隨著集成電路領域的發(fā)展，電子元器件呈現出小型化及高度集成化的特點；為了確保電子元器件工作的穩(wěn)定性與可靠性，需要對電子元器件進行良好的封裝，一方面，可以減少電子元器件的機械振動損傷，另一方面，可以保證良好的真空性與氣密性。現有的封裝方法包括熱壓鍵合與表面活化鍵合，熱壓鍵合是通過對鍵合界面加熱、施壓，使得原子間發(fā)生相互擴散、重結晶實現連接；然而熱壓鍵合工藝溫度通常達到300 ℃以上，高溫會使得鍵合接頭中熱應力提高，降低連接強度，且容易對熱敏元件造成損傷；表面活化鍵合是通過高能粒子束轟擊鍵合界面，去除表面的氧化層及污染物從而獲得高活性的材料表面，施加壓力即可在室溫下實現牢固的鍵合，然而表面活化鍵合的工藝復雜，對設備要求較高。

近年來，采用激光為熱源的微連接技術逐漸成熟，打破了高能量密度激光對IC芯片造成熱損傷的刻板印象。由于激光能量高度集中，在合理調整工藝參數的情況下，能夠實現對封裝結構的選擇性精密加熱，并嚴格控制熱影響區(qū)的大小。有效地避免了互連過程中熱輸入對熱敏元件造成的損壞，從而提高了封裝結構的可靠性。

本成果解決了現有技術中，采用激光為熱源的微連接技術無法保障微連接焊點力學性能，無法保證封裝的氣密性的缺陷。通過將激光作為瞬態(tài)液相鍵合的熱源，并將超聲波介入瞬態(tài)液相鍵合的反應過程，保證電子元器件性能的同時，加快了瞬態(tài)液相鍵合的反應進程，提升了電子元器件封裝的穩(wěn)定性、可靠性及效率，且該基于激光超聲耦合的微連接工藝具有良好的適應性。