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一種以 PEO-LDPE 合金為基體的含銅節(jié)育材料及其器件
本發(fā)明公開了一種以 PEO-LDPE 合金為基體的含銅節(jié)育材料即 Cu/PEO-LDPE 復合材料及其器件，包含有 PEO-LDPE 合金基體及分布 其中的含銅金屬粒子，其中含銅金屬粒子的重量百分比含量為 0.5～ 30 ％ ， 在 PEO-LDPE 合 金 基 體 中 ， PEO 的 重 量 百 分 比 含 量 為 Cu/PEO-LDPE 復合材料總重量的 0.5～30％(優(yōu)選值 5～15％)。相較于 Cu/LDPE 節(jié)育材料，
華中科技大學
2021-04-14
一種 C/C-SiC 復合材料零件的制備方法及其產(chǎn)品
本發(fā)明屬于復合材料領域，并公開了一種 C/C-SiC 復合材料零 件的制備方法及其產(chǎn)品，包括以下步驟：(a)利用溶劑蒸發(fā)法制備碳纖 維/酚醛樹脂復合粉末；(b)依據(jù)零件的三維模型，將碳纖維復合粉末采 用 3D 打印工藝成形出該零件的初始形坯；(c)對初始形坯進行第一次 增密處理得到 C/C 多孔體；(d)對上述 C/C 多孔體進行熔融滲硅反應、 高溫除硅工藝和第二次增密處理，得到最終的 C/C-SiC 零件。通過本
華中科技大學
2021-04-14
一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學介質(zhì)層的兩個外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場陣，陰極/陽極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的陣列化納電場驅(qū)控，向各納電場中電場強度最強部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的電場驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學
2021-04-14
一種光譜橢偏儀中氙燈光源的光強平滑處理裝置及方法
本發(fā)明公開了一種應用到光譜橢偏儀中的氙燈光線光強平滑處理裝置及方法。該光強平滑處理裝置包括準直透鏡、匯聚透鏡和光闌，準直透鏡為消色差透鏡，用于將待處理的氙燈光線準直為平行光束；匯聚透鏡為單透鏡，用于將平行光束匯聚聚焦，匯聚后的光斑大小隨波長的增加而增大；光闌設置在匯聚透鏡后并間隔一定波長焦距位置處，通過設定該光闌的大小使紫外波段的光斑可透過該光闌而可見到近紅外波段的光斑被阻擋，從而減小可見到近紅外波段的光束光強，實現(xiàn)平滑。本發(fā)明還公開了一種氙燈光線光強平滑處理方法。本發(fā)明沒有損失任何波段的光線，探測
華中科技大學
2021-04-14
一種沿面擊穿型兩對棒極結構觸發(fā)真空開關
本發(fā)明公開了一種沿面擊穿型兩對棒極結構觸發(fā)真空開關；觸 發(fā)真空開關采用三段式結構，包括上段波紋狀陶瓷外殼，下段波紋狀 陶瓷外殼，中段金屬屏蔽罩，設置在金屬屏蔽罩內(nèi)的上電極和下電極， 觸發(fā)電極，上電極金屬連桿，上電極法蘭盤，下電極金屬連桿以及下 電極法蘭盤；上電極法蘭盤與上段波紋狀陶瓷外殼連接，下電極法蘭 盤與下段波紋狀陶瓷外殼連接，再與金屬屏蔽罩共同構成密閉殼體； 通過上段波紋狀陶瓷外殼連接上電極法蘭盤，以及通過下段波紋狀陶 瓷外殼連接下電極法蘭盤能有效提高上電極法蘭盤與下電極法蘭盤之 間的爬電距離
華中科技大學
2021-04-14
一種時間分辨率自適應調(diào)整的流場狀態(tài)測量方法
本發(fā)明公開了一種時間分辨率自適應調(diào)整的流場狀態(tài)測量方法，該方法包括如下步驟：首先，根據(jù)第 k+1 時刻圖像與第 k 時刻圖像之間的時間間隔Δt<sub>k</sub>，采集第 k+1 時刻圖像，并對第 k 時刻和第k+1 時刻的圖像進行降噪處理；然后，據(jù) k 時刻圖像和第 k+1 時刻的圖像，采用粒子圖像測速方法，計算第 k+1 時刻的流場狀態(tài) X(k+1)，包括：位移場 x(k+1)、速度場 x′(k+1)、加速度場 a(k+1)，并輸出顯示；最后，更新第 k+2 時刻與第
華中科技大學
2021-04-14
一種容三盤失效糾刪碼的單數(shù)據(jù)盤失效快速重建方法
本發(fā)明公開了一種容三盤失效糾刪碼的單數(shù)據(jù)盤失效快速重建 方法，包括：單條帶重建時將每個條帶的每個條帶單元劃分為 p-1 個 子分塊，其中 p 為素數(shù)，且滿足 p+2 等于 RAID 組中磁盤的數(shù)量,獲取 每個條帶中用于重建失效盤的子分塊的總數(shù)量 Rideal＝Rlow+w%，在 磁盤個數(shù)為 p+2 的陣列中，將失效盤 i 失效的可行解值初始化為 3<sup>p-1</sup>，初始化計數(shù)器 j=0,用輾轉(zhuǎn)相
華中科技大學
2021-04-14
一種基于 I/O 流水線的失效節(jié)點數(shù)據(jù)重構優(yōu)化方法
本發(fā)明公開了一種基于 I/O 流水線的失效節(jié)點數(shù)據(jù)重構優(yōu)化方 法 ， 包 括 ： 從 糾 刪 碼 存 儲 集 群 中 的 存 活 節(jié) 點 中 任 選 k 個 節(jié) 點 N1,N2,…,Nk，并初始化計數(shù)器 i＝0，j＝1，節(jié)點 Nj 讀取其自身的分塊 Blocki,j，并將其發(fā)送到 Nj+1，并設置 j＝j+1，節(jié)點 Nj 讀取其自身的 分塊 Blocki,j，并與接收自節(jié)點 Nj-1 的分塊 Blocki,j-1 進行線性組合計
華中科技大學
2021-04-14
一種兩性分子改性的鈣鈦礦光電功能材料及其應用
本發(fā)明公開了一種有機兩性分子改性的 MzAyBXz+y+2 鈣鈦礦 基光電功能材料，其特征在于，該功能材料是以 ABX3 鈣鈦礦材料為 基 體 ， 以 有 機 兩 性 分 子 M 為 改 性 成 分 ， 其 化 學 通 式 表 示 為 MzAyBXz+y+2。本發(fā)明還公開了所述光電功能材料的制備方法及其應 用。本發(fā)明所用的基體材料與改性材料成本低廉，原料豐富；此外， 制備方法可采用全溶液法，制備工藝簡單，無需昂貴的設備儀器，同
華中科技大學
2021-04-14