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本實用新型涉及一種能區分小麥初生根、次生根的分根套管裝置，包括內PVC管和外PVC管，內PVC管設置在外PVC管內部縱向中心線位置；內PVC管頂部設有分根錐形帽，分根錐形帽頂部中間位置設有填土注水孔，分根錐形帽上部錐形側面上分布有多個種植孔；內PVC管管壁側面分布有多個水分平衡孔。該實用新型的優勢在于內管頂部錐形帽的設計，既可以實現更好的初生根、次生根分離，又可以填土，注水；內管壁有水分平衡孔，可以保證初生根、次生根的生長環境一致，具有分離徹底，操作方便，干擾少，苗存活率較高等優點。

本發明公開了一種取出根管內分離器械的裝置及其取出方法，其特點是該裝置包括機用環鉆和單開窗套管，所述機用環鉆由圓柱形環鉆(1)和適配器組成，所述適配器由連接件(2)和緊固件(3)組成，圓柱形環鉆通過緊固件與連接件的一端相連，連接件的另一端與登士柏根管治療馬達上的接口相匹配，以將圓柱形環鉆安裝在登士柏根管治療馬達上實現對圓柱形環鉆的旋轉控制；所述單開窗套管由單開窗套管(4)、楔子(5)、夾持手柄(6)構成。所述機用環鉆可替換為手用環鉆，構成另一套裝置。本發明所述取出根管內分離器械的裝置的取出方法，使取出根管內分離器械時較少的去除牙體組織，具有操作簡單、快速的優點。

本發明公開了一種氰根離子的熒光指示材料，該氰根離子熒光指示材料為稀土鋱離子與2，2’?聯吡啶以及配體分子通過分子自組裝反應形成的金屬有機框架材料，該熒光指示材料利用π共軛介導熒光增強的新原理檢測溶液中的氰根離子濃度。本發明還公開了上述氰根離子熒光指示材料的制備方法和應用。本發明氰根離子熒光指示材料能特異性、快速熒光顯示溶液中的氰根離子濃度，使用簡便，

針對我國大豆各生育期的病蟲草害發生規律，配合合作研發的防治地下和苗期害蟲的48%噻蟲嗪懸浮種衣劑、封閉除草的二甲戊靈微囊懸浮劑（農藥登記證：PD20150752）等產品，集成了集成了“一拌（種）一封（閉）一噴（多防）”全程綠色防控技術模式。 一、項目分類 顯著效益成果轉化 二、技術分析 “精歌”是南京農業大學大豆病蟲害防控研究團隊在對我國大豆根腐病優勢致病菌進行普查和系統研究的基礎上，與南京高正農用化工有限公司合作研發并登記的62.5%精甲霜靈·咯菌腈懸浮種衣劑（農藥登記證：PD20172755）。 針對我國大豆各生育期的病蟲草害發生規律，配合合作研發的防治地下和苗期害蟲的48%噻蟲嗪懸浮種衣劑、封閉除草的二甲戊靈微囊懸浮劑（農藥登記證：PD20150752）等產品，集成了集成了“一拌（種）一封（閉）一噴（多防）”全程綠色防控技術模式。播種過程中一次實現“拌”種后種肥同播和“封”閉除草等多個工序，防止根腐病所致苗缺苗弱；生長期以做好監測并適時開展藥肥一“噴”多防，實現健體控害，防止根腐病等病蟲所致植株早衰。

本實用新型涉及種苗測量裝置技術領域，尤其是一種可實時觀測種苗根長和苗長的發芽裝置，包括透明塑料盒體、隔板、固定板和種子固定槽，所述電動伸縮桿的頂端固定連接有旋轉球安裝座，所述旋轉球安裝座上開設有球形槽，所述球形槽內活動連接有旋轉球，所述旋轉球上固定連接有連接塊，所述連接塊上固定連接有水平的第一套管，所述第一套管內螺紋連接有第二套管，所述第二套管內螺紋連接有第三套管。該可實時觀測種苗根長和苗長的發芽裝置，結構簡單，能一次性解決種苗根長、苗長的測量問題，能節省大量人力、物力，提高工作效率，能快速、簡便的測出種苗的根長和苗長，大大的降低了其使用的局限性。

主要研究內容和目標如下： 給老人情感呵護； 它一款通訊溝通工具，方便老人與家人、醫生進行溝通； 簡單易用，僅僅需要語音對話，就可交互，完全解放雙手； 豐富老人的娛樂生活； 老人的學習工具，老人可通過它學習知識（養生、廣場舞、按摩等）； 老人的生活助手； 一鍵求救； 健康監控伴侶。 

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本發明提供一種自動化金針菇菇根切除包裝流水線設備，它實現當前金針菇子實體菌柄根部的切除、有價值的可食部分的選出、可食部分按質量等分裝、打包過程的自動化等。技術方案包括生產線加工分線、生產線包裝分線、‘子實體’切割定位部分、‘可食部分’傳送部分、‘菌柄根部’傳送部分、‘子實體’切割固定部分、切割刀運行部分、‘菌柄根部’處理部分、‘可食部分’稱重臺部分、成品包裝預操作板、觸摸屏操作顯示部分、微型處理器控制中心、數據存儲部分、包裝壓緊成型與自動封口部分、‘包裝成品’彈出部分等。本發明有助于解決當前農產品生產企業加工車間中金針菇菇根切除的手工操作效率低、切除廢料易堆積、無法及時處理等問題。

本發明公開了一種基于二次諧波顯微術探測單根彎曲半導體納米線中晶格畸變的高靈敏度方法。在顯微系統下，利用探針推動單根納米線一端使之彎曲，從而產生不同程度的晶格畸變。同時，將一束激光聚焦至單根納米線上一點 A，并連續改變泵浦光偏振方向和納米線長軸之間的夾角(偏振角θ)，測定二次諧波強度隨偏振角θ的變化關系。在保持泵浦光聚焦位置在 A 點不變的情況下，隨彎曲曲率逐漸增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°時的二次諧波強度之比顯著減小。本發明提供了一種新型測定半導體納米線晶格畸變的全光方法，相對于傳統透射電鏡法，其