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本發明提出了一種基于魯棒低秩張量的高光譜圖像去噪方法，包括建立高光譜圖像噪聲的數學模型， 構造高光譜圖像魯棒低秩張量（RLRTR）去噪模型，求解 RLRTR 去噪優化模型。本發明充分利用高光 譜圖像（HSI）的先驗知識，高光譜圖像被不同的噪聲污染，如高斯噪聲、脈沖噪聲、死像素和條帶噪 聲等。利用干凈的高光譜圖像數據具有潛在的低秩張量特性以及異常和非高斯噪聲具有稀疏性的特性， 同時分別采用核范數和 l2,1 范數來表征低秩和稀疏特性；本發明的技術

本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創新 二、成果簡介 基于新材料、新架構的硅基高密度集成信息功能器件的自主發展是國家重大戰略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規模可控制備、物性調控及其電子、光電器件展開系統研究，主要技術創新點有： 一、二維半導體材料及其異質結構的大規模可控制備。本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構建出大規模的二維異質結構，得到了具有高可靠性和穩定性的集成器件。相關成果發表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發展高質量硫族半導體的外延生長新工藝，系統研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質，極大地拓展了傳統的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質結構筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質結光電器件；發展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調節晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現了從深紫外區到中遠紅外區的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質結構的物性調控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現了室溫負微分電阻特性；通過構筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創新性的提出多層二維范德華非對稱異質結構，實現了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發展了新型存算一體架構電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發展的新途徑。相關成果發表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權專利7項。

1.耐火（高溫）管型母線外包絕緣材料的研發生產技術。2.基于管型母線的在線監測系統。

天津大學地科院多功能碳十四石墨化系統招標項目的潛在投標人應在天津市河東區大橋道52號渤輕黨校B座1層104室獲取招標文件，并于2022年06月21日09點30分（北京時間）前遞交投標文件。

氫能源是高效的綠色能源，如何低廉高效的大規模生產是制約其應用的一個關鍵因素。近年來，電解水制氫受到學術界廣泛關注，尋找廉價高效的非鉑電催化劑成為時下研究熱點。本項目分別采用輻射法及水熱法制備了鉬硫化物/碳納米復合材料,其催化析氫性能優于商用Pt/C（20%Pt）催化劑，而且具有良好的催化穩定性,適合大規模制備。

一種高速鐵路運營期碳減排的環境效益計算方法，屬于環境保護領域。根據國家統計局相關文件、中國交通運輸統計年鑒、中國鐵道年鑒和鐵道年統計公報，建立基礎數據庫；基于層次分析法的數學分析，根據數據庫，確定碳減排要素在高鐵運營期的權重值；基于高鐵耗電與標準煤量的換算，根據數據庫，確定高鐵碳排放指標；基于影子價格理論，根據數據庫，采用超越對數法，計算二氧化碳影子價格。

簡介：本發明公開了一種空心納米碳球組裝介孔碳纖維材料的方法，屬于介孔碳材料的制備技術領域。該方法以氨三乙酸和可溶性金屬亞鐵鹽或鎳鹽為原料，溶劑熱法合成金屬配合物纖維前驅體，將配合物纖維前驅體在密閉條件或氬氣氣氛下焙燒可得由核殼結構納米球組裝的碳/金屬氧化物(金屬)復合物，將復合物纖維中納米球的核(金屬氧化物(金屬))經酸蝕后，即可獲得富含羧基基團、由納米空心球組裝而成的碳纖維材料。本發明的制備方法具有工藝簡單，溶劑可回收再循環利用，制備成本低廉等優點；所制備的碳材料由納米空心球組裝而成，結構新穎，在吸附、催化劑載體等領域具有良好的應用前景。

伴隨著我國半導體行業的迅速崛起，硅電極作為光刻設備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉變為多晶硅電極，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質的污染，導致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質顆粒夾雜，嚴重影響了多晶硅電極的使用性能。 傳統制備技術下，設備熱場結構單一，熔體流動性差，導致SiC、Si3N4雜質循環溶解—析出，難以有效分離。本項目團隊前期利用電子束精煉技術去除硅中的蒸發性雜質（P、 O、N）；利用電子束誘導實現多晶硅的定向凝固，進而分離硅中的金屬雜質；基于電子束冷床效應分離硅中的SiC、Si3N4硬質顆粒，并揭示硬質顆粒與硅基體間的位相關系；基于上述研究開發出了多晶硅電極的制備工藝，可應用于刻蝕等半導體制造等領域。 本項目預期可以為半導體行業中硅電極生產制造企業提供穩定的技術支持，具有很好的生產示范性，實現高新技術產業化。該技術能夠有效地降低生產過程中的能耗，是一種低成本、環境友好的生產方法，屬于節能、環保的綠色制造技術。該技術的大規模應用和推廣，可大幅增加就業崗位，提高企業的市場競爭力，保護環境。

本發明公開了廿二碳五烯酸乙醇胺在提高植物灰霉病抗性中的應用以及在制備提高植物灰霉病抗性的制劑中的應用。本發明以廿二碳五烯酸乙醇胺為主要有效成分制備的制劑，通過誘導植物體內的茉莉酸以及乙烯的信號路徑，可顯著增強植物對灰霉病的抗性，減少因灰霉病給植株帶來的經濟損失。采用本發明制劑防治植物灰霉病簡單易行，成本較低，可顯著延遲和抑制灰葡萄孢病原菌在葉片上的生長及病害的擴散，大大提高了植株對灰霉病的抗性。

本發明屬于催化劑技術領域，具體涉及一種具有高活性的櫻桃核碳負載的鈀催化劑及其制備方法與應用。所述催化劑中櫻桃核碳為成型顆粒狀，作為載體硬骨架；鈀負載于碳層表面，其在催化劑中的重量含量為0.05～2％。本發明以櫻桃核作為前驅體，經過高溫碳化，然后經過氫氧化鉀活化并在活化過程中進行原位氮原子摻雜，從而獲得大比表面、表面氮原子修飾的多孔櫻桃核硬碳材料，作為載體時能更好的分散催化劑，展現出更為優異的催化性能，同時具有更為優異的機械強度，可減緩碳載體反應過程中破碎等問題，提高催化劑壽命，在對苯二甲酸加氫精制反應中有替代商業活性炭的潛在工業應用價值。采用創新性的制造工藝將廢棄櫻桃殼轉變成高硬度、氮摻雜的、高比表面積的成型多孔活性碳顆粒，在催化加氫反應中作為催化劑的載體展現出優異的性能。可作為吸附材料及催化劑載體得以廣泛應用。