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SKD-3106二氧化硫化蒸餾儀 適用標準： 食品安全國家標準，《食品中二氧化硫的測定》GB5009.34.2022。 《中華人民共和國藥典》第四部通則2331二氧化硫殘留量測定法。   性能特點： 1.1 無人值守: 系統(tǒng)自動完成加熱、控溫、壓縮機制冷、冷卻水循環(huán)、攪拌和蒸餾。 1.2加熱模塊： 采用先進的遠紅外陶瓷輻射加熱技術，無明火，功耗小，效率高，壽命長，加熱均勻，不易爆沸，耐腐蝕。 各加熱組件均可單獨控制,互不干擾。 1.3制冷循環(huán)模塊： 外置制冷：外置定制小體積壓縮制冷組件，冷卻水密閉循環(huán),節(jié)省空間。 1.4蒸餾液防倒吸 儀器蒸餾管路設有單向裝置，有效防止蒸餾停止加熱后蒸餾液倒吸現(xiàn)象。 1.5蒸餾模式 定時蒸餾:(1-600)分鐘任意設定,根據設定程序蒸餾，到定時時間自動停止蒸餾． 各單元蒸餾時間均可獨立設置。 1.6方法內置 蒸餾儀內置蒸餾方法，可直接調取，無需頻繁輸入重復數(shù)據；亦可根據實驗需求自定義方法并保存應用。 1.7 自動攪拌裝置 接收瓶底部內置磁力攪拌裝置，隱藏式設計，美觀大方，各單元攪拌轉速可獨立設置。 1.8 氮氣自動控制 自動控制氮氣開啟，無需人工操作，儀器內置流量控制裝置，能有效調節(jié)氮氣流量。 2、技術參數(shù)： 2.1蒸餾數(shù)量：6通道 2.2現(xiàn)實操作：7寸高清觸摸液晶屏 2.3控制核心：單片機控制 2.4加熱方式：遠紅外陶瓷輻射加熱,無明火 2.5升溫時間：＜8min 2.6溫度控制：（室溫～450）℃ 2.7時間控制：1-600min 2.8防倒吸功能：內置蒸餾防倒吸保護 2.9蒸餾終點控制：定時控制 2.10單通道單控：有 2.11冷卻方式：外置制冷壓縮機 2.12方法內置：內置蒸餾方法，可直接選擇或編輯后保存方法，無需頻繁輸入重復數(shù)據；亦可根據實驗需求自定義方法并保存應用。 2.13自動化設計： 2.13.1 具有一鍵啟停功能 2.13.3 相同蒸餾參數(shù)6通道一鍵設定 2.13.4 顯示屏實時動態(tài)顯示蒸餾量。  

產品詳細介紹上海化科,L型二氧化碳純度測定儀，四氟芯閥門產品地址：http://www.shhk.com.cn/product_detail-1139.htm L型二氧化碳純度測定儀（F），規(guī)格99.00%～99.999用途：適用于工業(yè)液體二氧化碳（GB/T6052-1993）、焊接用二氧化碳（HG/T2537-1993）、焊接用混合氣體氬-二氧化碳（HG/T3728-2004）、食品級二氧化碳（GB10621-2006）的分析。使用說明：1.本產品安裝時為了保證密和性，活塞芯、活塞必須清潔。2.清洗儀器后，打開C、D活塞，待測氣體由B管進入A球，約1分鐘后，關閉C、D活塞，如圖所示。3.將吸收液(KOH)加入E漏斗至105ml。4.標線處。慢慢打開活塞D,吸收液由漏斗E進入球A，邊流入邊吸收，等待吸收過程完成后，關閉活塞D，將儀器向右翻轉。5.未吸收的其他存于細管中，仔細讀數(shù)，既得百分比含量。L型二氧化碳純度測定儀，運用堿液吸收法測量二氧化碳的純度。具有操作方便、測定準確、誤差小等優(yōu)點。被廣泛用于氣體檢測站，啤酒廠及汽水、可樂、綠茶等碳酸飲料廠。L型二氧化碳純度測定儀是目前市面上精度最高的二氧化碳純度測定儀，準確性比進口的純度儀高10倍。 CO2純度與球面尺刻度關系對照表氣泡外緣直徑(mm)-純度(%)氣泡(mm)純度(%)氣泡(mm)純度(%)氣泡(mm)純度(%)1.099.9994.099.976.599.902.099.9954.599.967.099.882.599.9905.099.957.599.853.099.9855.599.948.099.823.599.9806.099.928.599.80  上海化科實驗器材：http://www.shhk.com.cn/ 訂單郵箱：sales@shhk.com.cn（推薦）咨詢電話：021-67652117，57602161QQ 在線：1152028600。大量供應:L型二氧化碳純度測定儀。  

