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在二維極限下的高溫超導體中對零能束縛態的研究
通過超高真空分子束外延技術，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導轉變溫度大約在60 K左右，并通過原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術對其中的超導配對機制進行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，Fe原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無近鄰Fe原子團簇。系統的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實驗發現，對特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強度[數量占比約13% (15%)]，Fe吸附原子上可觀測到尖銳的零能電導峰（圖1）。該電導峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長度~3 A，且遠離吸附原子時不劈裂。變溫實驗表明，零能電導峰在遠低于超導轉變溫度時即消失，可初步排除Kondo效應、常規雜質散射態等解釋（圖2A和圖2B）。進一步的控制實驗和分析顯示，零能電導峰半高寬嚴格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標度方程，這些結果均與馬約拉納零能模的唯象學特征吻合（圖2C-圖2G）。對沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結果基本相同。相比于單層FeSe，統計結果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測到零能束縛態的幾率更高且信號更強。波士頓學院汪自強教授和合作者曾在理論上提出，無外加磁場時，強自旋-軌道耦合s波超導體間隙磁雜質可產生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對稱破缺而具有較強的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時間反演對稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預測存在拓撲非平庸相。在二維拓撲超導體中，馬約拉納零能模也會產生于Fe原子誘導的量子反常渦旋中的束縛態。因此，實驗中觀測到的零能電導峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進一步的實驗和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導材料從三維拓展到二維、從低溫超導拓展到超過40 K超導轉變溫度的高溫超導體系，同時無需外加磁場，觀測到的零能束縛態原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優勢為未來實現可應用的拓撲量子比特提供了可能的方案。
北京大學
2021-04-11
一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管
本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種激光打印機高質量文字輸出的二位半色調方法
本發明公開了一種激光打印機高質量文字輸出的二位半色調方法，以用戶輸入的待打印文件作為輸 出源文件，與調幅閾值矩陣做第一次對比，生成只有兩種曝光狀態的半色調文件。第二次對比前先取特 征邊緣點，然后待打印文件相應位置的灰度值與灰度等級的中值做第二次對比，生成四種曝光狀態的半 色調文件。最后根據半色調文件控制半曝光激光打印機進行輸出。本發明有效地改善在輸出時文字邊緣 的顯示效果，二位半色調方法調整效果顯著。
武漢大學
2021-04-14
廣元市第七屆教育科研優秀成果二等獎
獲廣元市第七屆教育科研優秀成果《廣元市地震災區教師信息技術能力現狀調查與分析》二等獎。
川北幼兒師范高等專科學校
2015-01-14
中國科學技術大學在二維材料固態自旋色心研究中取得新進展
我校郭光燦院士團隊在二維范德瓦爾斯材料固態自旋色心領域取得重要進展。該團隊李傳鋒、唐建順研究組與匈牙利魏格納物理研究中心AdamGali教授等人合作，實驗研究并理論解釋了六方氮化硼（hexagonalboronnitride，hBN）中帶負電硼空位（VB-）色心受磁場調制的自旋相干動力學行為，揭示了hBN中VB-色心電子自旋與核自旋之間的相干耦合和弛豫機制，對發展基于二維范德瓦爾斯材料的相干自旋系統及低維量子器件具有重要意義。
中國科學技術大學
2022-10-17
一種帶有硫化鋁外殼的二硫化鉬納米粉末材料及其制備方法
（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極
安徽工業大學
2021-01-12
１，１－二吡唑甲烷雙核錳聚合物及其原位脫羧合成方法及應用
本發明公開了一種１，１?二吡唑甲烷雙核錳聚合物，還提供了該化合物的制備方法及催化應用。本發明具有工藝簡單、成本低廉、化學組分易于控制、重復性好并且產量高，催化效果優良等優點。
東南大學
2021-04-14
可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法
本發明公開了一種可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質結，構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結晶度，提高電學性能，有效消除晶體質量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結區的剩余電子，增加ＺｎＯ區載流子復合效率，實現純ＺｎＯ紫外發光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質結發光二極管，發光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學
2021-04-11
分體彩屏水控機,二維碼水控機,4G水控機
產品詳細介紹產品介紹：1、脈沖流量計、電磁閥、刷卡收費控制器分體式設計，可靈活安裝；2、安裝方便簡單，適合浴室、澡堂、公寓等高濕度及各種惡劣環境使用；3、可以設定一張卡的用水量，超過額度拒絕用水；4、在冷水和熱水環境下均可使用；5、1.77寸彩屏顯示，可直觀顯示用戶姓名、卡號、余額、消費情況等信息；6、脫機工作可通過管理卡進行費率、參數等設置；7、自動識別持卡人的合法性，根據卡內賬戶信息決定是否允許消費；8、可控制電磁閥及電動閥；9、控水器為12v電壓，保證使用者安全；10、IC卡可以擴展為一卡通，兼容考勤、門禁、消費、停車場等系統；11、可擴展補補貼功能，可對用戶進行補貼。產品參數：外形尺寸：110mm*145mm*45mm卡片類型：M1卡計費方式：計時、計量、計次屏幕顯示：1.77寸彩屏顯示系統發卡數量：可達100萬 工作頻率：13.56MHz卡操作距離：0-50mm卡讀寫速度：<0.3s機器顏色：白色通訊方式：脫機、RS485、TCP/IP、無線433、WIFI、4G供電電壓：DC12V 1A記錄存儲容量：最大可存儲6萬條斷電數據保存時間：>10年存儲掛失卡數目：>100萬張 工作環境: －10℃ ～ ＋100℃
廣州野馬電子科技有限公司
2021-08-23