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一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過程的方程并行計(jì)算方法
本發(fā)明公開了一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過程的方程 并行計(jì)算方法：將基于 XOR 的 RAID-6 編碼的校驗(yàn)規(guī)則用校驗(yàn)方程組 表示，把每個(gè)校驗(yàn)方程在編解碼過程中的求解分解為兩個(gè)階段——“預(yù) 計(jì)算階段”以及“遞歸求解階段”；每個(gè)校驗(yàn)方程由一個(gè)獨(dú)立的線程 實(shí)施求解，多個(gè)校驗(yàn)方程的預(yù)計(jì)算階段被并行執(zhí)行；使用一個(gè)全局共 享的數(shù)據(jù)塊狀態(tài)表記錄數(shù)據(jù)塊的狀態(tài)以協(xié)調(diào)所有線程的執(zhí)行。本發(fā)明 方法利用編碼的潛在并行能
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法
本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實(shí)體材 料的密度分布，同時(shí)得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對不同的中間密度單元進(jìn)行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細(xì)觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細(xì)觀微結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化，避免了在增材制造成型
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種圖案化的組合太陽能電池及其彩色太陽能電池模塊
本發(fā)明公開了一種圖案化的組合太陽能電池及其彩色太陽能電池模塊。所述組合太陽能電池由多個(gè)彩色太陽能電池模塊串聯(lián)而成，包括第一彩色太陽能電池模塊、第二彩色太陽能電池模塊、……、以及第 N 彩色太陽能電池模塊，N≥3；所述彩色太陽能電池模塊依次包括陰極層、光活性層以及陽極層，所述陽極層的厚度為 5nm～500nm，所述陽極層由層數(shù)為 1 層～100 層的 PEDOT:PSS 薄膜組成；在所述第一彩色太陽能電池模塊至第 N
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于真空吸鑄的非晶合金微細(xì)零件的制備方法及裝置
本發(fā)明公開了一種非晶合金微細(xì)零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內(nèi)；準(zhǔn)備用于制備非晶合金微細(xì)零件的硅模具，將該硅模具置于內(nèi)部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護(hù)氣，對非晶合金原材料進(jìn)行熔煉，并通過降低銅模具內(nèi)的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內(nèi)；脫模即可得到非晶合金微細(xì)零件。本發(fā)明還公開一種非晶合金微細(xì)零件的制備裝置。本發(fā)明采用真空吸鑄，克服了非
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種高轉(zhuǎn)矩密度多盤-多氣隙軸向磁通磁場調(diào)制永磁電機(jī)
本發(fā)明提供了一種高轉(zhuǎn)矩密度多盤-多氣隙軸向磁通磁場調(diào)制永 磁電機(jī)，其中該永磁電機(jī)具有多盤多氣隙結(jié)構(gòu)，由沿軸向方向上依次 交錯排列的若干定子與轉(zhuǎn)子構(gòu)成而成，若定子數(shù)目為 Ns，轉(zhuǎn)子數(shù)目為 Nr，定子與轉(zhuǎn)子數(shù)目滿足：Ns＝Nr+1(Nr＝2，3，4...)，最外側(cè)兩定子 不放置繞組，內(nèi)側(cè)定子放置環(huán)形繞組。按照本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的調(diào)制永磁電 機(jī)，降低了繞組端部長度，減小了電機(jī)銅耗，提高了效率，兩側(cè)外定 子作為輔助磁路，保留了磁場調(diào)制電機(jī)的高電磁轉(zhuǎn)矩密度、高功率因 數(shù)等特點(diǎn)，提高了電機(jī)的整體轉(zhuǎn)矩密度，同時(shí)兩側(cè)外定子
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種具有抑制腫瘤細(xì)胞多藥耐藥的高活性抗癌新藥甲酰阿地咪
天然產(chǎn)物阿地咪的人工合成衍生甲酰阿地咪（(-)-5-N-formalardeemin）及其藥學(xué)上可接受的鹽可作為抗腫瘤藥物應(yīng)用于治療人類惡性腫瘤。其作為抗腫瘤藥物不僅可直接抑制惡性腫瘤細(xì)胞的增長，更為重要的是可作為化療增敏劑，與其它抗腫瘤藥物如阿霉素、長春新堿等聯(lián)用，通過逆轉(zhuǎn)腫瘤細(xì)胞的多藥耐藥性而達(dá)到有效殺滅腫瘤細(xì)胞的作用。更有意義的是，其作為化療藥物增敏劑較其直接作為腫瘤細(xì)胞生長抑制劑在治療惡性腫瘤方面更為有效，具有重要的臨床應(yīng)用前景。
四川大學(xué)
2016-04-26
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一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設(shè)置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設(shè)置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設(shè)置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設(shè)置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應(yīng)增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯(lián)合
東南大學(xué)
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型
東南大學(xué)
2021-04-14