石墨烯化學氣相沉積制備方法

化學化工

CVD 法制備石墨烯，主要是利用碳源在一定溫度或外場下發生化學分解并在基底表面沉積來實現。CVD 反應系統主要由三部分構成：氣體輸送系統，反應腔體和排氣系統。CVD反應過程主要由升溫、基底熱處理、石墨烯生長和冷卻四部分構成。氣體輸入系統一般由氣體流量計控制，反應腔是碳源前驅體發生化學反應并在反應基底沉積得到石墨烯的區域，排氣系統用于將反應后的氣體排出。其中碳源前驅體可以是氣態烴類（如甲烷、乙烯、乙炔等），液態碳源（如乙醇、苯、甲苯等），或固態碳源（如聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、無定形碳等）。反應基底一般分為兩大類：銅、鎳、鉑等金屬基底和氧化硅、氮化硅、玻璃等非金屬基底。外界條件控制主要包括溫度、壓強、氣體的流速和種類、等離子化、加熱方式等。

未應用