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碳納米管-硅太陽能電池將具有優異透明導電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結合，工藝簡單，備受學術界關注。和目前光伏領域所研究的鈣鈦礦、半導體薄膜、量子點等材料相比，碳納米管-硅電池將傳統硅材料和新型碳納米材料兩者優良的光電性能相結合，有望成為下一代光伏候選技術。和傳統晶體硅電池相比， 該電池省略了制備p-n結的熱擴散工藝，小面積時無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導電性和載流子遷移率遠遠高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優點。目前， 該領域的典型結構，無論是碳納米管-硅還是石墨烯-硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實際應用還比較遙遠。

碳納米管-硅太陽能電池將具有優異透明導電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結合，工藝簡單，備受學術界關注。和目前光伏領域所研究的鈣鈦礦、半導體薄膜、量子點等材料相比，碳納米管 - 硅電池將傳統硅材料和新型碳納米材料兩者優良的光電性能相結合，有望成為下一代光伏候選技術。和傳統晶體硅電池相比， 該電池省略了制備 p-n結的熱擴散工藝，小面積時無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導電性和載流子遷移率遠遠高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優點。目前， 該領域的典型結構，無論是碳納米管 - 硅還是石墨烯 - 硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實際應用還比較遙遠。

本發明公開了一種適用于低用戶密度小區上行鏈路的能效優化方法，具體為：首先基站初始化計算用戶密度臨界值λ0(α)，根據用戶發送的導頻信號確定當前路徑損耗因子α0，然后基站根據已經使用的信道個數計算當前小區用戶密度λ′，最后判斷如果當前小區用戶密度λ′小于λ0(α0)時，則調用等功率控制算法，否則調用信道反轉功率控制算法。本發明適用于用戶端配備單天線，基站端配備任意天線的小區場景，能夠提高低用戶密度小區上行鏈路的能量效率，從而提升整個網絡上行鏈路的能效。

本發明公開了一種高層建筑抽蓄儲能風光智能微網系統及控制方法，包括風機組件、光伏陣列組件、抽蓄機組、及微網中央處理器；風機組件、光伏陣列組件、抽蓄機組連接在低壓母線上；主電網能提供可靠的能源支持；微網和主電網由并網變壓器、并網開關、公共連接點連接；微網中央處理器根據可再生能源的發電量和負荷需求量，管理調度系統能量分配；并實時監控系統狀態，及時處理各類故障，實現微網在并網、離網兩種模式間的無縫切換。本發明將可再生能源集成在高層建筑中，能源結構可持續發展，并利用建筑高程差將抽水蓄能機組作為儲能設備，具有對電網負荷變化反應快速、調節靈活，調峰、填谷、調頻、調相和事故備用的良好運行性能。

主要作了以下幾方面探索： 在低維納米結構的合成、納米光電器件制造與性能分析方面有良好的研究基礎。在納米光電器件方面，長期從事納米光電器件的研究與開發，已經成功地合成了一系列納米結構以及它們異質和復合納米結構，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基礎上制造了基于單個納米結構的光電器件，測試了其性能。其中發表在國際頂尖一區期刊《Advanced Materials》上的論文被美國加州大學、中科院重點實驗室、澳大利亞昆士蘭大學等相關課題組報道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等國際著名刊物引用達 123 次；發表在國際頂尖一區期刊《Advanced FunctionMaterials》上的論文被北京大學、清華大學、香港理工大學、臺灣國立大學、新加坡南洋理工大學、日本東北大學、美國華盛頓大學等國際名校相關課題組報道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等國際著名刊物引用達 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超導與鐵磁雙層結構中，觀察到磁相關的近鄰和耦合效應。證明了超導層中的邁斯納電流與磁層耦合提供的磁場之間存在的相互作用，并明確了來自于超導層的空穴電荷傳輸到反鐵磁層內，使得在靠近超導層的反鐵磁薄層內電荷的重新分布，進而發生了鐵磁性轉變的物理機制。在錳氧化物和銅氧化物組成的鐵磁/超導/鐵磁/反鐵磁異質結中觀察到大的負磁阻峰，這是在接近超導轉變溫度附近的混合態所具有的獨特現象，是自旋相關的界面散射的實驗證據；另外，我們還發現該類氧化物鐵磁/超導異質結中系統發現磁阻峰即隨溫度變化，其磁阻峰發生正、負性逆轉的奇特效應，這是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3負磁阻相互競爭的結果。其次，利用飛秒激光泵浦探測技術對YBCO/LCMO 異質結進行了泵浦探測，觀測了低溫下鐵磁序和超導序的競爭情況，為進一步研究 YBCO/LCMO 的近鄰效應打下了基礎。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 摻 雜 量 的YBCO/YSZ 準多層膜中觀察到 YSZ 摻雜薄膜發生了化學反應，導致了具有納米數量級鈣鈦礦異質相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉積中形成了c-軸關聯的缺陷。角度相關的J c (H,T)在 H//c區域附近出現的二次峰揭示了c-軸關聯缺陷的存在。基于各向異性磁通釘扎理論，我們分離了各向同性釘扎和各向異性釘扎對臨界電流密度的貢獻。分析表明所研究的準多層膜中產生了各向異性的缺陷，由此形成強釘扎中心，使得準多層膜在高場下仍具有較高的臨界電流密度。 應用唯象含時Ginzburg-Landau 理論并使用有限元方法研究了二維、三維介觀超導體的渦旋態性質。對于具有不同形狀和不同方向外場作用下的介觀超導體中觀察到了渦旋管交叉纏繞現象。其次，通過對電流驅使下的含弱連接的介觀超導帶的分析，觀察到了介觀超導帶磁化強度隨時間的周期性變化。另外,在我們所研究的小超導環中出現了穩定多渦旋態。隨著內半徑的增長,我們發現了穩定基態的(l:L)和(2:L)多渦旋態現象。 該項目已獲上海市自然基金項目立項支持。

本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