一種低動態電阻增強型GaN器件

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該GaN器件能同時實現高頻、高效、大功率等優勢，與硅器件相比具有更優異的器件特性，可以用于手機快充、5G等領域。與傳統充電器相比，相同功率下的GaN充電器體積更小、質量更輕、攜帶便利。GaN充電器最大充電功率更高，充電速度更快，可滿足多臺設備同時充電的場景需求。5G基站中主要使用的是氮化鎵功率放大器和微波射頻器件。GaN材料在耐高溫、耐高壓及承受大電流方面具備優勢，與傳統通信芯片相比具備更優秀的功率效率、功率密度和寬頻信號處理能力。

該GaN器件能同時實現高頻、高效、大功率等優勢，與硅器件相比具有更優異的器件特性，可以用于手機快充、5G等領域。與傳統充電器相比，相同功率下的GaN充電器體積更小、質量更輕、攜帶便利。GaN充電器最大充電功率更高，充電速度更快，可滿足多臺設備同時充電的場景需求。5G基站中主要使用的是氮化鎵功率放大器和微波射頻器件。GaN材料在耐高溫、耐高壓及承受大電流方面具備優勢，與傳統通信芯片相比具備更優秀的功率效率、功率密度和寬頻信號處理能力。

本項目目前仍處于實驗室小試階段，在傳統650-V GaN-on-Si平臺上制備了該p-GaN HEMT器件，該器件的擊穿電壓可以達到776V。同時該器件可以有效地抑制表面陷阱和緩沖陷阱，因此經過650-V的高壓漏極應力后，該p-GaN HEMT的歸一化動態導通電阻僅為1.39。