|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置
本發(fā)明涉及一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置，包括以下步驟：1)設(shè)計(jì)三維芯片的三維結(jié)構(gòu)圖，并轉(zhuǎn)化為片層圖形文件格式；2)開啟三維打印裝置，將打印墨水吸入各個(gè)噴頭中；導(dǎo)入片層圖形文件；3)三維打印裝置分別將主體材料打印墨水、犧牲材料打印墨水和不同的細(xì)胞打印墨水打印到底板系統(tǒng)預(yù)先設(shè)計(jì)的位置；4)重復(fù)步驟3)逐層累積完成三維芯片結(jié)構(gòu)打印，直至片層圖形文件打印完成；5)加熱或制冷整體打印完成的三維芯片，使通道犧牲材料變?yōu)槿苣z態(tài)；6)將變?yōu)槿苣z態(tài)的通道犧牲材料使用移液槍吸出，去除通道犧牲材料，形成完整的三維芯片結(jié)構(gòu)；7)對(duì)未被融化的細(xì)胞打印墨水材料進(jìn)行交聯(lián)，灌流培養(yǎng)基。
清華大學(xué)
2021-04-10
.jpg){kind=logo}
加工第三代半導(dǎo)體晶片光電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)
第三代半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅因其禁帶寬、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于電子和光電子等領(lǐng)域。各種氮化鎵和碳化硅基器件是5G技術(shù)中的關(guān)鍵器件。將半導(dǎo)體晶片制成器件，其中的一個(gè)關(guān)鍵加工步驟是晶片表面的拋光。然而，氮化鎵和碳化硅的化學(xué)性質(zhì)極其惰性，半導(dǎo)體工業(yè)目前常用的化學(xué)機(jī)械拋光方法無(wú)法對(duì)其實(shí)現(xiàn)高效加工。對(duì)此，我們從原理上創(chuàng)新發(fā)展了一種光電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，不僅可快速加工各種化學(xué)惰性半導(dǎo)體晶片（如:加工氮化鎵的材料去除速率可達(dá)1.2 μm/h，比目前的化學(xué)機(jī)械拋光的高約10倍），而且可加工出原子臺(tái)階結(jié)構(gòu)的平滑表面。設(shè)備簡(jiǎn)單，技術(shù)具有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
廈門大學(xué)
2021-04-10
.jpg){kind=logo}
基于單光場(chǎng)相機(jī)的微尺度流動(dòng)三維速度場(chǎng)測(cè)量裝置和方法
本發(fā)明公開了一種基于單光場(chǎng)相機(jī)的微尺度流動(dòng)三維速度場(chǎng)的測(cè)量裝置及方法，其中測(cè)量裝置包括雙脈沖激光器、熒光顯微鏡、相機(jī)系統(tǒng)、同步控制器和計(jì)算機(jī)，其中計(jì)算機(jī)用于存儲(chǔ)ＣＣＤ相機(jī)獲得的光場(chǎng)圖片；選擇兩幀時(shí)間間隔為Δｔ光場(chǎng)照片，利用計(jì)算的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)，反卷積重建出示蹤粒子的三維位置信息；通過(guò)三維互相關(guān)算法得出微流場(chǎng)的三維速度場(chǎng)信息。本發(fā)明采用單相機(jī)系統(tǒng)與傳統(tǒng)熒光顯微鏡結(jié)合，實(shí)現(xiàn)微尺度流場(chǎng)的三維速度場(chǎng)測(cè)量，系統(tǒng)無(wú)需深度掃描，可以對(duì)非定常流動(dòng)或非周期性流動(dòng)的流場(chǎng)測(cè)量。
東南大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
