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高校科技成果盡在科轉云

本發(fā)明公開了一種二次再熱機組再熱汽溫的自降階多回路集中預估控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)由煙氣再循環(huán)風機轉速控制回路和煙氣擋板開度控制回路構成，將一次再熱汽溫和二次再熱汽溫與設定值的偏差送入預估控制器，計算得出煙氣再循環(huán)風機轉速和煙氣擋板開度的優(yōu)化值，保證機組一次再熱汽溫和二次再熱汽溫維持在合理安全的范圍內，本發(fā)明采用預估控制能夠方便地處理大慣性多變量系統(tǒng)的優(yōu)化問題，計算過程清晰、簡單，工程應用時，編程實施方便，對未來輸出偏差的預測能及時調節(jié)相應的控制量，一次再熱汽溫和二次再熱汽溫能穩(wěn)定在合理的范圍之內，保證了機組的穩(wěn)定性和安全性，控制效果較傳統(tǒng)PID控制好。

隨著世界養(yǎng)豬業(yè)的發(fā)展，規(guī)模化飼養(yǎng)技術的應用和飼養(yǎng)高度密 集，以及突發(fā)腹瀉因素存在，使得豬腹瀉病日趨流行，危害日漸嚴重。豬傳染 性胃腸炎與流行性腹瀉在養(yǎng)豬場引起豬腹瀉病的報道屢見不鮮，特別是規(guī)模化 豬場在受到藍耳病、圓環(huán)病等感染之后免疫功能下降時，豬腹瀉類病伺機暴發(fā)， 導致較嚴重的經濟損失。本成果是利用自主分離鑒定豬傳染性胃腸炎與流行性 腹瀉病毒，通過基因工程的方法，在乳酸菌中進行表達，通過優(yōu)化培養(yǎng)工藝， 提高乳酸菌的培養(yǎng)密度，混合研制的多價口服疫苗，用于該類疾病的免疫預防。 該產品的開發(fā)為該病的防控起到重要作用，具有重要的應用價值和經濟效益。 

一種溶酶體定位熒光探針硒代嗎啉?氟硼二吡咯及其制備方法和應用。本發(fā)明提供一種熒光分子Se?BODIPY，該熒光分子Se?BODIPY包含氟硼二吡咯熒光團和硒代嗎啉溶酶體定位基。本發(fā)明還提供了該熒光分子Se?BODIPY的制備方法和應用。該熒光分子可以作為溶酶體定位熒光探針。本發(fā)明的溶酶體定位熒光探針是由8?氯甲基?1,3,5,7?四甲基?氟硼二吡咯和硒代嗎啉反應制得的熒光分子，通過過氧化氫誘導的硒代嗎啉氧化反應，由光誘導電子轉移機制靈敏調控探針分子的熒光發(fā)射性能，其靈敏度高、選擇性強、生物相容性好，能快速進入溶酶體，可作為性能優(yōu)異的溶酶體定位熒光探針，在熒光成像、生物熒光分析、熒光標記、內源性或外源性過氧化氫檢測及凋亡細胞黏度檢測方面具有重要應用。

通過超高真空分子束外延技術，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導轉變溫度大約在60 K左右，并通過原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術對其中的超導配對機制進行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，F(xiàn)e原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無近鄰Fe原子團簇。系統(tǒng)的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實驗發(fā)現(xiàn)，對特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強度[數(shù)量占比約13% (15%)]，F(xiàn)e吸附原子上可觀測到尖銳的零能電導峰（圖1）。該電導峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長度~3 A，且遠離吸附原子時不劈裂。變溫實驗表明，零能電導峰在遠低于超導轉變溫度時即消失，可初步排除Kondo效應、常規(guī)雜質散射態(tài)等解釋（圖2A和圖2B）。進一步的控制實驗和分析顯示，零能電導峰半高寬嚴格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標度方程，這些結果均與馬約拉納零能模的唯象學特征吻合（圖2C-圖2G）。對沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結果基本相同。相比于單層FeSe，統(tǒng)計結果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測到零能束縛態(tài)的幾率更高且信號更強。波士頓學院汪自強教授和合作者曾在理論上提出，無外加磁場時，強自旋-軌道耦合s波超導體間隙磁雜質可產生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對稱破缺而具有較強的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時間反演對稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預測存在拓撲非平庸相。在二維拓撲超導體中，馬約拉納零能模也會產生于Fe原子誘導的量子反常渦旋中的束縛態(tài)。因此，實驗中觀測到的零能電導峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進一步的實驗和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導材料從三維拓展到二維、從低溫超導拓展到超過40 K超導轉變溫度的高溫超導體系，同時無需外加磁場，觀測到的零能束縛態(tài)原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優(yōu)勢為未來實現(xiàn)可應用的拓撲量子比特提供了可能的方案。

本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯(lián)合

本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型