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本設(shè)備適用于高等院校及要求較高的中專、技校、職業(yè)學(xué)校，可完成電工學(xué)、電工原理、電路分析、模擬電子技術(shù)、教字電路,電氣控制設(shè)備等課程實(shí)驗(yàn)。該設(shè)備是現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的更新?lián)Q代或新建、擴(kuò)建實(shí)驗(yàn)室的理想產(chǎn)品,它的配備是學(xué)校上水平、上等級(jí)的重要標(biāo)志。 ? 一、用途、特點(diǎn): ?　　目前，國(guó)內(nèi)各類學(xué)校電工、模擬、數(shù)字電路、電氣控制實(shí)驗(yàn)大多是分體的，也有部分學(xué)校根據(jù)教學(xué)要求自制各種形式的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，由于工量少，受自身加工能力的限制，加工工藝粗糙，功能不全，滿足不了實(shí)驗(yàn)要求，也容易發(fā)生人身及設(shè)備事故，且實(shí)驗(yàn)元器件繁多難購置、難以管理，很難開出實(shí)驗(yàn)大綱規(guī)定的實(shí)驗(yàn)。基此，我廠吸取德國(guó)及國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)合我國(guó)高教，職教教學(xué)大綱要求而研制本系列產(chǎn)品。 　　實(shí)驗(yàn)臺(tái)具有較完善的安全保護(hù)措施，較齊全的功能。實(shí)驗(yàn)操作桌中央配有通用電路插扳，電路插板注塑而成，表面均布有九孔成一組相互聯(lián)通的插孔，元件盒在其上任意拼插成實(shí)驗(yàn)電路；元件盒盒體透明，直觀性好，盒蓋印有永不褪色元件符號(hào)，線條清晰美觀。盒體與盒蓋采用較科學(xué)的壓卡式結(jié)構(gòu)，維修、更換元件拆裝方便。元器件放置在實(shí)驗(yàn)操作桌下邊左右柜內(nèi)，實(shí)驗(yàn)時(shí)取存方便，大大提高了管理水平，規(guī)劃化程度，大大減輕了教師實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備工作。 　?二、結(jié)構(gòu)與配備 1、實(shí)驗(yàn)臺(tái)桌:見彩圖，一臺(tái)二座，臺(tái)桌外形尺寸:160X70X8Ocm。臺(tái)桌中央配置通用電路板。每張臺(tái)桌配一粒膠皮板，以保護(hù)通用電路板及桌面(如需要在其上放置電機(jī)、焊接等)。臺(tái)桌下都是元件儲(chǔ)存柜，放置元器件。 2、實(shí)驗(yàn)臺(tái):共12臺(tái)，每張學(xué)生實(shí)驗(yàn)操作桌上配置l臺(tái) 3、示教臺(tái):1臺(tái)示教臺(tái)，分別控制12臺(tái)學(xué)生的電源，通用電路板演示屏立在實(shí)驗(yàn)臺(tái)上，尺寸150X7Ocm，用于講解、演示。 4、器材配備: 39只指針式1.5級(jí)直流電流表、13只MF500萬用表，13只數(shù)字萬用表.25套電烙鐵和烙鐵架、13套剝線鉗、尖嘴鉗、螺絲刀等工具，13套實(shí)驗(yàn)所需的電阻.電位器.電感、電容.集成電路.變壓器.條形磁鐵.邏輯電平開關(guān)、邏輯電平顯示 .91只集成座等元件單元盒(元件已裝在單元盒內(nèi))，25張塑料凳。 5·用戶自備器材:雙蹤示波器(型號(hào)不限)，功率表、滑線變阻器、毫伏表 三、實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目: ? 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、模擬部分實(shí)驗(yàn) 1·二極管的正、反相特性　　　　 2·晶體三極管的輸入、輸出特性　 3·晶體管共射極單管放大器　　　 4·兩級(jí)阻客搞合放大電路　　　　 5·負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響　　 6·場(chǎng)效應(yīng)管放大器　　　　　　　 7·差動(dòng)放大電路　　　　　　　　 8·運(yùn)算放大器指標(biāo)測(cè)試　　　　　 9·集成運(yùn)算放大器的基本應(yīng)用(多種模擬運(yùn)算電路)　 10·集成運(yùn)算放大器非線性應(yīng)用（多種波形發(fā)生器）　 11· 變壓器耦合推挽功率放大器 12·OTL功率放大器 13· 集成功率放大器 14·單相橋式整流電路 15·串聯(lián)型晶體管直流穩(wěn)壓電源(設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)) 16·集成直流穗壓電源 17·單結(jié)晶體管特性 18·單結(jié)晶體管觸發(fā)電路 19·晶閘管簡(jiǎn)單測(cè)試 20·晶閘管可控整流電路 利用上述20項(xiàng)實(shí)驗(yàn)元器件還可完成下面實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目 l·電壓負(fù)反饋偏置電路　　　　　　 2·分壓式電流負(fù)反債偏置電路　　　 3·用二極管穗定工作點(diǎn)　　　　　　 4·共基極放大電路　　　　　　　? 