网上赌场真人发牌-澳门网上赌场空城

潤滑脂是重要的工業潤滑劑，不僅能滿足一般 的潤滑要求，而且還具有良好的極壓、抗磨和密封 性能，被廣泛應用于鋼鐵、汽車、航空航天和軍事 等工業。復合鋰基潤滑脂是由12-羥基硬脂酸與二 元酸的復合鋰皂作為稠化劑制成的一類高性能潤滑 脂產品，具有優良的機械安定性，軸承漏失量少， 出色的抗水防銹和氧化安定性。采用鄰苯二甲酸二 辛酯等為潤滑脂基礎油，充分利用酯油高低溫性能 好、氧化穩定性高、潤滑性能優異等特點；采用復 合鋰基金屬皂基進行一步法稠化，方法簡單且能降 低生產能耗；產品具備良好的膠體安定性與機械安定性，所含有抗氧化劑賦予其在一定高溫下工作的性 能，并且通過極壓抗磨劑的加入使得復合鋰基潤滑脂組合物具備優異的極壓抗磨性。 本技術成果可廣泛應用在鋼鐵工業、汽車工業、工程機械領域中。目前已經在中山大學精細化工研究 院下設的實驗室開展石化下游產品的研發工作；在中山大學惠州研究院設置了潤滑與磨損研究中心開展相 應的潤滑脂中試工作，已經完成的裝置有2L的和8L的小試釜，建立了100L的反應釜，并且利用本研究研制 了一套具有自主產權的工業潤滑脂研磨裝備。

1.痛點問題 光刻膠作為集成電路制備中不可或缺的一部分，已成為國家的戰略資源之一。半導體光刻膠的核心在于成膜樹脂，受限于研發難度大、專利壁壘高、資金投入多、準入門檻高，目前國內企業尚難以突破KrF膠（248nm）或ArF膠（193nm），而EUV膠完全不能自主供給。 2.解決方案 本項技術采用了國際最前沿的納米氧化物團簇材料的工藝路線，可以實現單2nm小分子的光刻膠成膜樹脂材料，攻克了材料合成和納米材料提純的難題，可滿足目前半導體3nm制程節點的技術要求，RLS分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度三項關鍵性能指標優異，其曝光劑量遠低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本線。此外，本項技術具有多種半導體光刻膠兼容性，可以生產248nm和193nm光源的半導體光刻膠成膜樹脂，以及電子束半導體掩膜用光刻膠成膜樹脂，具有廣闊的技術替代優勢和市場應用前景。 3.合作需求 本項技術已設立衍生企業，位于江蘇常州的3000m2研發生產中心正在建設中。 1）融資需求：本輪天使輪融資6000萬元。 2）資源對接需求：集成電路芯片制造、掩膜板生產企業，地方政府等。

本實用新型公開了一種無脂密封易再生干燥器，包括罐蓋與罐主體，還包括扣片及密封圈；罐主體頂部設置有用于放置密封圈的罐主體密封圈槽；所述罐蓋下邊沿設置有用于壓緊密封圈的罐蓋密封凸起；罐蓋側壁設置有至少三個罐蓋扣塊，罐主體頂部側壁對應設置有與罐蓋扣塊配合的罐主體扣塊，在其中任意一個罐主體扣塊的底部設置有與罐主體內外部相連通的通氣孔；扣片分別與罐蓋扣塊及罐主體扣塊扣合；罐主體內設置有隔板。采用該無脂密封易再生干燥器，能實現使用干凈、方便的扣合方式密封，且無需使用凡士林等礦脂。