一種基于均值漂移的不同精度三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)的融合方法
本發(fā)明公開了一種基于均值漂移的不同精度下的三維點(diǎn)云數(shù)據(jù) 的融合方法，針對(duì)兩組精度等級(jí)不同的三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)，利用高精度點(diǎn) 云建立低精度點(diǎn)云的誤差分布，進(jìn)而對(duì)低精度點(diǎn)云進(jìn)行均值漂移，消 除低精度點(diǎn)云的漂移誤差，從而實(shí)現(xiàn)兩組數(shù)據(jù)信息的融合，該方法包 括：S1：建立低精度點(diǎn)云的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)信息，包括每個(gè)樣點(diǎn)的鄰域點(diǎn)集 和單位法矢；S2：利用高精度點(diǎn)云對(duì)低精度點(diǎn)云進(jìn)行密度聚類，根據(jù) 聚類結(jié)果確定低精度點(diǎn)云每個(gè)樣點(diǎn)的漂移誤差；S3：利用低精度點(diǎn)云 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)信息和所述漂移誤差確定低精度點(diǎn)云各樣點(diǎn)的漂移矢量， 根據(jù)該漂移矢量對(duì)低精度點(diǎn)云的各樣點(diǎn)進(jìn)行漂移，實(shí)現(xiàn)融合。本發(fā)明 的方法在消除低精度點(diǎn)云漂移誤差的同時(shí)，可實(shí)現(xiàn)小幅度噪聲的光順。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
大傾角“三軟”易燃厚煤層綜放面綜合防滅火技術(shù)研究與應(yīng)用
該成果主要研究了大傾角 “ 三軟 ” 易燃厚煤層綜放面自燃規(guī)律、基于指標(biāo)氣體的預(yù)測(cè)預(yù)報(bào)技術(shù)、大傾角 “ 三軟 ” 易燃厚煤層綜放面綜合防滅火技術(shù)。并制定寶雞秦源煤業(yè)有限公司火災(zāi)事故應(yīng)急救援預(yù)案、火區(qū)綜合治理技術(shù)。項(xiàng)目于 2008 年由陜西省科學(xué)技術(shù)廳組織的鑒定，鑒定委員會(huì)一致同意通過(guò)技術(shù)鑒定。認(rèn)為該項(xiàng)目在大傾角 “ 三軟 ” 易燃厚煤層綜放面防滅火技術(shù)研究方面達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
西安科技大學(xué)
2021-04-11
高博會(huì)快訊 | 第三屆中國(guó)城市與高校發(fā)展大會(huì)在重慶召開
4月9日，第三屆中國(guó)城市與高校發(fā)展大會(huì)在重慶召開。中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)管培俊，西安交通大學(xué)校長(zhǎng)王樹國(guó)，中國(guó)工程院院士、重慶大學(xué)原校長(zhǎng)周緒紅，清華大學(xué)文科資深教授、蘇世民書院院長(zhǎng)薛瀾，重慶大學(xué)黨委常務(wù)副書記王時(shí)龍，青島市人大常委會(huì)副主任韓守信等出席論壇。
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)
2023-04-10
.jpg){kind=logo}
一種定位三氟甲基取代的高效有機(jī)太陽(yáng)能電池受體材料