5·共集電極放大電路　　　　　　? 6·共源極基本放大電路? 7·場(chǎng)效應(yīng)管共漏極電路 8·場(chǎng)效應(yīng)管共柵極電路 9·單管阻客放大電路 10·變壓器耦合放大電路 11·甲類功率放大電路 12·串聯(lián)電流負(fù)反饋電路 13·串聯(lián)電壓負(fù)反饋電路 14·并聯(lián)電壓負(fù)反饋電路 15·串聯(lián)型晶體管直流穩(wěn)壓電源(設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)) 16·共基共射極放大電路 17·自舉射極輸出電路? 18·NPN一PNP直接耦合放大電路 19·用負(fù)反饋消除自激根箔 20·晶體管開關(guān)作用 21·變壓器反饋式振蕩電路 22·電容三點(diǎn)式振蕩電路 23·電感三點(diǎn)式振蕩電路 24·差動(dòng)放大電路的基本形式 25·長(zhǎng)尾式差動(dòng)放大電路 26·雙電源長(zhǎng)尾式差動(dòng)放大電路 27·運(yùn)放用作交流比例放大 28·反相輸入保護(hù)措施 29·同相輸入保護(hù)措施 30·電源極性錯(cuò)接的保護(hù) 31·RC高通電路 32·利用三極管來保護(hù)器件 33·差動(dòng)輸入運(yùn)算電路 34·快速積分電路 35·模擬一階微分方程電路 36·模擬二階微分方程電路 37·基本對(duì)數(shù)運(yùn)算電路 38·實(shí)用微分電路 39·反對(duì)數(shù)放大基本電路 40·簡(jiǎn)單的過零比較電路 ? 41·利用二級(jí)管作為上限檢測(cè)幅度選擇電路 42·下限幅度選擇電路 43·RC無源網(wǎng)絡(luò)的低通濾波電路 44·同相輸入一階低通濾波電路 45·反相輸入一階低通濾波電路 46·簡(jiǎn)單的二階RC濾波電路 47·典型二階RC有源低通濾波電路 48.典型二階高通有源濾波電路 49·基本帶通濾波電路 50·典型帶通濾波電路 51·矩型波振蕩電路 52·寬度可調(diào)的矩形波發(fā)生器 53·幅頻可調(diào)的鋸齒波發(fā)生器 54·單相半波整流電路 55·單相全波整流電路 56·電容濾波電路 57·電容濾波帶電阻負(fù)載 58·RC濾波電路 59·基本LC濾波電路 60·二倍壓整流電路 61·三倍壓整流電路 62·基本穩(wěn)壓電路 63．基本調(diào)整管穩(wěn)壓電路 64·具有放大環(huán)節(jié)的穩(wěn)壓電路 65·單相半波可控硅整流 66·電子調(diào)壓電路 67·電子催眠器一一趣味性實(shí)驗(yàn)一 68·電子門鈴電路一一趣味性實(shí)驗(yàn)二 69·電子報(bào)警電路一一趣味性實(shí)驗(yàn)三 15·并聯(lián)電流負(fù)反饋電路 2、數(shù)字部分實(shí)驗(yàn) l·TTL集成邁林門的參數(shù)測(cè)試 2．CMOS邏輯門的參數(shù)測(cè)試 3．TTL集成電極開路門與三態(tài)輸出門的應(yīng)用 4·與、非·或、與非門電路實(shí)驗(yàn) 5·半加器電路實(shí)驗(yàn) 6·全加器電路實(shí)驗(yàn) 7．RS觸發(fā)器實(shí)驗(yàn) 8．D觸發(fā)器實(shí)驗(yàn) 9．JK觸發(fā)器實(shí)驗(yàn) IO·T觸發(fā)器實(shí)驗(yàn) 11．JK型觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成D觸發(fā)器 12·D型觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成JK觸發(fā)器 l3。計(jì)數(shù)器實(shí)驗(yàn) 14·MSI移位寄存器及其應(yīng)用 15·譯碼器及其變換方式 16·MSI數(shù)據(jù)選擇器及邏輯設(shè)計(jì) 17·微分型單穩(wěn)態(tài)電路? 18·環(huán)形多諧振薄器? 19·利用門電路構(gòu)成編碼器，分配器、選擇器 20·組合電路的設(shè)計(jì)之一一一編碼轉(zhuǎn)換? 21．組合電路的設(shè)計(jì)之二一一顯示電路 22·同步時(shí)序電路的設(shè)計(jì) 23·計(jì)算機(jī)時(shí)序電路的設(shè)計(jì) 24·集成定時(shí)器測(cè)試及應(yīng)用 25·CMOS集成A/D、D/A轉(zhuǎn)換電路實(shí)驗(yàn) 26·二極管非門·或非門電路 27·三極管非門、與非門、或非門電路 28·異步十進(jìn)制減法計(jì)數(shù)器 29·異步十進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器 30·綜合能力培訓(xùn)實(shí)驗(yàn)一一電子秒表