維生素D是一種脂溶性維生素，也是一種固醇類激素前體，與健康密切相關。目前，全球大多數研究均以循環25-OH-D評價人體維生素D狀態，以及其與慢病的關聯，但結果并不一致。近來，多項隨機對照研究（RCT）也發現，并非所有“維生素D缺乏”患者都可以從維生素D補充中獲益，提示傳統標志物并不能評價維生素D的生物可利用狀態。凌文華教授團隊通過對其課題組已建立的“廣東冠心病隊列”患者基線血清的多項維生素D標志物檢測，經中位6.7年隨訪后發現，生物可利用維生素D（BioD）及游離維生素D（Free D）水平，而不是傳統標志物25-OH-D，可獨立預測冠心病患者的死亡風險。研究提示血清 BioD和FreeD水平對冠心病風險評估更有價值，25-OH-D是否為合適的反映維生素D狀態的標志物值得進一步研究。研究為選擇正確的血清維生素D標志物來預測冠心病患者的預后提供了重要的科學依據。

通過對黃芩苷分子進行化學衍生化從而獲得了與天然黃芩苷具有相似生物活性的光交聯分子探針，并利用定量化學蛋白質組學技術來尋找黃芩苷在細胞內的直接藥效靶點。他們發現與黃芩苷相互作用的靶標蛋白在脂肪代謝通路中高度富集，尤其線粒體脂肪酸β-氧化的限速酶CPT1A引起了他們的格外關注。通過RNA干擾敲低CPTA的表達水平后，細胞喪失了對黃芩苷降脂活性的響應，暗示這個蛋白是黃芩苷作用機制通路中的一個關鍵蛋白。通過定量小分子質譜建立了CPT1A的酶活檢測體系，最后發現黃芩苷可以明顯激活CPT1A的活性，從而達到加速脂肪酸降解的過程。

一、成果簡介 目前，液態乳是我國乳制品市場的主要產品，奶粉次之，乳制品存在同質化的問題。其中，干酪僅僅占乳制品的0.2%，遠遠落后于乳品發達國家60%的市場比重。同時，我國市場的干酪品種主要為進口天然干酪，因其價格偏高以及濃烈的發酵型風味難以被消費者所接受。因此，研究適合國人的干酪產品，勢必會推動干酪產 業在中國的發展。相比天然干酪，再制干酪具有成本較低，風味柔和等優勢，是符合我國消費者需求的

目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現。  利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：  在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經過多年的深入研究之后，完全具備了產業化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業的平穩發展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發與產業化，但絕大部分仍處于研發階段。我們研制的光刻膠具備了產業化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發明專利，專利號：9。

目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現。   利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：   在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經過多年的深入研究之后，完全具備了產業化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業的平穩發展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發與產業化，但絕大部分仍處于研發階段。我們研制的光刻膠具備了產業化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發明專利，專利號：9。

本發明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統，通過其獲得具有穩定溫度的浸液，以用于浸沒式光刻工藝中，其特征在于，該溫控系統包括：用于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過管路進口進入該浸液管路，溫控后的浸液通過該浸液管路出口輸出；用于對所述浸液進行冷卻的工藝冷卻液回路，工藝冷卻液在該回路中循環流動；以及熱交換器（6），所述浸液管路和工藝冷卻液回路同時流經該熱交換（6），利用該熱交換器（6）完成工藝冷卻液和浸液的熱交換，獲得具有穩定溫度的浸液，實現對浸液的溫度控制。本發明的裝置采用內部回流結構與熱交換器

本發明公開了一種光刻機自動調焦方法及裝置，其方法是將平行光束經第一狹縫投射至硅片表面，再經振動反射鏡掃描后通過第二狹縫，由光電探測器接收光強信號，然后通過提取光強信號中二倍于掃描頻率的頻域成分得到硅片的粗調量，通過提取光強信號中一倍于掃描頻率的頻域成分得到硅片的精調量，最后由驅動裝置調整硅片至焦點位置。調焦裝置主要由兩個狹縫、一個振動反射鏡、光電傳感器、驅動臺和若干光學鏡片組成，信號處理過程由計算機編程完成。該方法與裝置相較于以往對比光斑強度進行調焦的方式，具有結構簡單、響應迅速、精度高(優于 0.