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采用高性能200W像素1/2.8英寸CMOS圖像傳感器，低照度效果好，圖像清晰度高 可輸出200萬(1920X1080)@25fps 支持H.265編碼，壓縮比高，超低碼流 支持CVBS/SDI輸出 最大紅外監(jiān)控距離30米 支持防閃爍，寬動(dòng)態(tài)，3D降噪，強(qiáng)光抑制，背光補(bǔ)償，數(shù)字水印，電子防抖，適用不同監(jiān)控環(huán)境 支持H.264H,H.264,H264B,H.265，靈活編碼，適用不同帶寬和存儲(chǔ)環(huán)境 支持遮擋報(bào)警，虛焦偵測，SD卡異常，網(wǎng)絡(luò)異常，非法訪問，動(dòng)態(tài)檢測，區(qū)域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動(dòng)，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報(bào)警，起立檢測，客流量統(tǒng)計(jì)，區(qū)域人數(shù)統(tǒng)計(jì),熱度圖 支持報(bào)警2進(jìn)2出，音頻1進(jìn)1出，RS485，BNC，128G SD卡，內(nèi)置MIC 支持DC12V/POE供電方式，支持電源返送，最大電流1A,方便工程安裝 支持IP67防護(hù)等級 類別 參數(shù) 參數(shù)值 外觀 紅外槍 傳感器類型 1/2.8英寸CMOS 最大分辨率 200萬 掃描方式 逐行掃描 電子快門 1/3s~1/100000s;可手動(dòng)或自動(dòng)調(diào)節(jié) 最低照度 0.002Lux(彩色模式);0.0002Lux(黑白模式);0Lux(紅外燈開啟) 信噪比 ＞56dB 最大補(bǔ)光距離 30米 補(bǔ)光燈數(shù)量 雙燈 強(qiáng)光抑制 支持 外調(diào)焦 支持 鏡頭類型 定焦 鏡頭接口 M12 鏡頭焦距 3.6mm 鏡頭光圈 3.6mm:F1.8 視場角 3.6mm:水平:76°;垂直:46° 對角:80.5° 光圈控制 固定 近攝距 3.6mm：0.9mm 智能 支持 智能功能 支持遮擋報(bào)警，虛焦偵測，SD卡異常，網(wǎng)絡(luò)異常，非法訪問，動(dòng)態(tài)檢測，區(qū)域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動(dòng)，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報(bào)警，起立檢 測，客流量統(tǒng)計(jì)，區(qū)域人數(shù)統(tǒng)計(jì)，熱度圖,并且可以與報(bào)警聯(lián)動(dòng);支持多種觸發(fā)規(guī)則聯(lián)動(dòng)動(dòng)作;支持目標(biāo)過濾

SKD-3106二氧化硫化蒸餾儀 適用標(biāo)準(zhǔn)： 食品安全國家標(biāo)準(zhǔn)，《食品中二氧化硫的測定》GB5009.34.2022。 《中華人民共和國藥典》第四部通則2331二氧化硫殘留量測定法。   性能特點(diǎn)： 1.1 無人值守: 系統(tǒng)自動(dòng)完成加熱、控溫、壓縮機(jī)制冷、冷卻水循環(huán)、攪拌和蒸餾。 1.2加熱模塊： 采用先進(jìn)的遠(yuǎn)紅外陶瓷輻射加熱技術(shù)，無明火，功耗小，效率高，壽命長，加熱均勻，不易爆沸，耐腐蝕。 各加熱組件均可單獨(dú)控制,互不干擾。 1.3制冷循環(huán)模塊： 外置制冷：外置定制小體積壓縮制冷組件，冷卻水密閉循環(huán),節(jié)省空間。 1.4蒸餾液防倒吸 儀器蒸餾管路設(shè)有單向裝置，有效防止蒸餾停止加熱后蒸餾液倒吸現(xiàn)象。 1.5蒸餾模式 定時(shí)蒸餾:(1-600)分鐘任意設(shè)定,根據(jù)設(shè)定程序蒸餾，到定時(shí)時(shí)間自動(dòng)停止蒸餾． 各單元蒸餾時(shí)間均可獨(dú)立設(shè)置。 1.6方法內(nèi)置 蒸餾儀內(nèi)置蒸餾方法，可直接調(diào)取，無需頻繁輸入重復(fù)數(shù)據(jù)；亦可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自定義方法并保存應(yīng)用。 1.7 自動(dòng)攪拌裝置 接收瓶底部內(nèi)置磁力攪拌裝置，隱藏式設(shè)計(jì)，美觀大方，各單元攪拌轉(zhuǎn)速可獨(dú)立設(shè)置。 