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一種通過用膠帶預處理基底來氣相沉積生長單層MoS 2 枝晶的方法，有意在初始成核階段和/或生長過程中引入孿晶缺陷，實現單層MoS 2 樹枝晶的形貌調控。所得的MoS 2 晶體具有六次對稱的骨架，分枝數可調。其形狀的演化過程是由膠黏劑種子誘導的雙晶缺陷形核和局部硫/鉬源蒸氣比的協同效應所引起的。此外，由于硫空位的富集，極大地增強了循環孿晶區的光致發光效率。該工作為合成可控形狀的單層MoS 2 提供了一種簡便有效的策略，同時也為理解孿晶缺陷的生長機制以及在其電催化和光電催化等領域的應用做出了貢獻。

專利申請時，成果處于研發階段，技術處于國內空白。

上海交通大學生命科學技術學院、微生物代謝國家重點實驗室吳更教授與武漢大學王連榮、陳實教授團隊合作，揭示了細菌DNA硫化修飾中催化第一步反應的半胱氨酸脫硫酶發生構象變化，使其活性位點半胱氨酸朝向底物半胱氨酸移動5.5埃以發起攻擊的催化機制。最新研究成果以“Structural Analysis of an L-Cysteine Desulfurase from an Ssp DNA Phosphorothioation System”為題發表在《mBio》雜志上。劉立瓊等為第一作者，吳更、王連榮為通訊作者，上海交通大學生命科學技術學院、微生物代謝國家重點實驗室為第一單位。本文是團隊自2018年Nature Communications上發表的細菌采用SBD結構域識別硫化修飾DNA的結構機理及2020年Nature Microbiology上發表的II型DNA硫化修飾系統的SspB、SspE晶體結構的延續和擴展。 在細菌的DNA硫化修飾（不管是早先發現的Dnd修飾系統還是新近發現的Ssp修飾系統）途徑中，都由一個半胱氨酸脫硫酶催化第一步的反應，即半胱氨酸脫硫酶的活性位點半胱氨酸對底物半胱氨酸上的硫原子發起親核攻擊反應，將活化的硫原子轉移到半胱氨酸脫硫酶的活性位點半胱氨酸上，以進行后續的將硫原子加進DNA的反應。2020年4月初團隊在Nature Microbiology上發表的文章“SspABCD-SspE is a phosphorothioation-sensing bacterial defense system with broad antiphage activities”，從探索海洋弧菌的高頻單鏈磷硫酰化修飾入手，通過比較基因組學和分子遺傳學手段，鑒定出以SspABCD為修飾元、SspE為限制元的單鏈磷硫酰化限制-修飾系統。該系統與之前發現的磷硫酰化（以DndABCDE為修飾元以產生雙鏈DNA磷硫酰化、DndFGH為限制元）的Dnd系統均迥然不同，并首次闡明了細菌磷硫酰化限制-修飾系統賦予宿主抑制噬菌體入侵的能力。同時，通過結構生物學和生物化學手段，解析了SspB蛋白的晶體結構，揭示其兩個保守motif的關鍵殘基對其DNA缺刻酶活性非常重要；解析了SspE蛋白的晶體結構，發現其N端結構域有依賴于DNA磷硫酰化修飾的NTP水解酶活性，而其C端結構域有DNA缺刻酶活性，從而闡明了該系統DNA磷硫酰化修飾與限制兩部分功能耦合的分子機理。研究還發現SspABCD作為修飾蛋白在宿主基因組DNA上產生磷硫酰化修飾，SspE作為限制元能夠感應基因組DNA上的磷硫酰化修飾從而區別宿主自身與外源的遺傳物質，并利用其核酸酶活性對入侵噬菌體的DNA進行大范圍的缺刻，從而抑制噬菌體DNA的復制。 本研究解析了新發現的II型DNA硫化修飾系統中的半胱氨酸脫硫酶SspA（來源于弧菌）與底物半胱氨酸的復合物晶體結構，分辨率為1.8埃。結構揭示SspA通過其天冬酰胺N150和精氨酸R340殘基來識別底物半胱氨酸，如果將這兩個殘基突變則會嚴重破壞細菌的DNA硫化修飾。在結構中，SspA的活性位點半胱氨酸C314與底物半胱氨酸的距離長達8.9埃，這就產生了一個有趣的問題——SspA是怎么催化脫硫反應的？通過計算機分子動力學模擬，作者發現SspA的活性位點半胱氨酸C314在催化過程中向底物半胱氨酸移動了5.5埃，從而把它們之間的距離縮短到便于發生反應的范圍內。本研究通過簡正模式分析，發現弧菌的SspA、大腸桿菌的IscS、鏈霉菌的DndA（這兩個都是I型DNA硫化修飾系統的）的活性位點半胱氨酸雖然處在不同的相對位置和不同的二級結構上，但都有著向各自的底物半胱氨酸的運動。 本研究進一步通過在上海光源BL19U2生物小角X射線散射（簡稱SAXS）線站收集的數據，從頭搭建了SspA在溶液中結構的分子模型。發現SspA在溶液中的結構與分子動力學模擬后SspA的結構更為接近，它們之間的SAXS數據的χ2偏差只有1.04埃，遠低于從SspA的晶體結構推算出的SAXS數據之間的χ2偏差3.70埃。這從實驗上證實了前述的計算機分子動力學模擬和簡正模式分析的結果。 弧菌SspA的活性位點半胱氨酸在催化過程中，活性位點半胱氨酸朝向底物半胱氨酸移動了5.5埃的距離 （A）分子動力學模擬  （B）簡正模式分析   （C）小角X射線散射實驗數據與晶體結構經過分子動力學模擬后的結果和晶體結構的比較   本研究通過X射線晶體結構解析、分子動力學模擬、小角X射線散射等多種研究手段的結合，揭示了細菌DNA硫化修飾這一神奇現象中催化關鍵的第一步半胱氨酸底物脫硫反應的酶的催化機理，解答了半胱氨酸脫硫酶家族是如何克服活性位點半胱氨酸與底物半胱氨酸之間很長的距離這一長期懸而未決的問題，使人們對于細菌DNA硫化修飾的認識和理解又前進了一步。該研究獲國家自然科學基金（31872627、31670106）的支持。????