產(chǎn)品詳細(xì)介紹小型節(jié)能回流焊530上三下二/五溫區(qū)回流焊QS-F530  http://www.qinsidianzi.com/

本發(fā)明涉及一種納米結(jié)構(gòu)的氧化亞銅基PIN結(jié)太陽能電池及其制備方法。該太陽能電池結(jié)構(gòu)包括：襯底；P型氧化亞銅納米線陣列，該P(yáng)型氧化亞銅納米線陣列生長(zhǎng)在襯底上；絕緣層，該絕緣層沉積在P型氧化亞銅納米線陣列表面；N型層，該N型層填充在絕緣層外并且形成一層薄膜；N型歐姆電極，該N型歐姆電極制作在N型層上；P型歐姆電極，該P(yáng)型歐姆電極制作在P型氧化亞銅納米線陣列層上。本發(fā)明中納米線陣列結(jié)構(gòu)可提高電池的結(jié)面積，減小載流子的擴(kuò)散距離，PIN結(jié)構(gòu)可有效增大耗盡層寬度，大大提高載流子的分離和收集效率，從而提高太陽能電池的能量轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明采用的原料豐富、廉價(jià)、無污染，采用的制備方法有電化學(xué)沉積法、磁控濺射法及電子束蒸發(fā)法，都可以大規(guī)模應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中，有廣闊的發(fā)展前景。