1.8 氮?dú)庾詣?dòng)控制 自動(dòng)控制氮?dú)忾_啟，無需人工操作，儀器內(nèi)置流量控制裝置，能有效調(diào)節(jié)氮?dú)饬髁俊?2、技術(shù)參數(shù)： 2.1蒸餾數(shù)量：6通道 2.2現(xiàn)實(shí)操作：7寸高清觸摸液晶屏 2.3控制核心：單片機(jī)控制 2.4加熱方式：遠(yuǎn)紅外陶瓷輻射加熱,無明火 2.5升溫時(shí)間：＜8min 2.6溫度控制：（室溫～450）℃ 2.7時(shí)間控制：1-600min 2.8防倒吸功能：內(nèi)置蒸餾防倒吸保護(hù) 2.9蒸餾終點(diǎn)控制：定時(shí)控制 2.10單通道單控：有 2.11冷卻方式：外置制冷壓縮機(jī) 2.12方法內(nèi)置：內(nèi)置蒸餾方法，可直接選擇或編輯后保存方法，無需頻繁輸入重復(fù)數(shù)據(jù)；亦可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自定義方法并保存應(yīng)用。 2.13自動(dòng)化設(shè)計(jì)： 2.13.1 具有一鍵啟停功能 2.13.3 相同蒸餾參數(shù)6通道一鍵設(shè)定 2.13.4 顯示屏實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)顯示蒸餾量。  

本設(shè)備適用于高等院校及要求較高的中專、技校、職業(yè)學(xué)校，可完成電工學(xué)、電工原理、電路分析、模擬電子技術(shù)、教字電路,電氣控制設(shè)備等課程實(shí)驗(yàn)。該設(shè)備是現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的更新?lián)Q代或新建、擴(kuò)建實(shí)驗(yàn)室的理想產(chǎn)品,它的配備是學(xué)校上水平、上等級的重要標(biāo)志。 ? 一、用途、特點(diǎn): ?　　目前，國內(nèi)各類學(xué)校電工、模擬、數(shù)字電路、電氣控制實(shí)驗(yàn)大多是分體的，也有部分學(xué)校根據(jù)教學(xué)要求自制各種形式的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，由于工量少，受自身加工能力的限制，加工工藝粗糙，功能不全，滿足不了實(shí)驗(yàn)要求，也容易發(fā)生人身及設(shè)備事故，且實(shí)驗(yàn)元器件繁多難購置、難以管理，很難開出實(shí)驗(yàn)大綱規(guī)定的實(shí)驗(yàn)?；耍覐S吸取德國及國內(nèi)同類產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)合我國高教，職教教學(xué)大綱要求而研制本系列產(chǎn)品。 　　實(shí)驗(yàn)臺(tái)具有較完善的安全保護(hù)措施，較齊全的功能。實(shí)驗(yàn)操作桌中央配有通用電路插扳，電路插板注塑而成，表面均布有九孔成一組相互聯(lián)通的插孔，元件盒在其上任意拼插成實(shí)驗(yàn)電路；元件盒盒體透明，直觀性好，盒蓋印有永不褪色元件符號(hào)，線條清晰美觀。盒體與盒蓋采用較科學(xué)的壓卡式結(jié)構(gòu)，維修、更換元件拆裝方便。元器件放置在實(shí)驗(yàn)操作桌下邊左右柜內(nèi)，實(shí)驗(yàn)時(shí)取存方便，大大提高了管理水平，規(guī)劃化程度，大大減輕了教師實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備工作。 　?二、結(jié)構(gòu)與配備 1、實(shí)驗(yàn)臺(tái)桌:見彩圖，一臺(tái)二座，臺(tái)桌外形尺寸:160X70X8Ocm。臺(tái)桌中央配置通用電路板。每張臺(tái)桌配一粒膠皮板，以保護(hù)通用電路板及桌面(如需要在其上放置電機(jī)、焊接等)。臺(tái)桌下都是元件儲(chǔ)存柜，放置元器件。 2、實(shí)驗(yàn)臺(tái):共12臺(tái)，每張學(xué)生實(shí)驗(yàn)操作桌上配置l臺(tái) 3、示教臺(tái):1臺(tái)示教臺(tái)，分別控制12臺(tái)學(xué)生的電源，通用電路板演示屏立在實(shí)驗(yàn)臺(tái)上，尺寸150X7Ocm，用于講解、演示。 4、器材配備: 39只指針式1.5級直流電流表、13只MF500萬用表，13只數(shù)字萬用表.25套電烙鐵和烙鐵架、13套剝線鉗、尖嘴鉗、螺絲刀等工具，13套實(shí)驗(yàn)所需的電阻.