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抗總劑量效應存儲單元電路
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.gxf2npi.xyz
關鍵詞：
存儲單元電路
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種抗總劑量效應存儲單元電路，全部由 PMOS
管構成，包括：第一、第二 PMOS 管，第三、第四 PMOS 管和第五、
第六 PMOS 管；第一、第二 PMOS 管為上拉管，第三、第四 PMOS
管為讀出訪問管，第五、第六 PMOS 管為寫入訪問管。本發明的抗總
劑量效應存儲單元電路可自動實現抗總劑量效應加固，具有較小的存
儲單元面積，可用于抗輻射航空航天及嵌入式存儲器等領域。
項目階段:
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