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具有超低導電渝滲值的三元共混物基復合材料及其制備方法
本發明公開了具有超低導電渝滲值的三元共混物基復合材料及其制備方法。該復合材料是由40vol％～45vol％的聚偏氟乙烯，40vol％～55vol％的高密度聚乙烯，20vol％聚苯乙烯和0.025vol％～0.5vol％多壁碳納米管經熔融共混制備得到。多壁碳納米管在熔融混合過程中能夠有效地選擇性分布在聚苯乙烯界面相，相比雙渝滲結構型導電復合材料以及填充型聚合物基導電復合材料，本發明得到的三元共混物基復合材料的導電渝滲值更低，這種特殊的多層次結構使得三元共混物基復合材料的導電渝滲值低至0.022vol％，達到超低的填充水平。
四川大學
2016-10-08
基于動點馬達蛋白 CENP-E 抑制劑 Syntelin 的抗三陰性乳 腺癌的靶向治療
成果創新點 首個 CENP-E 馬達驅動域結合的有機小分子化合物 Syntelin，對實驗性乳腺癌的有較好的治療作用，可用于 制備抑制腫瘤細胞增殖藥物。對實驗性乳腺癌的有較好的 治療作用，可用于制備抑制腫瘤細胞增殖藥物。 技術成熟度 關鍵技術研發階段 轉化計劃 轉讓 所需支持 預計所需資金 5000 萬
中國科學技術大學
2021-04-14
具有抗耐藥性的含三唑結構鏈接子的組合抗菌肽及其合 成方法
近年來，濫用抗生素產生的耐藥性問題日益嚴重，對人類疾病造成了巨大的威脅。尋找新的可替代抗生素的新藥迫在眉睫?？咕模ˋntimicrobial peptides），是生物體經誘導產生的一類具有抗菌活性的小分子多肽，來源廣泛，其分子量小，大約在 3~6 kD 之間，有耐熱、 耐酸性強，水溶性好，快速的殺菌能力等特點（Hancock REW，Scott MG. Proc Natl AcadSci USA，2000，97（16）：8856~ 8861）?？咕牡目咕鷻C制不同于普通抗生素，抗菌機制一般包括①
蘭州大學
2021-04-14
東南大學三項存內計算研究成果發表于固態電路領域頂會ISSCC
日前，2023年度第70屆IEEE國際固態電路會議 (International Solid-State Circuits Conference，ISSCC)在美國舉行。東南大學電子科學與工程學院國家ASIC工程中心楊軍教授、司鑫副研究員和蔡浩副教授的三項存內計算研究成果在本屆會議上發表并作了大會報告。東南大學是本屆ISSCC在存儲器、存內計算領域報道最多的單位。
東南大學
2023-03-03
西安交通大學科研人員在量子三體相互作用研究方面取得重要突破
不同量子系統之間的相干相互作用是量子物理和量子技術領域的一個基本科學問題。Jaynes-Cummings (JC)模型描述了兩能級量子系統和量子化的場之間的兩體相干相互作用，它是量子體系中光-物質相互作用的典型代表，奠定了量子光學的基礎。
西安交通大學
2023-02-23
一種基于MMC的含電容器橋臂的單相—三相變流系統
一種基于MMC的含電容器橋臂的單相—三相變流系統，由單相兩橋臂變流器和三相三橋臂變流器“背靠背”聯接而成，主要用于電力牽引的單相電源到三相電機的有功功率傳遞；將電容器橋臂與MMC橋臂相組合，最大限度降低系統造價；其中電容器橋臂由兩套相同的電容器組串聯而成，電容器組皆由同規格的直流儲能電容串并聯構成；MMC橋臂由兩套相同的MMC鏈串聯而成，MMC鏈由一個電感L與p個結構相同的功率模塊串聯，功率模塊為單相半橋結構，均由一個IGBT半橋和一個直流儲能電容構成；該系統尚可補償諧波和無功功率，也適于變壓、變頻、變相等場合；本實用新型技術先進、可靠，易于實施。
西南交通大學
2016-10-24
一種高精度的航空發動機葉片自動三維測量方法和系統
本發明公開了一種高精度的航空發動機葉片自動三維測量方法， 包括以下步驟：1)配準：將設計模型所處的設計坐標系與工件實體所 處的測量坐標系進行配準；2)路徑規劃：通過數據處理裝置規劃距離 傳感器在測量過程中的運動路徑，以使工件實體上的被測區域一直處 于距離傳感器的測量范圍內；3)自動測量：距離傳感器對工件實體的 正面區域和反面區域進行采樣，得到工件實體的完整表面輪廓。本發 明使用距離傳感器作為測量終端，可以獲得被測區域
華中科技大學
2021-04-14
利用冷凍電鏡三維重構技術解析流感病毒聚合酶調控RNA合成機制
首次系統性地研究了流感病毒聚合酶與不同RNA啟動子的相互作用機制，闡明了RNA啟動子結合構象在合成不同RNA時所發揮的作用。團隊還提出了聚合酶合成RNA起始階段的工作模型，推動了人們對流感病毒聚合酶調控不同RNA合成機制的理解，為抗病毒藥物開發提供了新靶點。 為了深入研究流感病毒聚合酶合成RNA的分子機制，研究人員利用冷凍電鏡三維重構技術，解析了D型流感病毒聚合酶與不同RNA啟動子結合
南方科技大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電 極單元為柱狀結構，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側壁構 成；所述連通電極的上表面用于連接柵層，下表面用于連接字線。本 發明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接柵層的電極結構。此電 極結構呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應的柵層，對疊層中非相對應 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制備方法
本發明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制 備方法，包括由多個垂直方向的三維 NAND 存儲串構成的存儲串陣列； 每個三維 NAND 存儲串包括半導體區域以及圍繞半導體區域的四層包 裹結構；半導體區域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯連接；溝道為方柱形結構；四層包裹結構從里到外依 次為隧穿電介質層、電荷存儲層、阻隔電介質層以及控制柵電極；阻 隔電介質層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學
2021-04-14