電位器.電感、電容.集成電路.變壓器.條形磁鐵.邏輯電平開關(guān)、邏輯電平顯示 .91只集成座等元件單元盒(元件已裝在單元盒內(nèi))，25張塑料凳。 5·用戶自備器材:雙蹤示波器(型號(hào)不限)，功率表、滑線變阻器、毫伏表 三、實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目: ? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、模擬部分實(shí)驗(yàn) 1·二極管的正、反相特性　　　　 2·晶體三極管的輸入、輸出特性　 3·晶體管共射極單管放大器　　　 4·兩級阻客搞合放大電路　　　　 5·負(fù)反饋對放大器性能的影響　　 6·場效應(yīng)管放大器　　　　　　　 7·差動(dòng)放大電路　　　　　　　　 8·運(yùn)算放大器指標(biāo)測試　　　　　 9·集成運(yùn)算放大器的基本應(yīng)用(多種模擬運(yùn)算電路)　 10·集成運(yùn)算放大器非線性應(yīng)用（多種波形發(fā)生器）　 11· 變壓器耦合推挽功率放大器 12·OTL功率放大器 13· 集成功率放大器 14·單相橋式整流電路 15·串聯(lián)型晶體管直流穩(wěn)壓電源(設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)) 16·集成直流穗壓電源 17·單結(jié)晶體管特性 18·單結(jié)晶體管觸發(fā)電路 19·晶閘管簡單測試 20·晶閘管可控整流電路 利用上述20項(xiàng)實(shí)驗(yàn)元器件還可完成下面實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目 l·電壓負(fù)反饋偏置電路　　　　　　 2·分壓式電流負(fù)反債偏置電路　　　 3·用二極管穗定工作點(diǎn)　　　　　　 4·共基極放大電路　　　　　　　? 5·共集電極放大電路　　　　　　? 6·共源極基本放大電路? 7·場效應(yīng)管共漏極電路 8·場效應(yīng)管共柵極電路 9·單管阻客放大電路 10·變壓器耦合放大電路 11·甲類功率放大電路 12·串聯(lián)電流負(fù)反饋電路 13·串聯(lián)電壓負(fù)反饋電路 14·并聯(lián)電壓負(fù)反饋電路 15·串聯(lián)型晶體管直流穩(wěn)壓電源(設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)) 16·共基共射極放大電路 17·自舉射極輸出電路? 18·NPN一PNP直接耦合放大電路 19·用負(fù)反饋消除自激根箔 20·晶體管開關(guān)作用 21·變壓器反饋式振蕩電路 22·電容三點(diǎn)式振蕩電路 23·電感三點(diǎn)式振蕩電路 24·差動(dòng)放大電路的基本形式 25·長尾式差動(dòng)放大電路 26·雙電源長尾式差動(dòng)放大電路 27·運(yùn)放用作交流比例放大 28·反相輸入保護(hù)措施 29·同相輸入保護(hù)措施 30·電源極性錯(cuò)接的保護(hù) 31·RC高通電路 32·利用三極管來保護(hù)器件 33·差動(dòng)輸入運(yùn)算電路 34·快速積分電路 35·模擬一階微分方程電路 36·模擬二階微分方程電路 37·基本對數(shù)運(yùn)算電路 38·實(shí)用微分電路 39·反對數(shù)放大基本電路 40·簡單的過零比較電路 ? 41·利用二級管作為上限檢測幅度選擇電路 42·下限幅度選擇電路 43·RC無源網(wǎng)絡(luò)的低通濾波電路 44·同相輸入一階低通濾波電路 45·反相輸入一階低通濾波電路 46·簡單的二階RC濾波電路 47·典型二階RC有源低通濾波電路 48.典型二階高通有源濾波電路 49·基本帶通濾波電路 50·典型帶通濾波電路 51·矩型波振蕩電路 52·寬度可調(diào)的矩形波發(fā)生器 53·幅頻可調(diào)的鋸齒波發(fā)生器 54·單相半波整流電路 55·單相全波整流電路 56·電容濾波電路 57·電容濾波帶電阻負(fù)載 58·RC濾波電路 59·基本LC濾波電路 60·二倍壓整流電路 61·三倍壓整流電路 62·基本穩(wěn)壓電路 63．基本調(diào)整管穩(wěn)壓電路 64·具有放大環(huán)節(jié)的穩(wěn)壓電路 65·單相半波可控硅整流 66·電子調(diào)壓電路 67·電子催眠器一一趣味性實(shí)驗(yàn)一 68·電子門鈴電路一一趣味性實(shí)驗(yàn)二 69·電子報(bào)警電路一一趣味性實(shí)驗(yàn)三 15·并聯(lián)電流負(fù)反饋電路 2、數(shù)字部分實(shí)驗(yàn) l·TTL集成邁林門的參數(shù)測試 2．