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開發(fā)利用原料豐富、廉價(jià)、低毒的熱電材料
2021-04-13 00:00:00
云上高博會(huì)
http://www.gxf2npi.xyz
關(guān)鍵詞：
熱電材料
所屬領(lǐng)域:
項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:
運(yùn)用大量的明場(chǎng)和高角暗場(chǎng)掃描透射電鏡技術(shù)(ABF/HAADF-STEM)觀測(cè)，意外發(fā)現(xiàn)SnSe的單晶晶格間存在著大量的間隙原子，模擬分析表明這些原子為Se原子；同時(shí)，亦發(fā)現(xiàn)大量Sn晶格位置的空缺。密度泛函計(jì)算結(jié)果表明這些點(diǎn)缺陷具有很低的形成能，電子探針成分分析亦從宏觀方面證實(shí)了這種SnSe單晶確實(shí)偏離化學(xué)計(jì)量比。利用經(jīng)典的Debye-Callaway模型，他們定量的證實(shí)了正是由于這種本征的偏離化學(xué)計(jì)量比的點(diǎn)缺陷的大量存在，大幅加劇了SnSe中高頻聲子的散射，從而造成了實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到的極低晶格熱導(dǎo)率。
項(xiàng)目階段:
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