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物科院趙云山教授在《Advanced Functional Materials》發表研究論文
物科院趙云山教授在低維材料熱電輸運領域取得重要進展。熱電材料通過將環境中廢熱直接轉為有效可利用的電能，為當前能源危機提供了一種可持續、綠色便捷的能源補給途徑，如何提高熱電材料熱電特性成為學者不斷討論和研究的話題。二維半導體材料作為后硅半導體時代重要部分，其具有較高載流子遷移率和較大的有效電子質量，其在熱電領域中應用近年來也引起了廣泛關注。在該工作中，研究人員報道了“能帶工程”可以顯著提高新型二維半導體材料PdSe2的熱電特性，其功率因子可高達1.5 mWm-1K-2。通過退火處理可以降低接觸電阻，同時能夠有效去除雜質缺陷和有機物殘余。研究人員把熱電器件在480K環境中退火4個小時，發現PdSe2導電性提高了將近10倍，同時電子載流子遷移率達到210 cm2V-1S-1，最終熱電因子提高了將近3倍。通過對比不同厚度的PdSe2樣品熱電特性，研究人員發現，越薄的PdSe2呈現出更好的導電和熱電特性。第一性模擬計算證實，隨著厚度降低，導帶中有額外的能帶出現，兩個能級發生了簡并，從而提供更多電子態密度和創造更多電子通道。考慮PdSe2晶格低對稱性導致的較低熱導率，研究人員預測室溫下其ZT可達0.1，優越于目前報道的其他二維半導體材料。此研究證實，熱退火處理和“維度工程”能顯著提高材料的新型二維半導體PdSe2熱電特性，從而為當前不斷涌現的二維半導體材料在低維熱電領域提供了新思路。該工作對于探索低維材料應用于物聯網自供電領域具有深遠意義。
南京師范大學
2021-02-01
一圖速覽國務院機構改革方案
根據國務院關于提請審議國務院機構改革方案的議案，重新組建科學技術部。加強科學技術部推動健全新型舉國體制、優化科技創新全鏈條管理、促進科技成果轉化、促進科技和經濟社會發展相結合等職能，強化戰略規劃、體制改革、資源統籌、綜合協調、政策法規、督促檢查等宏觀管理職責，保留國家基礎研究和應用基礎研究、國家實驗室建設、國家科技重大專項、國家技術轉移體系建設、科技成果轉移轉化和產學研結合、區域科技創新體系建設、科技監督評價體系建設、科研誠信建設、國際科技合作、科技人才隊伍建設、國家科技評獎等相關職責，仍作為國務院組成部門。
新華社
2023-03-08
遙測院碩士生利用GNSS監測臺風獲新進展
近日，我校遙感與測繪工程學院2018級碩士研究生文一朵利用全球衛星導航系統（GNSS）監測臺風獲得新進展，以第一作者在國際重要二區遙感期刊《Remote Sensing》上發表論文，其導師金雙根教授為通訊作者。
南京信息工程大學
2020-02-27
青島鉅策碳材料技術研究院有限公司
青島鉅策碳材料技術研究院有限公司成立于2020年05月26日，注冊地位于山東省青島市黃島區濱海街道古鎮口軍民融合創新示范區融合路687號，法定代表人為朱波。經營范圍包括從事新型材料領域內的技術開發、技術咨詢、技術服務、技術推廣、技術轉讓;生產、銷售：機械設備及配件；經營其他無需行政審批即可經營的一般經營項目。
青島鉅策碳材料技術研究院有限公司
2021-09-03
人體三維測量與三維定制
項目簡介： 目前，針對衣服和鞋子都推出個性定制，高端時尚領域也為之瘋 狂。量體裁衣的難題在于設備昂貴、精確的測量與裁縫的經驗不銜接、 服裝放寬量大，需要更多的經驗、服裝式樣起主導作用，尺寸的誤差 對舒適度影響不大等等；量足制履的難題在于設備比較簡單、腳與鞋 貼合緊密和高跟鞋型與腳型不匹配直接影響舒適度和足部健康等等。
南開大學
2021-04-11
人體三維測量與三維定制
背 景特有技術： 彩色編碼光柵三維測量技術：技術特點： 單幅照片完成三維測量適用范圍： 人體測量量體裁衣 設備昂貴 精確的測量與裁縫的經驗不銜接 服裝放寬量大，需要更多的經驗 服裝式樣起主導作用，尺寸的誤差對舒適度影響不大
南開大學
2021-04-14
云上高博會寄語—江蘇經貿職業技術學院校長薛茂云
江蘇經貿職業技術學院校長薛茂云寄語云上高博會，積極推進中國高等教育博覽會“線上+線下”融合發展。
云上高博會
2020-09-22
一種基于光學天線的片上無線光通信系統
本發明公開了一種基于光學天線的片上無線光通信系統，現有關于光學頻段天線的發明與研究多是基于諸如透鏡、反射鏡等傳統光學器件，這些設計只適用于較大的光學范圍。本發明利用金屬光學天線自身的定向輻射特性，采用片上系統集成的方式，將光學天線發射基站、反射單元、光學天線中繼單元以及光學天線接收終端構成基于光學天線的片上無線光通信系統。該系統能夠大大降低通信網絡中器件的串擾與功耗，同時使得系統空間響應大大減小達到亞波長量級，進而提高整個光纖通信網絡的傳輸帶寬與響應速度。
浙江大學
2021-04-11
一種光伏太陽能硅片上料設備及其系統
本實用新型公開了一種光伏太陽能硅片上料設備，包括：機架；安裝在機架上用于將硅片沿著 X 軸方向輸送路徑可調換方向地輸送至下位機的硅片輸送機構；分別設置在輸送路徑的兩側用于貯存硅片的料盒；處于輸送路徑的上方，通過 Y 軸和 Z 軸方向的移動拾取硅片并將其釋放至輸送路徑上執行輸送的機械手，該機械手還具備硅片分離裝置，由此在拾取硅片的過程中使得相鄰硅片予以分離以便逐一拾取；用于對整體工況提供控制指令的電氣控制系統；以及根據電氣控制系統的控制指令對相應功能元件執行驅動的氣動模塊。本實用新型還公開了相應的上料系統。通過本實用新型，能夠取得上料效率高、降低硅片破損率以及靈活設定傳送方向等方面的優點。
華中科技大學
2021-04-11
借助石墨烯實現Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長
北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優異，能夠滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。
北京大學
2021-04-11