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一種基于免疫遺傳算法的模塊化多電平變換器的調(diào)制方法
本發(fā)明涉及一種基于免疫遺傳算法的模塊化多電平變換器的調(diào)制方法，對(duì)模塊化多電平變換器的優(yōu)化控 制方面的問題進(jìn)行研究，優(yōu)化目標(biāo)為模塊化多電平變換器的輸出電流波形最優(yōu)，本發(fā)明結(jié)合模塊化多電平變 換器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和輸出特性，采用各相上橋臂投入子模塊的數(shù)目表示工作狀態(tài)，對(duì)模塊化多電平的工作狀態(tài) 進(jìn)行優(yōu)化，通過編碼操作，注入疫苗，親和度計(jì)算，濃度計(jì)算，免疫選擇，交叉操作，變異操作，倒位操作， 經(jīng)過多次迭代收斂后得到優(yōu)化后的模塊化多電平變換器的輸出電壓階梯波。
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種基于附加交變電壓的無氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法
"本發(fā)明公開了一種基于附加交變電壓的無氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法，采用在懸浮電磁鐵線圈閉環(huán)控制電壓中摻雜具有一定特征的交變電壓，施加在懸浮電磁鐵線圈，在線圈中得到含有相同特征的分量的電流，根據(jù)輸入摻雜的特征交變電壓和線圈電流中具有相同特征的電流分量辨識(shí)出懸浮電磁鐵線圈電感，通過電感得到懸浮電磁鐵氣隙，使用此氣隙值進(jìn)行閉環(huán)控制。由于不采用氣隙傳感器，可以大大簡(jiǎn)化系統(tǒng)，通過附加線圈得到的電感可以反映真實(shí)的懸浮氣隙，本發(fā)明可以降低磁浮列車系統(tǒng)軌道精度要求，也不會(huì)由于氣隙傳感器的測(cè)量不準(zhǔn)確導(dǎo)致系統(tǒng)控制不穩(wěn)定，可以比較好的解決磁浮列車過軌縫、齒槽效應(yīng)等問題，具有可靠性高、成本低，安全可靠等優(yōu)點(diǎn)。 "
西南交通大學(xué)
2016-07-05
一種應(yīng)用于地形模型風(fēng)場(chǎng)特性風(fēng)洞試驗(yàn)的移動(dòng)測(cè)試裝置
本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于地形模型風(fēng)場(chǎng)特性風(fēng)洞試驗(yàn)的移動(dòng)測(cè)試裝置。所述移動(dòng)測(cè)試裝置包括測(cè)試支架系統(tǒng)、支架固定系統(tǒng)以及支架轉(zhuǎn)盤系統(tǒng)；所述測(cè)試支架系統(tǒng)包括縱向布置的外伸支架以及裝在外伸支架上的多根豎向布置的支架吊桿，所述支架吊桿上裝有可繞支架吊桿旋轉(zhuǎn)、且可沿著支架吊桿長(zhǎng)度方向豎向移動(dòng)的探頭支架；所述支架固定系統(tǒng)包括橫向布置的支架橫梁以及裝在支架橫梁上的多根用于支撐在地面上的支架立柱；所述支架轉(zhuǎn)盤系統(tǒng)自身可轉(zhuǎn)動(dòng)，且可沿外伸支架的長(zhǎng)度方向縱向移動(dòng)，還可沿著支架橫梁的長(zhǎng)度方向橫向移動(dòng)。本發(fā)明的測(cè)試裝置能使測(cè)試探頭等風(fēng)速測(cè)試儀器在水平面及豎直面內(nèi)可連續(xù)調(diào)節(jié),并在地形模型上能夠準(zhǔn)確地測(cè)量各點(diǎn)的風(fēng)場(chǎng)特性。
西南交通大學(xué)
2018-09-18
地質(zhì)大學(xué)（北京）.jpg){kind=logo}
一種利用縱橫波波阻抗增量比識(shí)別天然氣水合物的方法，
眾所周知，BSR是識(shí)別水合物的主要標(biāo)志。但世界各地鉆探結(jié)果表明，沒有BSR的地方也可能有水合物。BSR不是識(shí)別水合物的充分必要標(biāo)志。高速特征也是人們用來識(shí)別水合物的標(biāo)志。但很多非水合物的地質(zhì)因素也能夠使地層的速度增大。本專利成果提出了一種排他的識(shí)別水合物的有效方法。該方法能夠區(qū)分水合物和非水合物因素引起的高速特征。從而，大大提高水合物識(shí)別的可靠性。
