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一種電場輔助的硅通孔刻蝕工藝
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.gxf2npi.xyz
關鍵詞：
電場輔助
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種電場輔助的硅通孔刻蝕工藝，包括步驟：（1）在單晶硅片上旋涂光刻膠并通過光學光刻或電子束光刻得到光刻膠圖形 ；（ 2 ） 鍍 上 銀 膜 或 金 膜 ；（ 3 ） 在 電 場 之 中 ， 采 用 HF 、
H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>和去離子水的混合溶液作為刻蝕劑進行金屬催化刻蝕；（4）去除光刻膠；（5）去除單晶硅片上殘留的金屬膜并進行清洗處理。本發明通過在刻蝕過程中控制電場強度，由此形成從數十納米至數
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