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一種中紅外非線性光學晶體材料 RbIO2F2 及其制備方法和應用
本發明公開了一種中紅外非線性光學晶體材料，其化學式為 RbIO2F2，上述材料的晶體空間群為 Pca21，晶胞參數為 a?=?8.567(4)??、b?=?6.151(3)?、c?=?8.652(4)??、α?=?β?=?γ?=?90?、Z?=?4。本發明 還提供了上述晶體材料的水熱法制備方法，本發明制得的中紅外非線性光學晶體材料具有較強的能相位 匹配的倍頻效應(SHG)，Kurtz 粉末倍頻測試結果表明其粉末倍頻效應為磷酸二氫鉀(KDP)的 4&n
武漢大學
2021-04-14
中國科學技術大學氣溶膠輔助生物合成高性能復合材料取得新進展
近年來，隨著納米技術的不斷發展，聚合物基納米復合材料由于其優異的力學性能和功能性在材料領域發揮著越來越重要的作用。然而，如何實現聚合物基納米復合材料的高效、大規模、綠色環保、可持續且高度可控的制備仍然是一個世界難題。然而，對微生物輔助復合材料制備過程的探索有望為該問題提供一種全新的解決方案。
中國科學技術大學
2022-07-11
中國科大在受熱考古材料釋光測年技術研究中取得最新進展
在規范采樣及針對性測試條件下，釋光測年技術應用在埋藏陶器、燒土類考古受熱材料的年代學研究中具有高準確度的優勢，并有望確定最后一次考古受熱事件（如祭祀、焚燒、烹煮等）的高精度年代。
中國科學技術大學
2022-06-02
一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏輯操作方法
本發明公開了一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏 輯操作方法，非易失性邏輯器件包括磁頭以及依次附著于襯底上的底 電極、絕緣層，相變磁性薄膜和頂電極；其中相變磁性材料由一種相 變材料基質中摻雜鐵磁性元素構成，材料的磁性能夠通過非晶態-晶態 相變來可逆調控。本發明基于材料的相變控磁特性實現“實質蘊涵” 邏輯運算以及“與”、“或”、“與非”和“或非”四種布爾邏輯運 算，其運算結果以材料的剩余磁化存儲在器件中，從而實現
華中科技大學
2021-04-14
東南大學張薇/陳佳林團隊在Advanced Materials發表蠶絲生物材料最新研究成果
近日，東南大學醫學院張薇/陳佳林團隊在國際權威學術期刊Advanced Materials在線發表題為Silk fibroin and sericin differentially potentiate the paracrine and regenerative functions of stem cells through multiomics analysis的研究論文，報道了蠶絲材料-干細胞相互作用的最新進展。
東南大學
2023-04-24
上海交通大學Nature發文，在聚合物電工絕緣材料研究領域取得重大突破
2023年3月2日，國際頂級學術期刊《Nature》刊發上海交通大學黃興溢教授團隊與合作者的研究成果“Ladderphane copolymers for high temperature capacitive energy storage”。黃興溢教授和王慶教授為通訊作者，陳杰助理研究員、周垚博士和黃興溢教授為共同第一作者，上海交通大學為論文的第一完成單位。
上海交通大學
2023-03-02
中國科學技術大學在礦物基結構材料的仿生礦化制備領域取得系列進展
探究源自生物礦物材料的結構設計原理無疑將為人工礦物基新材料的研發提供重要啟發和依據，然而如何在人工材料中設計和制造這些復雜結構，一直是困擾科學界的難題。
中國科學技術大學
2022-10-17
中國科學技術大學在二維材料固態自旋色心研究中取得新進展
我校郭光燦院士團隊在二維范德瓦爾斯材料固態自旋色心領域取得重要進展。該團隊李傳鋒、唐建順研究組與匈牙利魏格納物理研究中心AdamGali教授等人合作，實驗研究并理論解釋了六方氮化硼（hexagonalboronnitride，hBN）中帶負電硼空位（VB-）色心受磁場調制的自旋相干動力學行為，揭示了hBN中VB-色心電子自旋與核自旋之間的相干耦合和弛豫機制，對發展基于二維范德瓦爾斯材料的相干自旋系統及低維量子器件具有重要意義。
中國科學技術大學
2022-10-17
一種中紅外非線性光學晶體材料 KBi4F13 及其制備方法和應用
本發明公開了一種中紅外非線性光學晶體材料，其化學式為 KBi4F13，上述材料的晶體空間群為 I-4， 晶胞參數為 a=9.2027(19)b=9.2027(19)c=6.2589(13)α=β=γ=90°、Z=2。本發明還提供了上述晶體材 料的水熱法制備方法，本發明制得的中紅外非線性光學晶體材料具有能相位匹配的倍頻效應(SHG)， Kurtz 粉末倍頻測試結果表明其粉末倍頻效應與磷酸二氫鉀(KDP)相當;粉末的激光傷閾值為 120MW/c
武漢大學
2021-04-14
一種帶有硫化鋁外殼的二硫化鉬納米粉末材料及其制備方法
（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極
安徽工業大學
2021-01-12