產品詳細介紹 硫化氫氣體檢測管 比長式氣體檢測管原理及使用方法原理CO、CO2、H2S、O2、SO2、NH3等檢測管的基本測定原理為線性比色法，即被測氣體通過檢定管與指示膠發生有色反應，形成變色層（變色柱），變色層的長度與被測氣體的濃度成正比。2、主要技術參數（見附表）3、附件（每盒）①膠管一段；Φ3×5，長度20cm②小砂輪一片4、貯運條件本品應避光保存于陰涼干燥處，嚴禁日光照射，保存溫度不超過40℃，玻璃制品，小心輕放。5、使用方法各種檢定管均可與氣體檢定管用圓筒型正壓式采樣器等配套使用。于測定現場用空氣沖洗采樣器后，取一定體積的現場空氣，把檢定管兩端切開，用短膠管將檢定管的下端（濃度標尺有“0”的一端）連接在采樣器（檢定器）的出氣口上，按規定時間勻速通過檢定管，然后按檢定管變色柱（或變色環）上端指示的數字，直接讀取被測氣體的百分濃度。  各種氣體檢測管主要技術參數表

概述：活性粉末混凝土是由超細活性粉末（復合摻合料）、水泥、優質石英砂、高強鋼纖維、外加劑等組成。通過最優化級配設計，經高溫熱合（蒸汽養護）等特定工藝制備而成的高技術復合材料。與普通和高性能混凝土相比具有超高強度、高韌性、高耐久性、高體積穩定性和環保性等特點。在工程中應用可顯著減輕結構自重（可減輕自重1/3），可顯著提高結構的整體性能。有以下創新點： ①材料創新：采用國產原材料與工業廢渣制備出200MPa級活性粉末混凝土，性能達到國際同類材料的指標，造價僅為其50%左右。 ②工藝創新：解決低水膠比高粘度物料的均勻攪拌問題；解決大型構件與小型薄壁構件的澆注、成型與養護問題，形成了成套工藝技術。 ③形成了較為完善的活性粉末混凝土基礎理論，提出了結構設計方法。 ④國內第一家在大型橋梁結構與薄型耐久構件得到應用，采用本成果新材料與設計方法設計的超低高度梁，有效降低了截面高度與自重，并提高了耐久性。 同類技術或成果比較：本項目組研發的200MPa級活性粉末混凝土，國內第一家在實際工程中得到應用；國際上美國、加拿大、韓國等國家也相繼在實際工程中應用，目前處于試研制階段；本項目組的相關研究成果達到國內領先、國際先進水平。 該項目現處于產業化階段。 應用范圍： 本項目可應用于道橋主體及附屬結構、建筑結構、市政結構、核工業等，具有廣闊的應用前景。