中國(guó)地質(zhì)大學(xué)（北京）
2021-04-14
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原位懸浮聚合一步法合成的彩色聚苯乙烯粒子制備方法
1、成果簡(jiǎn)介： 可發(fā)性聚苯乙烯（EPS）因其優(yōu)異特性以及質(zhì)輕價(jià)廉等優(yōu)點(diǎn)，在許多領(lǐng)域得到了廣泛使用。功能性EPS在建筑保溫、包裝、電子電器產(chǎn)品和車輛裝飾等領(lǐng)域更備受青睞。特別是國(guó)家提倡節(jié)能減排、要求建筑節(jié)能50%-65%以來，以及各地的"暖房子"工程相繼實(shí)施，低導(dǎo)熱系數(shù)EPS的制備成為EPS行業(yè)研究的熱點(diǎn)。 德國(guó)巴斯夫和韓國(guó)錦湖相繼推出了低導(dǎo)熱系數(shù)黑色石墨EPS（G-EPS），但其合成工藝對(duì)外保密，以此控制低導(dǎo)熱系數(shù)G-EPS市場(chǎng)。而我國(guó)G-EPS的制備還是空白，因此在該技
吉林大學(xué)
2021-04-14
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一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過程的方程并行計(jì)算方法
本發(fā)明公開了一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過程的方程 并行計(jì)算方法：將基于 XOR 的 RAID-6 編碼的校驗(yàn)規(guī)則用校驗(yàn)方程組 表示，把每個(gè)校驗(yàn)方程在編解碼過程中的求解分解為兩個(gè)階段——“預(yù) 計(jì)算階段”以及“遞歸求解階段”；每個(gè)校驗(yàn)方程由一個(gè)獨(dú)立的線程 實(shí)施求解，多個(gè)校驗(yàn)方程的預(yù)計(jì)算階段被并行執(zhí)行；使用一個(gè)全局共 享的數(shù)據(jù)塊狀態(tài)表記錄數(shù)據(jù)塊的狀態(tài)以協(xié)調(diào)所有線程的執(zhí)行。本發(fā)明 方法利用編碼的潛在并行能
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法
本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實(shí)體材 料的密度分布，同時(shí)得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場(chǎng)；(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對(duì)不同的中間密度單元進(jìn)行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細(xì)觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細(xì)觀微結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化，避免了在增材制造成型
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種圖案化的組合太陽(yáng)能電池及其彩色太陽(yáng)能電池模塊
本發(fā)明公開了一種圖案化的組合太陽(yáng)能電池及其彩色太陽(yáng)能電池模塊。所述組合太陽(yáng)能電池由多個(gè)彩色太陽(yáng)能電池模塊串聯(lián)而成，包括第一彩色太陽(yáng)能電池模塊、第二彩色太陽(yáng)能電池模塊、……、以及第 N 彩色太陽(yáng)能電池模塊，N≥3；所述彩色太陽(yáng)能電池模塊依次包括陰極層、光活性層以及陽(yáng)極層，所述陽(yáng)極層的厚度為 5nm～500nm，所述陽(yáng)極層由層數(shù)為 1 層～100 層的 PEDOT:PSS 薄膜組成；在所述第一彩色太陽(yáng)能電池模塊至第 N
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14