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一種通過用膠帶預處理生長基底來合成單層二硫化鉬枝晶的方法
一種通過用膠帶預處理基底來氣相沉積生長單層MoS 2 枝晶的方法，有意在初始成核階段和/或生長過程中引入孿晶缺陷，實現單層MoS 2 樹枝晶的形貌調控。所得的MoS 2 晶體具有六次對稱的骨架，分枝數可調。其形狀的演化過程是由膠黏劑種子誘導的雙晶缺陷形核和局部硫/鉬源蒸氣比的協同效應所引起的。此外，由于硫空位的富集，極大地增強了循環孿晶區的光致發光效率。該工作為合成可控形狀的單層MoS 2 提供了一種簡便有效的策略，同時也為理解孿晶缺陷的生長機制以及在其電催化和光電催化等領域的應用做出了貢獻。
南方科技大學
2021-04-13
多孔銅鋅合金中的親鋰鋅位點誘導金屬鋰的均勻成核與無枝晶沉積
三維（3D）親鋰集流體可以調節鋰金屬負極中鋰枝晶生長，然而目前大部分集流體的親鋰層在高溫環境下使用熔融法預儲存鋰時面臨著熔化或脫落的挑戰。針對該問題，鄧永紅研究團隊通過簡單的去合金法制備了一種帶有親鋰鋅位點的3D多孔CuZn合金集流體。由于親鋰鋅位點以量子點的形式存在于CuZn合金中，熔融法預鋰化時親鋰鋅位點不僅不會融化與脫落，反而由于鋅對鋰具有強
南方科技大學
2021-04-14
物理學院劉開輝課題組在12英寸二維半導體晶圓批量制備研究中取得進展
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室劉開輝教授課題組與合作者提出模塊化局域元素供應生長技術，成功實現了半導體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴展至與當代主流半導體工藝兼容的12英寸，有望推動二維半導體材料由實驗研究向產業應用過渡，為新一代高性能半導體技術發展奠定了材料基礎。2023年7月4日，相關研究以“模塊化局域元素供應技術批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物晶圓”（Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply）為題，在線發表于《科學通報》（Science Bulletin）。
北京大學
2023-08-22
一種羥基聚丙烯酸酯水分散體的制備方法及含有羥基聚丙烯酸酯水分散體的水性涂料
“一種羥基聚丙烯酸酯水分散體的制備方法及含有羥基聚丙烯酸酯水分散體的水性涂料”是華南理大學與嘉寶莉化工集團股份有限公司共同研制開發出的技術成果，專利權雙方共有。該專利針對現有水性木器涂料固含量低至30-42%，施工成本高，涂膜耐水性、耐沾污性差和裝飾性不好等關鍵共性技術難題，創新性提出采用含羧酸鹽的羥基聚丙烯酸酯乳化和分散不含羧酸鹽的羥基聚丙烯酸酯，制備高固體含量高達70％，同時具有核殼結構的羥基聚丙烯酸酯水分散體。該分散體不含低分子乳化劑，親水羧酸鹽的濃度低，不僅固體含量高，對固化劑的乳化能力強，
華南理工大學
2021-04-14