該項目為制備碲化鉛薄膜與納米顆粒的新工藝。目前，PbTe薄膜通常采用真空蒸鍍、 激光閃蒸、磁控濺射等物理方法制備，這些方法采用昂貴的鍍膜設備，成本較高；電化 學方法沉積PbTe薄膜成本相對較低，但缺點在于必須使用導電基片，適用范圍較窄。PbTe 納米顆粒大多采用水熱法或溶劑熱法、電化學法、乳液法等方法合成，這些方法在合成 過程中或者涉及了高壓設備，或者采用了復雜的儀器和涉及冗長的工藝，或者由于引入 大量有機物給后處理及環境保護帶來難題。 本項目提出以堿性水溶液作為溶劑，以成本低廉的含鉛無機鹽和碲化物或亞碲酸鹽 作為反應物，在常壓、室溫至 50o C 同步合成 PbTe 薄膜和納米顆粒，制備的薄膜平整致 密且對基片無特殊要求，納米顆粒尺度均一且可隨溫度調節。與其他現有的 PbTe 薄膜 與納米粉體制備方法相比，該方法簡單易行，性價比高，幾乎無能耗，反應介質為容易 凈化處理的水溶液，利于環保。 

本發明屬于碲化鉛（PbTe）薄膜和納米粉體的制備方法領域。本發明公開了一種 PbTe 薄膜和納米粉體的低溫水溶液同步合成方法，該方法以含鉛的無機鹽與二氧化碲或亞碲 酸鈉為原料，以硼氫化鉀或硼氫化鈉為還原劑，在室溫至 50 o C 堿性水溶液下同時合成 PbTe 薄膜和納米粉末。本發明首次在低于 100 o C 且常壓下合成 PbTe 薄膜與納米粉體， 制備的薄膜平整、致密、均勻；粉末產物粒徑小，粒度分布均勻，并可通過控制反應溫 度來控制粒徑大小。整個工藝使用的原料便宜易得，工藝簡單，容易實現規模化生產， 同時反應過程中避免使用有機溶劑，有利于環保。合成的 PbTe 薄膜和納米粉體可廣泛 應用于熱電器件、太陽能電池、熒光器件、紅外光學元件、紅外薄膜器件和半導體探測 器等，應用前景廣闊。

項目成果/簡介:創新了一種納米顆粒的分離方法并實現了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術方面涉及不同粒徑（質量）納米顆粒的荷電狀態、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統分離方法相比，本方法和技術不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調節，分離效果好，可使分離效率大幅提高。應用范圍:本項目采用的方法和技術不是用于納米顆粒的制備，而是將已有的不同粒徑納米顆粒的混料進行分離和分級。效益分析:可用于具有納米顆粒分離、分級需求的廣泛場合，如電子器件、集成電路制膜的原料準備和光學、電子、醫療等精密部件的磨料準備，應用潛力巨大。知識產權類型:發明專利知識產權編號:ZL201610401673.7技術先進程度:達到國內先進水平成果獲得方式:與企業合作獲得政府支持情況:無

創新了一種納米顆粒的分離方法并實現了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術方面涉及不同粒徑（質量）納米顆粒的荷電狀態、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統分離方法相比，本方法和技術不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調節，分離效果好，可使分離效率大幅提高。

隨著納米顆粒制備技術的日漸成熟，其應用技術也日益受到人們的廣泛重視。但由于納米顆粒粒徑小、比表面積和表面能大、顆粒不穩定極易團聚，導致其優異的性能不能充分發揮，因此納米技術研究中最艱巨的任務之一是使納米顆粒能夠穩定存在且不發生團聚。最常使用的方法是把納米顆粒分散于介質中，通過靜電穩定機理、位阻穩定機理和靜電位阻穩定機理等來制備穩定分散的漿料。其中涉及