CMOS邏輯門的參數(shù)測試 3．TTL集成電極開路門與三態(tài)輸出門的應(yīng)用 4·與、非·或、與非門電路實(shí)驗(yàn) 5·半加器電路實(shí)驗(yàn) 6·全加器電路實(shí)驗(yàn) 7．RS觸發(fā)器實(shí)驗(yàn) 8．D觸發(fā)器實(shí)驗(yàn) 9．JK觸發(fā)器實(shí)驗(yàn) IO·T觸發(fā)器實(shí)驗(yàn) 11．JK型觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成D觸發(fā)器 12·D型觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成JK觸發(fā)器 l3。計(jì)數(shù)器實(shí)驗(yàn) 14·MSI移位寄存器及其應(yīng)用 15·譯碼器及其變換方式 16·MSI數(shù)據(jù)選擇器及邏輯設(shè)計(jì) 17·微分型單穩(wěn)態(tài)電路? 18·環(huán)形多諧振薄器? 19·利用門電路構(gòu)成編碼器，分配器、選擇器 20·組合電路的設(shè)計(jì)之一一一編碼轉(zhuǎn)換? 21．組合電路的設(shè)計(jì)之二一一顯示電路 22·同步時(shí)序電路的設(shè)計(jì) 23·計(jì)算機(jī)時(shí)序電路的設(shè)計(jì) 24·集成定時(shí)器測試及應(yīng)用 25·CMOS集成A/D、D/A轉(zhuǎn)換電路實(shí)驗(yàn) 26·二極管非門·或非門電路 27·三極管非門、與非門、或非門電路 28·異步十進(jìn)制減法計(jì)數(shù)器 29·異步十進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器 30·綜合能力培訓(xùn)實(shí)驗(yàn)一一電子秒表

產(chǎn)品詳細(xì)介紹上海化科,L型二氧化碳純度測定儀，四氟芯閥門產(chǎn)品地址：http://www.shhk.com.cn/product_detail-1139.htm L型二氧化碳純度測定儀（F），規(guī)格99.00%～99.999用途：適用于工業(yè)液體二氧化碳（GB/T6052-1993）、焊接用二氧化碳（HG/T2537-1993）、焊接用混合氣體氬-二氧化碳（HG/T3728-2004）、食品級二氧化碳（GB10621-2006）的分析。使用說明：1.本產(chǎn)品安裝時(shí)為了保證密和性，活塞芯、活塞必須清潔。2.清洗儀器后，打開C、D活塞，待測氣體由B管進(jìn)入A球，約1分鐘后，關(guān)閉C、D活塞，如圖所示。3.將吸收液(KOH)加入E漏斗至105ml。4.標(biāo)線處。慢慢打開活塞D,吸收液由漏斗E進(jìn)入球A，邊流入邊吸收，等待吸收過程完成后，關(guān)閉活塞D，將儀器向右翻轉(zhuǎn)。5.未吸收的其他存于細(xì)管中，仔細(xì)讀數(shù)，既得百分比含量。L型二氧化碳純度測定儀，運(yùn)用堿液吸收法測量二氧化碳的純度。具有操作方便、測定準(zhǔn)確、誤差小等優(yōu)點(diǎn)。被廣泛用于氣體檢測站，啤酒廠及汽水、可樂、綠茶等碳酸飲料廠。L型二氧化碳純度測定儀是目前市面上精度最高的二氧化碳純度測定儀，準(zhǔn)確性比進(jìn)口的純度儀高10倍。 CO2純度與球面尺刻度關(guān)系對照表氣泡外緣直徑(mm)-純度(%)氣泡(mm)純度(%)氣泡(mm)純度(%)氣泡(mm)純度(%)1.099.9994.099.976.599.902.099.9954.599.967.099.882.599.9905.099.957.599.853.099.9855.599.948.099.823.599.9806.099.928.599.80  上?；茖?shí)驗(yàn)器材：http://www.shhk.com.cn/ 訂單郵箱：sales@shhk.com.cn（推薦）咨詢電話：021-67652117，57602161QQ 在線：1152028600。大量供應(yīng):L型二氧化碳純度測定儀。  

產(chǎn)品詳細(xì)介紹小型節(jié)能回流焊530上三下二/五溫區(qū)回流焊QS-F530  http://www.qinsidianzi.com/

