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氧化鎵襯底晶片● 大功率高能半導體器件：電磁軌道炮、艦載電磁彈射系統等● 日盲探測類：大火監測、雷達預警、近地空間通訊器件等● 高功率LED器件：高亮度、超大功率、科研考察探測設備等● 特高壓輸電、城市軌道及交通功率器件

寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線

本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。

本發明公開了一種采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預定質量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結 劑及固化劑倒入球磨罐內，并進行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計算機對待制備的零件進行三維數字建模，并將三維數字模 型信息輸入到激光選區燒結成型機，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區燒結快速成形工藝進行粉末燒結成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對所述碳化硅素坯進行加熱固化；將

該技術以油代電、在移動床中實現深度氧化和快速冷卻，設備密閉，過程連續，是生產顆粒氧化鉛的國際首創全新技術。東南大學在實驗室研究、數學模型研究的基礎上，與江蘇天鵬化工集團有限公司合作，開發出顆粒氧化鉛移動床深度氧化煅燒和快速冷卻新技術，設計了兩套年產各為1500噸的生產裝置，經過調試，各項技術指標均達到設計要求。在此基礎上，經過工業試驗和審慎的放大設計，2000年兩套年產各為15000噸的放大裝置相繼投入生產。

本發明公開了一種高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法，以還原性多糖為原料在氧化劑的作用下制取水凝膠，采用如下的工藝條件：以高碘酸鈉作為氧化劑，以至少一種以下物質：鹽酸、硫酸、磷酸、醋酸、甲酸、檸檬酸、具有Lewis酸性質的綠色溶劑離子液為催化劑；調節體系的pH在酸性范圍在室溫下避光反應4小時，經后處理得到不同氧化度的天然高分子多糖高強度水凝膠。本發明方法獲得的產品具有氧化度高，與其它反應物之間的交聯更加容易，形成的化學鍵更加牢固的優點，能形成高強度水凝膠，并且凝膠的降解速率可以得到控制，適合用于制備骨組織功能材料。

近年來，磁振子電子學在信息計算和信息傳輸領域表現出了極具價值的應用潛力。磁振子電子學利用以磁振子為載體的電子自旋進動來實現信息處理，有望實現無熱量產生、低耗散的信息傳輸，相比于傳統意義上通過操縱電荷來實現信息的處理的微電子學具有無可比擬的巨大優勢。磁振子電子學領域的進展很大程度上依賴于能夠有效傳輸磁振子的新材料的發現，而獲得長距離的磁振子輸運始終是磁振子電子學研究的重中之重。與通常的三維磁性絕緣體（如Yttrium Iron Garnet）相比，二維尺度下的磁振子被理論預言有很多的新穎物理效應，例如自旋能斯特效應，拓撲磁振子，以及外爾磁振子等。 在最新的研究文章中，量子材料科學中心韓偉課題組在二維磁性體系中展開工作并取得了重要進展，觀測到了二維反鐵磁體系中磁振子的長距離輸運。MnPS3晶體是一種層狀反鐵磁材料，利用機械剝離手段得到了二維的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制備了用于測量磁振子輸運的非局域器件，器件結構如圖A所示。器件左側Pt電極通過熱方法來注入磁振子，右側Pt電極探測在二維MnPS3中擴散傳輸的磁振子。在二維反鐵磁MnPS3中，實驗上觀測到了幾微米的磁振子擴散長度。并且從圖B中可以看出，隨著注入端和探測端距離的增加，探測到的非局域信號表現出e指數衰減的形式，跟一維漂移擴散模型的理論模型一致。在此基礎上，他們還系統研究了MnPS3厚度對磁振子弛豫性質的影響。隨著MnPS3厚度從40nm降低至8nm，磁振子弛豫長度由4μm減小到1μm（圖C），這可能是由較薄的MnPS3中較強的表面雜質散射效應導致的。 該文章中的結果具有重要的學術價值：二維材料中的磁振子輸運實現為二維磁性材料在磁振子電子學的應用與發展奠定了基礎，也有望推動磁振子在量子尺度下的新穎量子物理性質研究。圖：二維反鐵磁體系中磁振子輸運研究。（A）二維反鐵磁MnPS3中的磁振子輸運測量結構示意圖。（B）自旋信號R_NL^*隨電極間距的依賴關系，與理論預言的e指數衰減吻合。（C）磁振子弛豫長度隨MnPS3厚度的依賴關系。 該工作于2019年2月7日在線發表于物理學術期刊Physical Review X上(Phys. Rev. X 9, 011026 (2019) )。 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.011026。該工作由韓偉研究員設計和指導完成，北京大學量子材料科學中心2015級博士生邢文宇為文章第一作者，物理學院2015級本科生邱露頤為第二作者（今年9月份將去哈佛大學讀博士），韓偉研究員為文章通訊作者。本工作的順利完成得到了量子材料科學中心賈爽教授和謝心澄院士的合作幫助，以及國家重大科學研究計劃、國家自然科學基金、中國科學院戰略性先導科技專項的支持。

通過溶劑熱方法，成功制備出一種層間距寬化并富有缺陷的1T-VS 2 納米片，展現出優異的電催化析氫性能。由于有機溶劑分子以及在反應過程中產生的銨離子等的插層作用，該溶劑熱法制備出的VS 2 納米片層間距寬化至1.0 nm，比塊體VS 2 材料的層間距（0.575 nm）增加了74%。層間距的寬化引起晶格的畸變而引入眾多的缺陷，豐富的缺陷賦予VS 2 納米片更多的活性位點，層間距的寬化還進一步改變了VS 2 材料的電子結構，從而使得該VS 2 納米片具有更加優化的氫吸附自由能（? G H ）。HER測試結果表明，該VS 2 納米片呈現出優異的電催化性能，具有較小的塔菲爾斜率（36 mV dec ?1 ）、具有較低的過電位（-43 mV@10 mA cm ?2 ）和良好的穩定性（60 h）。此外，通過第一性原理計算的結果表明，層間距寬化的VS 2 具有更優化的? G H （-0.044 eV），媲美貴金屬Pt(如圖3 ). 。并且，層間距的寬化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。這里，理論計算結果和實驗相一致，較好地證明了通過層間距和缺陷的精細調控，可以有效提升二維材料的電催化析氫反應活性, 揭示了層間距和缺陷結構調控對提升電催化析氫的基本原理。此項研究工作為層狀二維材料的晶體和缺陷結構精準調控研究提供了新思路，為開發高性能電催化析氫材料研究打開了一扇新窗戶。

本發明屬于半導體存儲器技術領域，具體為一種基于二維半導體材料的電荷超注入存儲器及其制備方法。本發明通過存儲疊層能帶設計，在實現閃存的非易失性存儲特性；通過橫向電場設計以及器件的仿真模擬設計，利用二維半導體材料的原子級薄層特性，顯著增強最大橫向電場從而提升電荷的注入效率，實現存儲器中電荷的超注入機制，進而實現閃存的亞納秒編程。本發明存儲器在維持十年數據保持能力的同時，大幅提升了電荷注入效率，將編程速度提升至亞納秒，為解決電荷存儲領域超快編程和長保持時間無法共存的重大挑戰提供新的解決方案。

本發明公開了一種吩噻嗪基二維共價有機框架材料及其制備方法和應用。所述二維共價有機框架材料具有如下式(I)或式(II)所示的結構：本發明的二維共價有機框架材料具有高的結晶性和比表面積，孔徑分布均一并且熱穩定性良好，同時還有著良好的光敏基團、適合的光學帶隙，在光催化氧化偶聯方向有著良好的應用。