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利用 Xeon Phi 協(xié)處理器提升布隆濾波器處理性能的系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種利用 Xeon-Phi 協(xié)處理器提升布隆濾波器處理 性能的系統(tǒng)及方法，包括：性能采樣模塊、任務(wù)調(diào)度模塊、通信模塊 和任務(wù)處理模塊。性能采樣模塊用于獲取宿主端和協(xié)處理器端的處理 能力，決定兩端分配的任務(wù)比例；任務(wù)調(diào)度模塊控制宿主端和協(xié)處理 器端之間整體的任務(wù)調(diào)度；通信模塊管理宿主端和協(xié)處理器端的通訊； 任務(wù)處理模塊負責任務(wù)的查詢與計算。系統(tǒng)將每個任務(wù)分配給相應(yīng)的 線程，每個線程在一個私有的子向量進行處理
華中科技大學
2021-04-14
一種考慮局部軸向壓力的瀝青混合料水平抗剪性能試驗裝置及方法
本發(fā)明公開了一種考慮局部軸向壓力的瀝青混合料水平抗剪性能試驗裝置及方法，裝置包括：瀝青混合料圓柱體試件、圓形鋼墊塊、鋼套筒、半圓環(huán)形壓頭、凹形底座、螺栓和剪式千斤頂；方法具體為采用萬能材料試驗機，通過半圓環(huán)形壓頭對作用有軸向局部荷載的瀝青混合料圓柱體試件進行勻速加載，由試件變形測定裝置LVDT及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)自動繪制和記錄試件的荷載?變形曲線，根據(jù)讀取
東南大學
2021-04-14
一種 APD 像元塊輸出電壓四通道選擇電路及其輸出方法
本發(fā)明公開了一種 2×2APD 像元塊四通道選擇電路，每個獨立 的 APD 單元包括地址選擇控制電路和四通道選擇電路，地址選擇控制 電路通過光檢測產(chǎn)生的控制信號，與四通道選擇電路開關(guān)相連，其中， 每個單元的控制信號與自身的通道 1 連接，并分別連到 2×2 像元塊中 另外三個 APD 單元的通道 2、通道 3 和通道 4 上。每次光照，只有像 元塊首地址輸出控制信號有效，從而保證像元塊電壓依次從四個通道 輸出
華中科技大學
2021-04-14
一種基于低分辨率氣象云圖生成高分辨率云圖的方法
本發(fā)明公開了一種基于低分辨率氣象云圖生成高分辨率云圖的方法，包括以下步驟：（1）對原始低分辨率云圖進行降級處理；（2）分別對原始低分辨率云圖和降級后的云圖進行分塊操作并編號；（3）（4）計算值域塊中的每個子塊與(3)中仿射變換后的子塊匹配誤差，并保存匹配誤差最小的子塊序號、灰度變換對比度因子及灰度變換的亮度因子；（5）根據(jù)計算得出的變換因子參數(shù)矩陣及云圖局部與整體基于統(tǒng)計學的自相似性，對輸入圖像進行分形迭代；（6）得
華中科技大學
2021-04-14
一種膠質(zhì)瘤靶向磁共振和熒光雙模式成像對比劑及制備方法
本發(fā)明提供了一種膠質(zhì)瘤靶向磁共振和熒光雙模式成像對比劑及其制法，該對比劑由丙烯酰胺類單體、帶有巰基或羧基或氨基的烯丙基類單體、超順磁性鐵氧化物納米粒、熒光染料和乳鐵蛋白組成，其中，丙烯酰胺類單體與帶有巰基或羧基或氨基的烯丙基類單體通過聚合反應(yīng)形成共聚物納米凝膠，在聚合反應(yīng)過程中加入超順磁性鐵氧化物納米粒獲得超順磁性共聚物納米凝膠。將熒光染料與乳鐵蛋白以共價鍵進行結(jié)合獲得標記有熒光染料的乳鐵蛋白，再將上述超順磁性共聚物納米凝膠與標記有熒光染料的乳鐵蛋白通過共價鍵結(jié)合獲得本發(fā)明的膠質(zhì)瘤靶向磁共振和熒光雙
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓撲優(yōu)化設(shè)計方法
本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓撲優(yōu)化設(shè)計方法，其包括以下步驟:(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場;(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對不同的中間密度單元進行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓撲優(yōu)化，并輸出最優(yōu)細觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細觀微結(jié)構(gòu)
華中科技大學
2021-04-14
一種中紅外非線性光學晶體材料 RbIO2F2 及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種中紅外非線性光學晶體材料，其化學式為 RbIO2F2，上述材料的晶體空間群為 Pca21，晶胞參數(shù)為 a?=?8.567(4)??、b?=?6.151(3)?、c?=?8.652(4)??、α?=?β?=?γ?=?90?、Z?=?4。本發(fā)明 還提供了上述晶體材料的水熱法制備方法，本發(fā)明制得的中紅外非線性光學晶體材料具有較強的能相位 匹配的倍頻效應(yīng)(SHG)，Kurtz 粉末倍頻測試結(jié)果表明其粉末倍頻效應(yīng)為磷酸二氫鉀(KDP)的 4&n
武漢大學
2021-04-14
一種重金屬吸附飽和活性炭再利用的有機廢水處理方法
本發(fā)明公開了一種重金屬吸附飽和活性炭再利用的有機廢水處理方法，首先將重金屬吸附飽和活性 炭、過硫酸鹽、工作電解質(zhì)加入到含有機污染物的廢水中，調(diào)節(jié) pH 至 3~9，然后在 8~24mA/cm2 的電 流密度下進行電解處理;反應(yīng)液中重金屬吸附飽和活性炭的添加量為 0.125~0.500g/L，過硫酸鹽濃度為 2.5~10.0mM。本發(fā)明采用重金屬吸附工藝產(chǎn)生的飽和廢棄活性炭作為催化劑，原料廉價易得;同時廢棄 的飽和活性炭得到再利用，
武漢大學
2021-04-14
一種二維過渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種二維過渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應(yīng)用。在惰性氣氛中，借助常見 的可與硫族單質(zhì)(S，Se)反應(yīng)的金屬和氫氣輔助控制體系中 S 或 Se 的濃度，以達到控制過渡金屬層硫化 或硒化程度的目的，利用化學氣相沉積方法可控地生長 TMDs 單晶;將沉積時的溫度控制為 750°C至 850°C，并且沉積時間控制為 5 至 15 分鐘，完成 TMDs
武漢大學
2021-04-14
聯(lián)苯三膦配體制備方法及在氫甲酰化中逐步取代 PPh3 的應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種聯(lián)苯三膦配體制備方法及其在氫甲酰化反應(yīng)中的應(yīng)用，制備的聯(lián)苯三膦配體具有 如通式(I)或通式(II)所示的結(jié)構(gòu)，通式(I)中芳基取代基 Ar 為苯、對甲基苯、間三氟甲基苯、對 三氟甲基苯、3,5-二三氟甲基苯、3,5-二氟苯、3,5-二甲基苯、3,5-二叔丁基苯、3,5-二叔丁基-4-甲氧基苯、 對甲氧基苯、對二甲氨基苯、2-吡啶、對氟苯或 2,3,4,5,6-五氟苯;通式(II)中，R 為環(huán)狀膦結(jié)構(gòu)。本 發(fā)明聯(lián)苯三膦配體可用作線性氫甲酰化反應(yīng)催
武漢大學
2021-04-14