金剛石是自然界中存在的最優(yōu)異的材料，集眾多性能于一體，被稱為具有極限功能的第三代半導(dǎo)體材料，在高端技術(shù)和現(xiàn)代國(guó)防領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。但是，大尺寸單晶金剛石晶圓的制備一直是制約金剛石在半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用的瓶頸，是本實(shí)驗(yàn)室的研究重點(diǎn)，也是世界性的研究難點(diǎn)。據(jù)報(bào)道，當(dāng)前世界范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶金剛石制備的工藝方法均為異質(zhì)外延法，而異質(zhì)外延法生長(zhǎng)金剛石必須具備質(zhì)量高、純凈無(wú)污染且膜厚均勻性好的過(guò)渡層薄膜材料。原子層沉積（ALD）技術(shù)以N2為載氣，將前驅(qū)體以脈沖方式交替通入腔體并在襯底表面的發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而形成沉積膜的一種方法（技術(shù)），殘余物被N2清洗帶走，保證了過(guò)渡層的成膜質(zhì)量和純凈度，而且原子層沉積法還具有制備原子級(jí)薄膜，襯底溫度在生長(zhǎng)過(guò)程中可以進(jìn)行精確調(diào)整，膜厚控制均勻等優(yōu)勢(shì)，與濺射、化學(xué)氣相沉積等技術(shù)方案相比，可以獲得致密性更強(qiáng)、結(jié)晶缺陷更少、穩(wěn)定性更好的薄膜材料，是制備異質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石過(guò)渡層的最佳選擇。此外，在金剛石功率器件應(yīng)用中，介質(zhì)層常用于場(chǎng)板結(jié)構(gòu)或者晶體管柵介質(zhì)層。由于金剛石缺少本征氧化物，因此介質(zhì)層通常也采用異質(zhì)外延生長(zhǎng)方式獲得。 預(yù)購(gòu)買原子層沉積系統(tǒng)一臺(tái)，滿足①能夠沉積金屬氧化物（如Al2O3, ZnO, TiO2, HfO2, Nb2O5,ZrO2等）；②能夠沉積金屬（如：Pt, Ru, Ir, Au）以及多元氧化物（如HfZrO、IGZO等）材料等；③薄膜厚度均勻性優(yōu)于±2%。該設(shè)備廠家收到信用證后260天內(nèi)發(fā)貨，質(zhì)保期貨到驗(yàn)收合格之日起12個(gè)月，廠家負(fù)責(zé)安裝及培訓(xùn)。設(shè)備購(gòu)置后將針對(duì)單晶金剛石的制備與半導(dǎo)體應(yīng)用等方面開(kāi)展技術(shù)攻關(guān)，對(duì)學(xué)校學(xué)科建設(shè)及人才培養(yǎng)等起到推動(dòng)作用，極大提升本實(shí)驗(yàn)室在國(guó)內(nèi)外的影響力。并對(duì)國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)的提升將起到較大的引領(lǐng)作用，極大地提高我國(guó)第三代半導(dǎo)體的核心競(jìng)爭(zhēng)力。