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 低功耗型紅外二氧化碳傳感器COZIR- ambient 功耗僅3.5mW，帶溫度補(bǔ)償，濕度補(bǔ)償，以及感知白天黑夜的環(huán)境狀態(tài)。預(yù)熱時(shí)間僅10S，內(nèi)置PCB板的封裝。有量程0-2000ppm, 0-5000ppm, 0-1%供選擇。性能：1)功耗 3.5mW2)峰值電流 33mA3)平均電流小于1.1mA4)電源 3.3～5V5)T90 ＜3分鐘6)標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)溫度范圍 0°C to 50°C（可擴(kuò)展-25°C to 55°C）7)濕度適用范圍 0 to 95% RH8)存儲(chǔ)溫度-30°C to +70°C9)尺寸 43mm x 15mm可選項(xiàng)：溫濕度傳感器，以及其他數(shù)字輸出

中南民族大學(xué)廣播系統(tǒng)采購項(xiàng)目（第二次）競爭性磋商

東北大學(xué)智能制造綜合實(shí)驗(yàn)平臺(tái)建設(shè)競爭性磋商

金屬鎂可以用于二次電池的負(fù)極材料，具有資源豐富、環(huán)境友好、理論體積容量高、鎂沉積/溶解過程不易形成枝晶等優(yōu)點(diǎn)，在大規(guī)模儲(chǔ)能體系中具有很大的應(yīng)用潛力。然而，由于二價(jià)鎂離子的電荷半徑比大、極化率高，導(dǎo)致其與常規(guī)儲(chǔ)鎂正極材料中的晶格陰離子之間發(fā)生強(qiáng)的靜電相互作用，阻礙Mg2+離子在正極活性材料中的嵌入和擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)，導(dǎo)致充放電速度緩慢。因此，鎂二次電池非常欠缺高性能的正極材料，嚴(yán)重阻礙了該領(lǐng)域的研究發(fā)展與應(yīng)用。 近日，南京大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院、介觀化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、江蘇省先進(jìn)有機(jī)材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室金鐘教授帶領(lǐng)的“清潔能源材料與器件機(jī)制”研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)了基于一種特殊的置換反應(yīng)機(jī)制、非化學(xué)計(jì)量比的立方相硒化銅，用于高倍率的鎂二次電池正極材料。以該硒化銅為正極、金屬鎂為負(fù)極組裝的鎂電池能夠在100 mA g-1下表現(xiàn)出222 mAh g-1的最大放電比容量，在1000 mA g-1大電流密度下放電比容量仍可達(dá)155 mAh g-1，此外，在1000 mA g-1大電流密度下，電池循環(huán)500次之后，容量保持率約為84.3%。 該團(tuán)隊(duì)通過簡單的一步溶劑熱法合成了一種高結(jié)晶度的非化學(xué)計(jì)量比的立方相Cu2-xSe納米片（圖1）。以Cu2-xSe為正極組裝鎂電池在100 mA g-1下循環(huán)25次后，放電比容量達(dá)到最大222 mAh g-1，在300、500和1000 mA g-1下，放電比容量分別可保持為182、166和155 mAh g-1，表現(xiàn)出優(yōu)異的倍率性能（圖2）。此外，該工作從正極和負(fù)極兩方面對電池經(jīng)歷較長的活化過程給予了一定的解釋（圖2f）。具體而言，隨著Mg2+的嵌入和脫出，Cu2-xSe電極材料的尺寸會(huì)逐漸減小，而適當(dāng)減小活性材料的尺寸可以有效地縮短Mg2+的擴(kuò)散路徑，便于活性材料與電解液充分接觸，從而使容量增加。對于Mg負(fù)極來說，電解液中具有腐蝕性的氯離子會(huì)腐蝕Mg負(fù)極表面的氧化物等鈍化層，從而使Mg負(fù)極表面暴露出更多具有活性的金屬鎂表面，從而利于容量的提升和穩(wěn)定。最后，通過非原位表征技術(shù)（包括XRD、XPS、TEM和EDX等）對不同充/放電狀態(tài)的電極片進(jìn)行詳細(xì)表征，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明非計(jì)量比Cu2-xSe正極材料的儲(chǔ)鎂機(jī)制為一種特殊的鎂/銅離子置換反應(yīng)。該研究為基于可逆離子置換反應(yīng)機(jī)制的新型高性能多價(jià)離子電池電極材料的設(shè)計(jì)提供了新的思路。