|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
氧化鋁微粉的綠色可控表面改性
本項目通過復合改性劑的分子設計和控制有關反應參數，使表面改性后的氧化鋁微粉在不同性質或組成的水性介質中有較為理想的相容性和分散穩定性。
特點：
1. 根據不同性質或組成的水性介質，設計和合成復合改性劑；
2. 控制有關反應參數，使氧化鋁粉體的表面包覆率和表面改性效果可 控；
3. 剩余反應物、溶劑和復合改性劑均可回收和循環使用，整個氧化鋁微粉的表面改性過程閉合循環，清潔環保。
專利 1：一種氧化鋁磨料粉體的表面改性方法（20161011250.9）
專利 2：一種高水分散穩定性氧化鋁粉體的資源化表面改性方法（201611166922.5）
江南大學
2021-04-13
一種基于氧化硅矩形光波導的集成光收發模塊
本實用新型公開了一種基于氧化硅矩形光波導的集成光收發模塊，包括至少一個具有四個45°拋光內端面的矩形氧化硅光波導、至少一個垂直腔面激光器和至少一個光子探測器，其制備方法為：利用45°刀頭將矩形波導切割成三段，由劃片機在芯片上切割出四個45°內端面；采用真空電子束熱蒸發等對應工藝鍍上布拉格反射膜、金屬膜以及金屬導線和焊點；再用折射率匹配膠將切割鍍膜后的矩形波導粘合，同時在內端面狹縫上方一定區域涂上匹配膠；最后通過倒裝焊接的方法，將垂直腔面激光器和光子探測器分別與對應的金屬電極焊接，集成于內端面狹縫之上，本實用新型低成本，高速率，可實現多通道傳輸數據。
浙江大學
2021-04-13
一種硼化鋯-碳化硅超細復合粉體及其制備方法
本發明涉及一種硼化鋯-碳化硅超細復合粉體及其制備方法。其技術方案是：先將64——85wt%的鹵化物粉、4——15wt%的氧化鋯粉、2——5wt%的氧化硅粉、2——6wt%的氧化硼粉、0.3——1.1wt%的炭粉和6——10wt%的鎂粉混合均勻，機壓成型；再將成型后的坯體置于電爐中，在氬氣氣氛和升溫速率為2——8℃/min的條件下升溫至1000——1250℃，保溫2——6小時，將燒成后的坯體用蒸餾水洗滌，然后放入濃度為1.0——4.0mol/L的鹽酸中浸泡3——8小時，過濾，用去離子水清洗，在80℃條件下干燥11——24小時，粉碎，即得硼化鋯-碳化硅超細復合粉體。本發明具有反應溫度低、反應時間短、過程易于控制、工藝簡單、產率高的特點；其制品分散性好、顆粒團聚小、成分均勻、純度高和產業化前景大。
（注：本項目發布于2014年）
武漢科技大學
2021-01-12
一種納米氧化鋯粉體的制備方法
（專利號：ZL 201410611888.2） 簡介：本發明公開了一種納米氧化鋯粉體的制備方法，屬于材料制備技術領域。該制備方法包括下述步驟：在真空或氬氣氣氛下，對氯化鋯+硼氫化鈉混合粉末進行5～10h球磨處理；然后，在0.5～1atm氫背壓下，將球磨產物加熱到300～400℃，并保溫1～2h后自然冷卻；接著，將加熱產物倒入蒸餾水中，過濾出固體物，再用蒸餾水清洗；最后，用乙醇對水洗固體產物清洗后干燥，即可獲得所述的納米氧化鋯粉體。本發明的
安徽工業大學
2021-01-12
超臨界水熱合成納米金屬及其氧化物粉體
高校科技成果盡在科轉云
西安交通大學
2021-04-10
PDP熒光粉漿料及二次發光性能研究
等離子體顯示器（PDP）已經成為大屏幕顯示的重要方向，PDP熒光粉必須調配成漿料才能涂敷到PDP屏上。受國家九五項目和省市項目的帶動，本單位已從事PDP熒光粉漿料及熒光粉二次發光性能研究，開發多年，具有開發熒光粉漿料的必要設備、研究人員，具有開展熒光粉二次發光性能研究及性能改善的全套工藝裝備和技術隊伍，所開發的熒光粉漿料接近日本同類產品水平 。
西安交通大學
2021-01-12
一種二硼化釩粉體的制備方法
（專利號：ZL 201410219036.9） 簡介：本發明公開了一種二硼化釩粉體的制備方法，屬于陶瓷粉體制備技術領域。該制備方法是將摩爾比為3：11的偏釩酸銨和單質硼粉及一定量的熔鹽混合均勻后，在惰性氣體保護下在800～1100℃下熱處理0.5～4h得到二硼化釩粉體。反應產生的副產物三氧化二硼和熔鹽可通過用熱水浸潤溶解的方法去除。本發明方法采用的釩源無毒害，生產工藝簡單，適合批量生產。本發明方法引入的熔融鹽環境加速了固相物質的擴散速度，
安徽工業大學
2021-01-12
一種銦鎵鋅氧化物粉體的制備方法
本發明公開了一種銦鎵鋅氧化物粉體的制備方法，其包括如下 步驟：首先配置鎵鹽溶液、銦鹽溶液和鋅鹽溶液；然后使用不含堿金 屬的堿液作為沉淀劑，并采用三步沉淀法分別使所述鎵鹽溶液、銦鹽 溶液以及鋅鹽溶液中的鎵離子、銦離子、鋅離子在不同 pH 值下先后沉 淀，以制備銦鎵鋅氧化物前驅體粉體；最后將制備的所述銦鎵鋅氧化 物前驅體粉體經洗滌、過濾、干燥、退火后制成獲得高純單相銦鎵鋅 氧化物粉體 InGaZnO4。本發明可制備具有高
華中科技大學
2021-04-14
一種蓬松態納米氧化釔粉體的制備方法
本發明公開了一種蓬松態納米氧化釔粉體的制備方法，屬于超 細納米粉體合成技術領域。先將含釔無機鹽、去離子水和絡合劑混合， 在室溫下攪拌均勻得到含釔的漿液，含釔無機鹽和絡合劑的重量比為 8/0.5～8/10；當目標產物為 RE:Y2O3 時，含釔無機鹽中摻雜有稀土離 子；再將漿液，或者由漿液得到的溶膠或干凝膠在 400～900℃進行煅 燒，使其充分分解，得到蓬松態 Y2O3 或 RE:Y2O3 納米粉體。本發明 利用新型
華中科技大學
2021-04-14
納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管
研發階段/n內容簡介：納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管涉及一種新型功率半導體器件制造技術。結合微電子技術工藝，構造用納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管。它具有高速、耐苛刻環境、低導通電阻等一系列特點，廣泛用于數字電子技術等領域。本產品獲得一項專利，專利號：200510018701.9。
湖北工業大學
2021-01-12