新能源學(xué)院趙學(xué)波教授領(lǐng)銜的氫能團(tuán)隊(duì)在具有工業(yè)應(yīng)用前景的丙烷氧化脫氫制丙烯高性能催化劑研究方面取得新進(jìn)展，相關(guān)論文《含硼金屬有機(jī)框架化合物衍生的球形超結(jié)構(gòu)氮化硼納米片》（A Spherical Superstructure of Boron Nitride Nanosheets Derived from Boron-Contained Metal-Organic Frameworks）在國(guó)際化學(xué)領(lǐng)域頂級(jí)期刊Journal of the American Chemical Society發(fā)表。我校2016級(jí)博士生曹磊、新能源學(xué)院代鵬程副教授為該論文共同第一作者，新能源學(xué)院趙學(xué)波教授、代鵬程副教授、昆士蘭大學(xué)Yusuke Yamauchi教授為共同通訊作者，中國(guó)石油大學(xué)（華東）為第一署名單位。 丙烯是極為重要的大宗化工基礎(chǔ)原料，后續(xù)衍生出的眾多有機(jī)化工產(chǎn)品在建筑、汽車、包裝紡織等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。近年來隨著丙烯下游產(chǎn)業(yè)規(guī)模的迅速擴(kuò)張，傳統(tǒng)的丙烯來源已無法滿足市場(chǎng)需求，因而亟需開發(fā)新的丙烯來源。丙烷氧化脫氫制丙烯具有底物轉(zhuǎn)化率高、工藝能耗低和無積碳不易失活等優(yōu)勢(shì)，極具工業(yè)應(yīng)用前景。但是由于產(chǎn)物丙烯容易與氧化劑發(fā)生過度氧化，降低了目標(biāo)產(chǎn)物的選擇性，從而讓丙烷氧化脫氫工藝一直無法達(dá)到工業(yè)化的要求。因此，開發(fā)一種高效催化劑，抑制過度氧化，提升產(chǎn)物中丙烯的選擇性是推動(dòng)丙烷氧化脫氫發(fā)展最直接有效的手段。 氮化硼是目前烯烴選擇性最高的丙烷氧化脫氫催化劑，但是單程烯烴收率離工業(yè)化需求仍有一定差距。通過可控合成提高活性物種在氮化硼表面的含量和分散度是一種提升催化性能的有效途徑。構(gòu)建分層的三維結(jié)構(gòu)，尤其是基于二維氮化硼納米片為基本單元的球狀三維結(jié)構(gòu)，有助于提高邊緣活性物種的含量。除豐富的邊緣活性位點(diǎn)外，特殊的三維球狀結(jié)構(gòu)促使反應(yīng)混合氣沿著球面進(jìn)行有效地?cái)U(kuò)散并充分與活性位接觸，提高催化劑的催化活性。然而迄今為止，如何控制氮化硼納米片自組裝形成三維球狀超結(jié)構(gòu)仍是一個(gè)充滿挑戰(zhàn)性的工作。 針對(duì)上述問題，研究人員以金屬有機(jī)框架化合物（MOFs）為前驅(qū)體，通過溶劑熱轉(zhuǎn)換的方式制備了三維球形超結(jié)構(gòu)MOFs納米片（SS-MOFNSs），并進(jìn)一步以SS-MOFNSs為自犧牲模板，制備了球形超結(jié)構(gòu)氮化硼納米片（SS-BNNSs）催化劑。 SS-BNNSs在丙烷氧化脫氫反應(yīng)中表現(xiàn)出了優(yōu)異的催化性能，510 ºC的操作溫度下，產(chǎn)物中烯烴的收率達(dá)到了40.2%（丙烯，27.8%；乙烯，12.4%），遠(yuǎn)超商業(yè)化的氮化硼納米片（丙烯，23.8%；乙烯，8.6%）和高比表面積的氮化硼纖維（丙烯，20.7%；乙烯，10.2%）。通過系統(tǒng)的表征可以發(fā)現(xiàn)，SS-BNNSs表面富含B-OH，讓催化劑無須活化就可以直接催化反應(yīng)進(jìn)行，同時(shí)特殊的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)提高了活性物種的分散度，利于反應(yīng)氣與活性位點(diǎn)快速接觸和產(chǎn)物丙烯的迅速脫附，提升了產(chǎn)物丙烯的單程收率。SS-BNNSs自組裝的構(gòu)造過程和結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)帶來的性能提升拓寬了催化劑的設(shè)計(jì)思路。 該研究成果獲得審稿專家充分肯定，審稿專家一致認(rèn)為該工作提出的含硼MOFs衍生三維超結(jié)構(gòu)氮化硼納米片具有很好的創(chuàng)新性，其作為丙烷氧化脫氫催化劑表現(xiàn)出的高烯烴收率在工業(yè)應(yīng)用方面具有較大潛力，為丙烷氧化脫氫催化劑的研究提供了新的參考。

【發(fā) 明 人】李念光；唐于平；段金廒【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明涉及藥物化學(xué)研究領(lǐng)域，具體涉及一類新型的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物，以及它的制備方法和在抗血栓或抗腦缺血疾病中的應(yīng)用。【摘要】本發(fā)明涉及藥物化學(xué)研究領(lǐng)域，具體公開了一類新型的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物，以及它的制備方法和在防治血栓性疾病中的應(yīng)用。本發(fā)明對(duì)具有抗血栓作用強(qiáng)的天然芳香酸化合物進(jìn)行結(jié)構(gòu)修飾，將其羧酸基團(tuán)與一氧化氮供體結(jié)合，得到脂溶性好的一氧化氮供體型芳香酸前藥，本發(fā)明提供的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物的溶解性好，可有效透過生物膜脂質(zhì)雙分子層，可提高人體服用后生物利用度，并且前體藥物能夠分解為芳香酸類化合物和釋放出一氧化氮，二者可以協(xié)同發(fā)揮抗血栓、抗血小板聚集等藥理活性。本發(fā)明提供的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物可用于防治血栓性疾病和腦缺血性疾病。

本發(fā)明公開了一種中溫平板式固體氧化物燃料電池堆密封物及 其制備方法，該密封材料主要分為三層：兩層玻璃基密封材料中間夾 一層 Al2O3 基密封材料。玻璃基密封材料包括：BaO-B2O3-SiO2 玻璃 體系和質(zhì)量百分比為 1～5％的 YSZ 粉，Al2O3 基密封材料包括：Al2O3 和質(zhì)量百分比為 10～30％的 Al 粉。兩種成分的密封材料通過流延成 型制備成可壓縮的復(fù)合密封材料，再經(jīng)熱壓成型為三明治結(jié)構(gòu)密封材 料。按照本發(fā)明，結(jié)合玻璃基密封材料和 Al2O3 基密封材料各自優(yōu)勢(shì)， 減少密封材料的漏氣率，增加材料的力學(xué)性能，并以便于操作和加工 的密封方式來實(shí)現(xiàn)有效的氣體密封。

