(cè)器在傳感、光通訊等方面的實(shí)際應(yīng)用。

120mm×80mm×110mm，紅、綠、藍(lán)三色光源亮度可調(diào)，學(xué)生可分組探究光的三原色合成。