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商品名稱(chēng)：中抗動(dòng)碘 規(guī)格：5% 50ml/瓶 類(lèi)型：消毒劑

控制從未如此輕松…… 使用拖放式功能創(chuàng)建自定義控制界面，無(wú)需任何編程 從無(wú)限的云端設(shè)備驅(qū)動(dòng)器庫(kù)中選擇 無(wú)需提前學(xué)習(xí)了解 完全自定義 控制系統(tǒng)的建立變得前所未有的輕松 特點(diǎn)： 智能IP基礎(chǔ)架構(gòu) 您可通過(guò)利用現(xiàn)有的IP網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)架構(gòu)隨意進(jìn)行擴(kuò)展，無(wú)需投資于擴(kuò)展或更換現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)。 數(shù)據(jù)庫(kù)實(shí)時(shí)更新 無(wú)需逐個(gè)更新數(shù)據(jù)庫(kù)，升級(jí)軟件，可從云端自動(dòng)地更新克萊默數(shù)據(jù)庫(kù)和固件。 編程、控制無(wú)地域限制 云架構(gòu)無(wú)需進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)編程?？梢栽谌魏蔚攸c(diǎn)更改、設(shè)置及控制系統(tǒng)。 自動(dòng)數(shù)據(jù)采集 不同于傳統(tǒng)的手動(dòng)系統(tǒng)，Kramer Control能夠從所有受控設(shè)備自動(dòng)收集數(shù)據(jù)。 設(shè)備狀態(tài)和警報(bào) 實(shí)時(shí)識(shí)別、上報(bào)發(fā)生在連接設(shè)備上的狀態(tài)和問(wèn)題。 隨時(shí)可用的Dashboard 無(wú)需將時(shí)間用在分析數(shù)據(jù)上。Kramer Control提供基于云端的Dashboard。

國(guó)務(wù)院《新一代人工智能發(fā)展規(guī)劃》及教育部《教育信息化2.0行動(dòng)計(jì)劃》的發(fā)布，特別強(qiáng)調(diào)了人工智能在教育領(lǐng)域的戰(zhàn)略意義。中慶根植教育信息化25年，率先在國(guó)內(nèi)錄播行業(yè)引入人工智能（AI）技術(shù)，推出了中慶智課——基于大數(shù)據(jù)的教學(xué)質(zhì)量分析評(píng)測(cè)系統(tǒng)V1.0（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中慶智課”）。 中慶智課的核心技術(shù)是將人工智能結(jié)合傳統(tǒng)教育的相關(guān)理論，實(shí)現(xiàn)了一整套科學(xué)客觀的課堂大數(shù)據(jù)采集和分析的方法。 中慶智課利用人工智能深度學(xué)習(xí)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了教師和學(xué)生個(gè)體的頭、肩、手目標(biāo)智能定位，實(shí)現(xiàn)了教室場(chǎng)景內(nèi)教師和學(xué)生個(gè)體的動(dòng)態(tài)人臉識(shí)別和表情識(shí)別，實(shí)現(xiàn)了對(duì)課堂教學(xué)行為的精細(xì)分類(lèi)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)課堂教學(xué)內(nèi)容的智能識(shí)別；另一方面中慶智課利用在互聯(lián)網(wǎng)廣泛采納的前后分立模塊化開(kāi)發(fā)和分布式數(shù)據(jù)庫(kù)部署等技術(shù)方案，構(gòu)建了基于課堂大數(shù)據(jù)的應(yīng)用平臺(tái)。 能為學(xué)校提供各種應(yīng)用的底層構(gòu)建和通路，滿足資源的生成、匯聚、管理、數(shù)據(jù)挖掘、展示、點(diǎn)播、直播、教研等基本應(yīng)用。圍繞著管理者、教師、學(xué)生、家長(zhǎng)等不同的用戶，精準(zhǔn)推送用戶關(guān)注的信息。 中慶智課自發(fā)布以來(lái)，已在全國(guó)30個(gè)省市、自治區(qū)超過(guò)400所學(xué)校開(kāi)展常態(tài)化應(yīng)用，涌現(xiàn)出煙臺(tái)三中、珠海金灣區(qū)教育局、蘭州安寧區(qū)教育局、上海楊浦區(qū)信息中心等應(yīng)用示范學(xué)校。完全取自于課堂教學(xué)的大數(shù)據(jù)讓教育的各個(gè)環(huán)節(jié)有了實(shí)證的數(shù)據(jù)依據(jù)，更科學(xué)地促進(jìn)區(qū)校教學(xué)質(zhì)量和學(xué)生學(xué)習(xí)質(zhì)量雙提高。