氧化鐵石墨烯復(fù)合材料目前涉及的電化學(xué)方面的應(yīng)用包括鋰離子電池、超級(jí)電容器和燃料電池。氧化鐵（包括Fe3O4，α-Fe2O3和γ-Fe2O3）是制作電化學(xué)器件非常有前途的材料，不僅具有成本低、無毒性、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，還具有較高的理論電容量。但在實(shí)際使用時(shí)又因?yàn)樽陨韺?dǎo)電性的不足以及反應(yīng)的循環(huán)穩(wěn)定性差等問題受到了限制。石墨烯因其具有超高的比表面積，較高的導(dǎo)電性，優(yōu)異的化學(xué)和熱力學(xué)穩(wěn)定性，以及獨(dú)特的光、熱、機(jī)械性能，成為了非常合適作為制作電化學(xué)能源存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)化器件的材料。負(fù)載氧化鐵在石墨烯上，不僅能夠彌

中南民族大學(xué)廣播系統(tǒng)采購項(xiàng)目（第二次）競(jìng)爭(zhēng)性磋商

東北大學(xué)智能制造綜合實(shí)驗(yàn)平臺(tái)建設(shè)競(jìng)爭(zhēng)性磋商

金屬鎂可以用于二次電池的負(fù)極材料，具有資源豐富、環(huán)境友好、理論體積容量高、鎂沉積/溶解過程不易形成枝晶等優(yōu)點(diǎn)，在大規(guī)模儲(chǔ)能體系中具有很大的應(yīng)用潛力。然而，由于二價(jià)鎂離子的電荷半徑比大、極化率高，導(dǎo)致其與常規(guī)儲(chǔ)鎂正極材料中的晶格陰離子之間發(fā)生強(qiáng)的靜電相互作用，阻礙Mg2+離子在正極活性材料中的嵌入和擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)，導(dǎo)致充放電速度緩慢。因此，鎂二次電池非常欠缺高性能的正極材料，嚴(yán)重阻礙了該領(lǐng)域的研究發(fā)展與應(yīng)用。 近日，南京大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院、介觀化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、江蘇省先進(jìn)有機(jī)材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室金鐘教授帶領(lǐng)的“清潔能源材料與器件機(jī)制”研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)了基于一種特殊的置換反應(yīng)機(jī)制、非化學(xué)計(jì)量比的立方相硒化銅，用于高倍率的鎂二次電池正極材料。以該硒化銅為正極、金屬鎂為負(fù)極組裝的鎂電池能夠在100 mA g-1下表現(xiàn)出222 mAh g-1的最大放電比容量，在1000 mA g-1大電流密度下放電比容量仍可達(dá)155 mAh g-1，此外，在1000 mA g-1大電流密度下，電池循環(huán)500次之后，容量保持率約為84.3%。 該團(tuán)隊(duì)通過簡(jiǎn)單的一步溶劑熱法合成了一種高結(jié)晶度的非化學(xué)計(jì)量比的立方相Cu2-xSe納米片（圖1）。以Cu2-xSe為正極組裝鎂電池在100 mA g-1下循環(huán)25次后，放電比容量達(dá)到最大222 mAh g-1，在300、500和1000 mA g-1下，放電比容量分別可保持為182、166和155 mAh g-1，表現(xiàn)出優(yōu)異的倍率性能（圖2）。此外，該工作從正極和負(fù)極兩方面對(duì)電池經(jīng)歷較長(zhǎng)的活化過程給予了一定的解釋（圖2f）。具體而言，隨著Mg2+的嵌入和脫出，Cu2-xSe電極材料的尺寸會(huì)逐漸減小，而適當(dāng)減小活性材料的尺寸可以有效地縮短Mg2+的擴(kuò)散路徑，便于活性材料與電解液充分接觸，從而使容量增加。對(duì)于Mg負(fù)極來說，電解液中具有腐蝕性的氯離子會(huì)腐蝕Mg負(fù)極表面的氧化物等鈍化層，從而使Mg負(fù)極表面暴露出更多具有活性的金屬鎂表面，從而利于容量的提升和穩(wěn)定。最后，通過非原位表征技術(shù)（包括XRD、XPS、TEM和EDX等）對(duì)不同充/放電狀態(tài)的電極片進(jìn)行詳細(xì)表征，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明非計(jì)量比Cu2-xSe正極材料的儲(chǔ)鎂機(jī)制為一種特殊的鎂/銅離子置換反應(yīng)。該研究為基于可逆離子置換反應(yīng)機(jī)制的新型高性能多價(jià)離子電池電極材料的設(shè)計(jì)提供了新的思路。