南方科技大學(xué)化學(xué)系副教授何鳳課題組在能源領(lǐng)域頂級(jí)期刊Joule發(fā)表最新研究成果，介紹了團(tuán)隊(duì)合成的一種定位三氟甲基取代的高效有機(jī)太陽(yáng)能電池受體材料，該材料可通過(guò)H/J聚集的協(xié)同作用形成具有更多電子跳躍傳輸結(jié)點(diǎn)的三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，可極大改善電荷在分子間的傳輸，大幅提高器件性能。在該研究中，團(tuán)隊(duì)成功地將三氟甲基引入到稠環(huán)電子受體中，得到了超窄帶隙受體BTIC-CF3–γ，并將其應(yīng)用于太陽(yáng)能電子器件中，極大地提高了器件的能量轉(zhuǎn)換效率，充分體現(xiàn)出光譜紅移和超窄帶隙的優(yōu)勢(shì)，在多元體系、半透明器件和疊層器件應(yīng)用方面展示出非常有潛力的前景。更重要的是，BTIC-CF3–γ的單晶結(jié)構(gòu)有助于研究人員從分子層面理解這類分子的堆積形式以及分子間相互作用，也為進(jìn)一步設(shè)計(jì)新的高性能材料提供了有利的依據(jù)和指導(dǎo)。
南方科技大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
一種三聚氰胺-二醛縮合物及其合成方法和應(yīng)用
本發(fā)明涉及一種聚合物熒光納米材料的合成方法及應(yīng)用，其合成方法基于西弗堿反應(yīng)原理，將三聚氰胺和二醛類化合物作為起始原料，采用一步溶劑熱法，在高溫下進(jìn)行縮聚反應(yīng)獲得。該納米材料不但具有強(qiáng)烈的熒光，還有很強(qiáng)的散射，在染料敏化太陽(yáng)能電池中，既可充當(dāng)染料敏化劑來(lái)吸收太陽(yáng)光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換又可代替光散射層重新捕 獲未吸收的太陽(yáng)光，減小能量損失。 技術(shù)特點(diǎn)：聚合物納米顆粒中既沒有多環(huán)芳烴結(jié)構(gòu)也沒有長(zhǎng)鏈共軛結(jié)構(gòu)，但卻能發(fā)出很強(qiáng)的熒光。同時(shí)，其熒光顏色可以通過(guò)改變激發(fā)波長(zhǎng)調(diào)節(jié)。獲得的聚合物納米材料是一種純粹的有機(jī)物熒光納
蘭州大學(xué)
2021-01-12
藥大學(xué).jpg){kind=logo}
具有抗腫瘤抗菌活性的新化合物荊三棱酚Ⅱ及其制備方法
【發(fā) 明 人】梁僑麗 ; 李軍 ; 雷玲玲 ; 鄒娜姝 ; 俞晶華 ; 吳啟南【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明涉及醫(yī)藥技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是涉及一種從荊三棱中分離到的具有抗腫瘤和抗菌活性的茋類新化合物荊三棱酚II以及該化合物的制備方法【摘要】本發(fā)明涉及抗腫瘤抗菌新化合物荊三棱酚II及其制備方法，屬醫(yī)藥技術(shù)領(lǐng)域。荊三棱酚II為新順式茋類化合物，結(jié)構(gòu)如下式。它可以從莎草科蔗草屬植物荊三棱的干燥塊莖中提取制備，即用80%乙醇提取，減壓濃縮，再分別以石油醚，乙酸乙酯萃取。乙酸乙酯萃取部分反復(fù)用硅膠柱層析純化，石油醚：乙酸乙酯梯度洗脫得到純品。荊三棱酚II具有很好的抗腫瘤和抗菌作用，對(duì)人子宮頸癌Hela細(xì)胞的IC50值為7.218μM，對(duì)金黃色葡萄球菌和白色念珠菌的MIC值皆為79.3ug/ml。
南京中醫(yī)藥大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
一種銅@磁性金屬@聚合物同軸三層納米電纜及其制備方法
本發(fā)明涉及一種Cu@磁性金屬@聚合物同軸三層納米電纜，包括銅納米線，包覆在所述銅納米線外側(cè)的磁性金屬納米管以及包覆在所述磁性金屬納米管外側(cè)的聚合物納米管,Cu@磁性金屬@聚合物同軸三層納米電纜的外徑為100 300nm；所述磁性金屬納米管的內(nèi)徑為60 160nm，磁性金屬納米管的厚度為10 20nm。本發(fā)明的Cu@磁性金屬@聚合物同軸三層納米電纜具有較好的磁學(xué)性能，工藝簡(jiǎn)單，長(zhǎng)度容易控制。通過(guò)新的制備技術(shù)組裝了三層同軸納米電纜陣列結(jié)構(gòu)，具有較好的磁性能，可望用于高密度垂直磁記錄介質(zhì)領(lǐng)域。可以組裝在微電子器件上。
青島大學(xué)
2021-04-13