RMST中控平臺(tái)/RMST立式中控平臺(tái)/DG-MS智能管理平臺(tái) 中控平臺(tái)作為管理系統(tǒng)主要控制核心，負(fù)責(zé)系統(tǒng)內(nèi)試劑信息的記錄和更新，承載著各管控對(duì)象的交互軟件和數(shù)據(jù)信息，實(shí)現(xiàn)人機(jī)信息傳遞、外圍硬件操控和數(shù)據(jù)庫(kù)更新功能，同時(shí)能夠定時(shí)備份保證數(shù)據(jù)安全。  產(chǎn)品參數(shù)PARAMETERS： 操作終端配合中控平臺(tái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的出入庫(kù)管理，主要用于解決實(shí)驗(yàn)室試劑管理擴(kuò)展，完成系統(tǒng)的出庫(kù)、還庫(kù)、查庫(kù)和異常處理，形成完整的試劑信息數(shù)據(jù)庫(kù)，并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分類(lèi)統(tǒng)計(jì)、篩選，以提高實(shí)驗(yàn)室試劑管理效率。 產(chǎn)品特色FEATURES： 1、便攜式一體化操作平臺(tái) 平臺(tái)以控制端為核心集成雙功能掃描器、人臉識(shí)別能力和超大顯示屏，管理員可在平臺(tái)上查詢組網(wǎng)的庫(kù)房?jī)?nèi)試劑的所有流轉(zhuǎn)信息，對(duì)于異常情況 、權(quán)限設(shè)置、生成報(bào)表等都能快速實(shí)現(xiàn)。 2、智能化信息系統(tǒng) 自動(dòng)記錄流轉(zhuǎn)信息、自動(dòng)統(tǒng)計(jì)分析，生成各類(lèi)統(tǒng)計(jì)報(bào)表，支持?jǐn)?shù)據(jù)隨時(shí)查詢并導(dǎo)出EXCEL報(bào)表，實(shí)現(xiàn)庫(kù)存無(wú)紙化管理；

本項(xiàng)目屬于電子信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域。 特色及先進(jìn)性：為了實(shí)現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應(yīng)用于磁光器件，又可應(yīng)用于微波器件中，本項(xiàng)目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設(shè)計(jì)體系，為了使其同時(shí)具有良好的磁光和微波特性，本項(xiàng)目很好的根據(jù)晶格匹配原則設(shè)計(jì)了材料配方，并選用無(wú)鉛液相外延技術(shù)，大大提高了薄膜的性能。本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國(guó)無(wú)大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無(wú)鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問(wèn)題。研究?jī)?nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設(shè)計(jì)研究：基于四能級(jí)躍遷模型，并結(jié)合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術(shù)，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術(shù)研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無(wú)鉛配方、生長(zhǎng)速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗(yàn)證研究，設(shè)計(jì)制備平面波導(dǎo)型磁光開(kāi)關(guān)對(duì)材料磁光性能的驗(yàn)證。 技術(shù)指標(biāo)：（1）建成了我國(guó)第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達(dá)到3英寸，單面薄膜厚度達(dá)到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進(jìn)行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設(shè)計(jì)、制備和測(cè)試工作。 促進(jìn)科技進(jìn)步作用意義：本項(xiàng)目突破了我國(guó)在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國(guó)內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對(duì)石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進(jìn)口、受制于人的不利局面。該項(xiàng)目研制的材料已提供給中電集團(tuán)41所、美國(guó)Delaware大學(xué)、天津大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院、深圳市通能達(dá)電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團(tuán)9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評(píng)。

本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國(guó)無(wú)大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無(wú)鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問(wèn)題。