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本發明公開了一種 IQ 光調制器偏置電壓控制系統及方法，該控 制系統包括順次連接的激光光源、偏振控制器、IQ 光調制器、光耦合 器、光電探測器、數據處理模塊，IQ 光調制器的輸出經光耦合器分光 后連接到光電探測器，其輸出與數據處理模塊的輸入相連，數據處理 模塊的三個輸出分別送至 IQ 光調制器的三個子調制器的直流偏置電 壓輸入端口。該控制方法為首先通過測量輸出光功率的最大值及相鄰 最小值，優化子相位調制器的偏壓，然后

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節能、環保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態冷光源。隨著其價格的不斷降低,發光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現了廣泛的應用前景。業界普遍認為,半導體燈取代傳統的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發光物理學原理,LED發光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩定可靠及成本低等優點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優點，但是發光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數大公司手中。 現在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率。現有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發展前景。

近日，東南大學化學化工學院青年教師陳旭漫博士在國際頂級期刊《Angewandte Chemie（德國應用化學）》上發表題為“Efficient Near-Infrared Emissive Artificial Supramolecular Light-Harvesting System for Imaging in Golgi Apparatus”的學術論文。 光捕獲過程作為將自然光進行捕獲、能量轉化并利用的步驟，是植物光合作用中第一個也是十分重要的過程。構筑人工光捕獲體系對于光能的利用具有重要意義，但目前構筑具有高效人工光捕獲體系仍存在很大挑戰。 東南大學研究團隊利用“杯芳烴誘導聚集”策略，設計合成兩親磺化杯芳烴和陽離子型萘基吡啶衍生物作為熒光給體在水溶液中自組裝，并引入尼羅藍作為熒光受體分子，成功構筑了近紅外發射的超分子人工光捕獲體系。 通過進一步研究，團隊發現該體系在細胞內依然保持很高的光捕獲效率和高度穩定性，同時證明了其對高爾基體染色的選擇性。該研究對于人工超分子光捕獲體系傳感、成像、診斷等方面的研究有著重要的推動作用。論文第一作者為東南大學化學化工學院青年教師陳旭漫，東南大學為第一通訊單位。

產品詳細介紹磁光效應系統是研究磁性薄膜、磁性微結構以及樣品磁化強度和樣品各向異性最理想的測量工具。是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計.具有測量精度高、測量時間短等優點。可以產生平滑、穩定的受控磁場，并且磁場平滑過零。可以逐點測量也可以掃描測量，方便易懂的測量軟件以及友好的交互界面為測量提供了有力保障。本套磁光效應系統是廣大科研工作者的有利工具.磁光克爾系統功能和特點：測量靈敏度高，準確度高。非接觸式測量，是一種無損測量。可以測量同一樣品厚度不等的楔形磁性薄膜。可以將樣品放到真空中原位測量。可以測量同一樣品不同部位的磁化情況。

基于平面光波光路(PLC)技術的各類光功能器件，是實現現代高速光網絡、高速光信號處理、大容量光互連節點和終端設備中光信號處理模塊的基礎。/lineInP基多量子阱PLC器件基于成熟的半導體工藝，以脊波導為基礎，具有體積小、功耗/損耗低、可靠性高、性價比高等優點，在國際上即將形成新的產業熱點。電子科學與工程學院光子學與光通信研究室順應這一趨勢，潛心攻關，埋頭研究，歷時四年完成了InP多量子阱PLC單元器件理論與實驗研究。在國內首次建立了PLC光路設計和光學特性測試平臺，探索出國產化工藝加工途徑，取得多項自主知識產權，成功地研制出InP基多量子阱PLC無源光子器件。包括光調制器/開關、可調式多模干涉耦合器、諧振腔濾波器、2×4分路器等，于2007年2月通過了教育部組織并主持的科技成果鑒定，達到國際先進水平。

砷化鎵太陽能電池芯片。攻克了芯片外延生長、芯片設計及產業化制備和芯片封裝等核心技術，實現了產業化。 密集矩陣式高倍聚光模組：解決了密集矩陣式菲涅爾透鏡設計、分布式散熱技術、模組封裝技術，  實現了在低成本的前提下，保證跟蹤系統精度、抗風雪能力及長期可靠性等問題。

本發明公開了一種考慮逆變型分布式電源接入的配電網故障區域定位算法，包括如下步驟：(1)建立恒功率控制方式下逆變型分布式電源故障特性分析模型；(2)根據配電網中聯絡開關、斷路器等開關器件的分布特點對配電網進行分區處理，使用圖論的理論分析方法，建立配電網的圖模型，并設定配電網的電流參考方向；(3)利用設定的配電網電流參考方向以及斷路器處保護裝置上傳的故障信息，通過矩陣運算求取故障判斷矩陣，實現故障區域的定位。本發明能夠滿足分布式電源接入，無需動作值整定，具備一定拓撲結構自適應的能力。