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中冶紙業(yè)銀河有限公司(簡稱銀河紙業(yè))是中國誠通控股集團有限公司下屬中國紙業(yè)投資有限公司的造紙企業(yè)之一，始建于1958年，座落于山東省臨清市，現(xiàn)有員工2900人，占地2680畝，擁有5280mm、4400mm、3200mm、2640mm等多種型號造紙機臺，年造紙能力80萬噸，年制漿能力50萬噸。 產(chǎn)品有印刷用紙、辦公用紙和包裝用紙三大系列，主導(dǎo)產(chǎn)品有：高檔雙膠紙、高檔靜電復(fù)印紙、混漿雙膠紙、輕型紙、銀河書紙、象牙白雙膠、精印書寫紙和高強瓦楞原紙，以及其他特色文化印刷用紙。其中，靜電復(fù)印紙、精印書寫紙為“山東名牌”產(chǎn)品，精印書寫紙、高強瓦楞原紙為“中國名優(yōu)產(chǎn)品”。企業(yè)擁有“銀河瑞雪”、“銀河皓月”、“銀河華章”、“銀光”、“銀河祥云”、“銀河如意”、“銀河書紙”等七大商標(biāo)，其中“銀河瑞雪”商標(biāo)為中國馳名商標(biāo)，“銀河皓月”和“銀光”商標(biāo)為山東省著名商標(biāo)，深受用戶好評。 公司擁有國家認(rèn)定企業(yè)技術(shù)中心和博士后科研工作站，已獲得專利122項，其中發(fā)明專利15項，通過了ISO9001質(zhì)量管理體系、ISO14001環(huán)境管理體系、OHSAS18000職業(yè)健康安全管理體系和FSC－COC森林管理體系認(rèn)證，擁有自營進出口權(quán)；曾獲“全國五一勞動獎狀”、“國家級綠色工廠”、“高新技術(shù)企業(yè)”、“中國輕工業(yè)造紙行業(yè)十強企業(yè)”、“全國企業(yè)文化建設(shè)優(yōu)秀單位”、“全國造紙行業(yè)勞動關(guān)系和諧企業(yè)”、“山東省守合同重信用企業(yè)”、“山東省環(huán)境友好企業(yè)”、“低碳山東模范貢獻單位”等100多項省級以上榮譽稱號。 近年來，公司通過引進和創(chuàng)新，整體裝備水平得到提高。麥草制漿采用干濕法備料、連蒸連漂先進工藝，紙機全部配備了水分、定量、厚度等QCS質(zhì)量控制系統(tǒng)，全程實現(xiàn)計算機自動檢測和優(yōu)化控制，APMP楊木漿采用奧地利安德里茨進口設(shè)備，20萬噸紙機全套設(shè)備由芬蘭美卓公司制造，制漿造紙工藝技術(shù)和生產(chǎn)裝備均達到國內(nèi)一流水平。 公司始終把環(huán)保視為生命，建立了“治”、“用”、“保”相結(jié)合的治污體系，已相繼投入6億多元，建成了堿回收、中段水處理、白水回收和煙氣脫硫脫硝除塵設(shè)施，同時還建設(shè)了白泥精制碳酸鈣、污泥資源化等綜合利用項目，徹底解決了制漿造紙“三廢”治理難題，實現(xiàn)了達標(biāo)排放。  

智能化控制系統(tǒng)的核心設(shè)備，具備本地邏輯運算功能，可不依賴于服務(wù)器完成人員刷卡的身份認(rèn)證及相關(guān)控制指令的下發(fā)功能。同時具備本地的數(shù)據(jù)存儲功能，當(dāng)出現(xiàn)斷網(wǎng)情況時，所有數(shù)據(jù)進行本地存儲，網(wǎng)絡(luò)恢復(fù)后自動與服務(wù)器進行同步。

成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動通信—LTE 技術(shù)

一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發(fā)明專利/實用新型/：發(fā)明授權(quán) 簡介：本發(fā)明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產(chǎn)生沉淀物，將獲得的沉淀經(jīng)洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經(jīng)模壓成型和冷等靜壓強化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐

本發(fā)明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設(shè)備。方法根據(jù)待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀確定成型缸的內(nèi)部 結(jié)構(gòu)，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形 狀對應(yīng)的區(qū)域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設(shè)備包括一個或多個成型缸，該成型缸的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與待成 形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀相匹配。本發(fā)明通過使用鑲塊以及與金屬構(gòu) 件切片輪廓形狀相適應(yīng)的異形基板，實現(xiàn)了針對不同金屬構(gòu)件

本發(fā)明公開了一種梯度溫度場主動調(diào)控系統(tǒng)及其控制方法，系 統(tǒng)由溫度場監(jiān)控系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)和控制系統(tǒng)；溫度場監(jiān)控系統(tǒng)用于測 量成形區(qū)域 XOY 平面及四周的溫度場信息，將獲得的溫度場信息進行 量化處理后反饋給控制系統(tǒng)，加熱系統(tǒng)根據(jù)控制系統(tǒng)指令對成型缸的 底部和四周進行溫度場的分區(qū)獨立實時調(diào)節(jié)，以實現(xiàn)在加工過程中整 個加工區(qū)域的溫度場恒定，保證已加工區(qū)域與未加工區(qū)域處于合理的 溫度梯度，避免熱應(yīng)力導(dǎo)致構(gòu)件翹曲、變形、開裂。本

本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對不同的中間密度單元進行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細觀微結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化，避免了在增材制造成型

本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計方法，其包括以下步驟:(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場;(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對不同的中間密度單元進行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細觀微結(jié)構(gòu)

超高純氨是LED行業(yè)、微電子行業(yè)中重要的原料氣體，主要應(yīng)用于金屬有機化學(xué)淀積法(MOCVD)制造外延芯片或氮化硅薄膜。過量的水分會嚴(yán)重影響工藝產(chǎn)率和產(chǎn)品質(zhì)量。氨氣中痕量水分析是氣體分析領(lǐng)域的難點之一，目前國內(nèi)外可以穩(wěn)定、準(zhǔn)確測量超高純氨氣中痕量水的方法只有光腔衰蕩法、紅外光譜吸收法和熱分解露點法。國標(biāo)中已將熱分解露點法列為檢測高純氨氣中痕量水分的方法，但國內(nèi)目前采用該種測定方法的單位為零，而且對熱分解露點法的研究也鮮有報道。本技術(shù)主要通過改進熱分解露點法可以穩(wěn)定、準(zhǔn)確、快速的測量超高純氨氣中痕量水分。本技術(shù)主要設(shè)計、制作出氣密性良好的超高純氨進樣器、氨分解反應(yīng)槽、熱分解露點裝置。制作了氨分解催化劑d并考察了分解槽溫度、氣體流速對所選用的四種氨分解催化劑在測試中的水分基線的影響及分解槽溫度、氣體流量對氨分解率的影響，篩選出最適合的氨分解催化劑d用以測量超高純氨中痕量水。采用熱分解露點裝置分析高純氮氣中痕量水、超高純氨氣中痕量水，并用配有氦離子放電檢測器的氣相色譜檢測超高純氨中的痕量氧，折算出超高純氨中痕量水。與光腔衰蕩法、紅外吸收光譜法測試結(jié)果的比對分析證明熱分解露點法測試值準(zhǔn)確度較高，成本低，可用以分析超高純氨氣中痕量水分，最低檢測限約80ppb。考查了氨分解溫度、氣體流量對高純氨中痕量水分析的影響，從而確定熱分解露點裝置最佳工作條件。考查了變壓置換、變流置換對縮短測試時間的影響，采用新的置換方式的測試時間是只平速吹掃所用時間的一半。比對了不同冷源的精密露點儀通過熱分解露點裝置測試高純氮氣、高純氫氣、超高純氨氣的檢測限，制冷機為冷源的精密露點儀檢測限最低。