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       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

本發(fā)明公開了一種在硅基質(zhì)表面制備油水浸潤(rùn)性光控可逆SiO2/TiO2復(fù)合涂層的方法，將硫酸洗液清洗過(guò)的硅基質(zhì)樣品浸入到SiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，使玻璃表面覆蓋均勻的SiO2涂層，220℃煅燒涂層，得到的覆蓋SiO2涂層的樣品浸入到TiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，并在500℃煅燒涂層。最后經(jīng)氟硅烷溶液浸泡進(jìn)行涂層表面改性得到光控油水浸潤(rùn)性可逆轉(zhuǎn)換的SiO2/TiO2復(fù)合涂層。本發(fā)明和以往制備親疏水親疏油可逆轉(zhuǎn)換材料的方法相比，方法簡(jiǎn)便，耗時(shí)少，不需要特殊儀器。涂層呈現(xiàn)納米TiO2微球包裹微米SiO2微球的類荷葉表面結(jié)構(gòu)，在工程領(lǐng)域中具有良好的應(yīng)用前景。

（專利號(hào)：ZL 201410081879.7） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開一種超級(jí)電容器用三維中孔納米籠狀碳材料的一步法制備方法，屬于碳材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法是以有機(jī)金屬配位化合物為碳源和模板，氫氧化鉀為活化劑，兩者研磨混合后轉(zhuǎn)移至陶瓷坩堝中，采用微波加熱制得超級(jí)電容器用三維中孔納米籠狀碳材料。所得三維中孔納米籠狀碳材料的比表面積介于1041～1595m2/g之間，總孔孔容介于0.79～1.52cm3/g之間，平均孔徑介于3.05～4.88nm之

本發(fā)明提供了一株樺褐孔菌QD04及其轉(zhuǎn)化虎杖生成白藜蘆醇、三萜皂苷和多糖的方法，所述樺褐孔菌QD04保存于中國(guó)典型培養(yǎng)物保藏中心，編號(hào)為CCTCC?M?2015036，本發(fā)明利用藥用真菌QD04將植物中的白藜蘆醇苷轉(zhuǎn)化為白藜蘆醇，大大提高了其白藜蘆醇的收率，工藝簡(jiǎn)單，重復(fù)性好；菌體能夠利用虎杖合成自身活性物質(zhì)三萜皂苷和多糖；發(fā)酵產(chǎn)物樺褐孔菌菌絲體含有豐富的人體必需氨基酸，具有較高的營(yíng)養(yǎng)價(jià)值；一次發(fā)酵過(guò)程同時(shí)獲得白藜蘆醇、三萜皂苷、多糖和樺褐孔菌菌絲體4種產(chǎn)品，生產(chǎn)過(guò)程附加值高；所述樺褐孔菌能夠更加徹底地水解虎杖纖維素，使虎杖生物質(zhì)資源得到充分利用，減少了資源浪費(fèi)和環(huán)境污染。

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本發(fā)明公開了一種斜生纖孔菌3-羥基-3-甲基戊二酰輔酶A還原酶基因及其編碼的蛋白質(zhì)與用途，本發(fā)明所提供的鯊烯合酶基因具有SEQ ID NO.1所示的核苷酸序列或者添加、取代、插入或缺失一個(gè)或多個(gè)核苷酸的同源序列或其等位基因及其衍生的核苷酸序列。所示基因編碼的蛋白質(zhì)具有SEQ ID NO.2所示的氨基酸序列或者添加、取代、插入或缺失一個(gè)或多個(gè)氨基酸的同源序列。本發(fā)明提供的3-羥基-3-甲基戊二酰輔酶A還原酶基因可以通過(guò)基因工程技術(shù)提高斜生纖孔菌中樺褐孔菌醇的含量，可用于利用轉(zhuǎn)基因技術(shù)來(lái)提高斜生纖孔菌中樺褐孔菌醇含量的研究和產(chǎn)業(yè)化中。而這些次生代謝產(chǎn)物在臨床上具有巨大的應(yīng)用價(jià)值，對(duì)保護(hù)人民的健康生長(zhǎng)有所幫助。因而本發(fā)明具有很大的應(yīng)用前景。