采用高性能200W像素1/2.8英寸CMOS圖像傳感器，低照度效果好，圖像清晰度高 可輸出200萬(1920X1080)@25fps 支持H.265編碼，壓縮比高，超低碼流 支持CVBS/SDI輸出 最大紅外監(jiān)控距離30米 支持防閃爍，寬動態(tài)，3D降噪，強光抑制，背光補償，數(shù)字水印，電子防抖，適用不同監(jiān)控環(huán)境 支持H.264H,H.264,H264B,H.265，靈活編碼，適用不同帶寬和存儲環(huán)境 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網絡異常，非法訪問，動態(tài)檢測，區(qū)域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢測，客流量統(tǒng)計，區(qū)域人數(shù)統(tǒng)計,熱度圖 支持報警2進2出，音頻1進1出，RS485，BNC，128G SD卡，內置MIC 支持DC12V/POE供電方式，支持電源返送，最大電流1A,方便工程安裝 支持IP67防護等級 類別 參數(shù) 參數(shù)值 外觀 紅外槍 傳感器類型 1/2.8英寸CMOS 最大分辨率 200萬 掃描方式 逐行掃描 電子快門 1/3s~1/100000s;可手動或自動調節(jié) 最低照度 0.002Lux(彩色模式);0.0002Lux(黑白模式);0Lux(紅外燈開啟) 信噪比 ＞56dB 最大補光距離 30米 補光燈數(shù)量 雙燈 強光抑制 支持 外調焦 支持 鏡頭類型 定焦 鏡頭接口 M12 鏡頭焦距 3.6mm 鏡頭光圈 3.6mm:F1.8 視場角 3.6mm:水平:76°;垂直:46° 對角:80.5° 光圈控制 固定 近攝距 3.6mm：0.9mm 智能 支持 智能功能 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網絡異常，非法訪問，動態(tài)檢測，區(qū)域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢 測，客流量統(tǒng)計，區(qū)域人數(shù)統(tǒng)計，熱度圖,并且可以與報警聯(lián)動;支持多種觸發(fā)規(guī)則聯(lián)動動作;支持目標過濾

本發(fā)明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構成完整的器件。本發(fā)明通過簡單的磁控濺射方法，控制濺射時間，在ZnO納米棒上生長不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測器件不僅具有更好的紫外光響應，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時，明暗電流比為5.5×103，提高了一個數(shù)量級，同時具有更快速的響應和恢復時間，分別是0.883和0.956s。

以配合物與被檢測物（農殘等有害物）間形成人工配體受體關系從而實現(xiàn)對被檢測物的分子識別，同時它們具有很好的光學性能即與被測物分子間相互作用會產生特異的光譜響應，通過納米與酶的復合物構建微芯片可建立對被檢測物的“指紋圖譜”，因此，可實現(xiàn)農藥殘留快速檢測。檢測結果具有特異性識別的“分子指紋圖譜”效果。系統(tǒng)由微陣列芯片、微分析系統(tǒng)、光學信號采集、轉化系統(tǒng)、信號的分析處理與顯示系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、微控制系統(tǒng)及數(shù)據庫的集成。該系統(tǒng)選擇具有特異性分子識別作用的卟啉分子，構建微傳感陣列，以微傳感陣列與被測物分子相互

近期，我院肖瑞春副教授與中國科學院合肥物質科學研究院張昌錦研究員課題組及其合作者在二維滑移鐵電材料中發(fā)現(xiàn)了與鐵電序不完全同步的體光伏效應，這一結果豐富了人們對鐵電序和體光伏效應之間關系的理解，相關研究成果近期發(fā)表在《npjComputationalMaterials》上。

利用腸道工程菌及其代謝產物，創(chuàng)制新一代“生物活藥”，用于增強機能、治療疾病，已成為生物醫(yī)藥科學領域的前沿研究熱點。其中，如何無創(chuàng)精準在體調控工程菌定植及給藥，一直是工程菌生物醫(yī)學應用轉化的難點之一。

北京化工大學計算機軟件及管理平臺采購競爭性磋商

中國地質大學（北京）人工智能實驗實踐創(chuàng)新教學平臺競爭性磋商

在傳統(tǒng)貴金屬（金、銀等）之外發(fā)掘出具有高性能等離激元效應的非金屬新材料，是當前等離激元學基礎研究及應用研發(fā)的一個熱點與難點。金屬氧化物半導體材料具有豐富可調的光、電、熱、磁等性質，對其采取氫化處理可有效修飾其電子結構，從而獲得豐富可調的等離激元效應；此處的一個關鍵性挑戰(zhàn)在于如何顯著提高金屬氧化物半導體材料內稟的低自由載流子濃度。基于該研究團隊新近發(fā)展的、理論模擬計算指導下的電子-質子協(xié)同摻氫策略，在本工作中研究人員采用簡便易行的金屬-酸溶液原位聯(lián)合處理方法實現(xiàn)了金屬氧化物MoO3半導體材料在溫和條件下的可控加氫（即實現(xiàn)了“本征半導體→準金屬”的可控相變），從而突破性地大幅提升了該材料中的自由載流子濃度。研究表明，氫化后的MoO3材料中自由電子濃度與貴金屬相當（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），這使得該材料的等離激元共振響應從近紅外區(qū)移至可見光區(qū)，且兼具強增益及可調性。結合第一性原理模擬計算和以超快光譜為主的多種物性表征，研究人員進一步揭示出該協(xié)同摻氫所導致的準金屬能帶結構及相應的等離激元動力學性質。作為效果驗證，研究人員在一系列表面增強拉曼光譜（SERS）實驗中證實該材料表面等離激元局域強場可使吸附的羅丹明6G染料分子的SERS增強因子高達1.1×107（相較于一般半導體的104?5和貴金屬的107?8），檢測靈敏限低至納摩量級（1×10-9mol L-1）。 這項工作創(chuàng)新性地發(fā)展出一種調控非金屬半導體材料系統(tǒng)中自由載流子濃度的一般性策略，不僅低成本地實現(xiàn)了具有強且可調的等離激元效應的準金屬相材料，而且顯著地拓寬了半導體材料物化性質的可變范圍，為新型金屬氧化物功能材料的設計提供了嶄新的思路和指導。